PatentDB.ru — поиск по патентным документам

СТАРИКОВ АЛЕКСАНДР ИВАНОВИЧ

Изобретатель СТАРИКОВ АЛЕКСАНДР ИВАНОВИЧ является автором следующих патентов:

Валок раскатного стана

Валок раскатного стана

  @ аа е э Я -,"- ЖМЯ (11) 523730 ИЗОБРЕТЕН ИЯ (61) Дополнительное к авт, свид-ву (22) Заявлено26.03.75 (21) 2116230/02 (51) М. Кл. В 21 В 27/02 В 21 В 19/06 с присоединением заявки № 1 асудврственный «амитет Совета Министров СССР по делам изобретений и ат«рытий (23) Приоритет (43) Опубликовано05.08.76.Бюллетень )Чъ 29 (45) Дата опубликования описания 05.11 76 (53) УДК 621.771....

523730

Способ винтовой прокатки

Способ винтовой прокатки

  Изобретение относится к области обработки металлов давлением, в частности к изготовлению труб и других цилиндрических изделий на станах винтовой прокатки. Цель изобретения - повьшение качества проката путем улучшения динамики. Способ винтовой прокатки включает деформацию заготовки косо установленными валками. Величина угловой скорости изменяется волнообразно за каждый полуоборот...

1328013

Датчик свч мощности

Датчик свч мощности

  Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения малой мощности. Цель изобретения - увеличение чувствительности датчика, улучшение согласования с СВЧ-трактом и повышение надежности. Датчик СВЧ-мощности содержит полупроводниковый кристалл 1, снабженный двумя омическими контактами 2, 3, один из которых имеет большую площадь, чем другой. Цель дост...

1665316

Датчик свч-мощности

Датчик свч-мощности

  Изобретение относится к технике СВЧ- измерений и может использоваться в измерителях малой мощности СВЧ. Цель изобретения - повышение чувствительности и улучшение согласования с СВЧ-трактом. Датчик СВЧ-мощности содержит полупроводниковый кристалл 1 с двумя омическими контактами 2, 3; конструкция выполнена планарно-коаксиальной с концентрически расположенными внутренними сферически...

1720027

Датчик свч мощности

Датчик свч мощности

  Использование: в измерителях малой мощности СВЧ. Сущность изобретения: датчик СВЧ-мощности содержит полупроводниковый кристалл 1, омические контакты 2 и 3, один - в виде полоски, экспоненциально переходящей вдоль ее длины в шаровой слой радиусом п и высотой hi, а другой - в виде полусферического пояса радиусом Г2 и Г2 высотой h2 hi - Такая конструкция обеспечивает хорошее согласо...

1800375