СТУЧИНСКИЙ ГЕОРГИЙ БОРИСОВИЧ

  Бо союз агатеi, r :оищ4щ блиотен 1 ) 474869 ОП ИСАНИ Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Соггиалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 27.06.73 (21) 1936623/26-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— Опубликовано 25.06.75. Бюллетень Хо 23 Дата опубликования описания 17.11.75 (о1) М. Кл. HOlj 29/10 Государст...

  ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (11 61 1263 (61) Дополнительное к авт. свнд-ву (22) За я влек о 24,05,76 (21) 2364086/1 8-2 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано16.06,78. Бюллетень №22 (45) Дата опубликования описания 12.05.78 (51) М. Кл Н 01 Ю 39/00 Гюсударствеииый квинтет Сювютв Мииистрюв СССР...

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРО ВАКУУМНОГО ПРИБОРА, содержащего полупроводниковый эмиттер электронов-с отрицательным электронным сродством, включаюпщй прогрев полупроводника и нанесение на его поверхность' активирующего покрытия, снижающего работу выхода, отличаю щи йс я тем, что, с целью повьшения ^_ выхода годных за счет улучшения электрических параметров прибора, прог^ рев полупров...

  Назначение: изобретение относится к области электронной техники. Согласно изобретению образец помещают на держатель , установленный с возможностью поворота его плоскости относительно оптической оси в диапазоне углоо 1-10°, освещают пучком рентгеновского излучения после предварительной обработки поверхности с помощью активатора, возбуждают фотоэффект при фиксированном знач...

  Сущность изобретения: поверхность полупроводника предварительно обрабатывают для снижения работы выхода электрона до величины, соответствующей состоянию поверхности, характеризуемой отрицательной величиной электронного средства. Возбуждают внешний рентгеновский фотоэффект. Определяют зависимость изменения величин фотоэффекта от угла падения рентгеновского пучка, по которой рассчи...

  Способ определения характеристик полупроводника . Сущность изобретения: обрабатывают поверхность полупроводника для достижения отрицательной величины электронною сродстоа электрона. Возбуждают внешний рентгеновский фотоэффект при фиксированном угле падения рентгеновского пучка. Измеряют величину скачков рентгеновского фотоэффекта на краях рентгеновского поглощения элементов, вход...

  Сущность изобретения: о образце, поверхность которого предварительно обработана для снижения работы пыхода электрона, возбуждают внешний ренгтеновский фотоэффект на одном из краев рентгеновского поглощения по крайней мере одного из элементсш, входящих о состав полупроводника . Измеряют зависимость изменения величины скачка рентгеновскогр фотоэффекта от угла падения рентгеновского...