C30B29/14 - фосфаты — все патенты категории

Способ выращивания пьезоэлектрических кристаллов однозамещенного фосфата аммония

П. Г. Поздняков СНОС()Б ВЫР4И »i В ) СИЯ ПЬ).303,)«ЕК 1 РИЧЕ«.КИХ у р ):; » ) ., I);) rr)8 А@1«, ) Адц= (А.ц 1.1() д «р(-)»») А ) А А,!«)Моц ).1д 3; ", r» 6: .-.;-< 1!)5," т,: ¹ Л-115,. - 32156 н Гостенчес)()!.; 1(0,1»ч(!)с вЂ”.с!1 11: л:.!См (!(! С!В !!Е :, . > д ! ".. . X I(р C r! !,!ОВ C!, и!) !!СТ)1, 1, IОВ H)1(.(. Г ri! С ГО яЗЛ "!! If(. БЫ! if l! I1ВЯ il!! и, . -Ч! ГС )...

95747

Способ изготовления затравок для выращивания кристаллов

тТ,» 1i"Ilqayr8 Класс 12с, ВСССГ, Ш TL< 1 Гз Х1 т Т,п. БИБ„ 1иптЕ g i ОПМСАЯ ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ П. Г, Поздняков и А, A. штернберг СПОСОБ ИЗГОтОВЛЫИЯ ЗАТРАВОК ДЛЯ ВЬЮЛЩИВЛНКЯ КРИСТАЛЛОВ Заявлено 7 января 1952 г. в Министерство проеяышлепности средств связи СССР за ¹ А-1164)450193 Фосфат аммония (однозамещенная аммонийная соль ортофосфорной кислоты) обр...

100988

Патент ссср 292888

GA ЙСАЙИЕ ! 3 O Б Р Е т Е Н Й Я Се!ее Сееетеких СЕЦИаПИЕт14»!ЕС»ЕИХ Респтелик ф Д Д (". Я@1 !Щ Qg p,"!Äß ßÄ (ô Зависимое от авт. свидетельства №вЂ” З24т,т" тно 3 1 /1 1068 (1ф 128» g 0 та:< 26) тт *.", ... C w Ж Ф 1 с пр! - »З:сдпila;12 ;I 3;!. Н3к!1,, е П рпорптетвЂ” ! ! Ьпуб:;;11(OÂaío 155.1.1971. Б10ллстснь ¹ 5 Дата опубликования описанпя 21Х11.! 971 К!.,итет по дела...

292888

Способ получения фторфосфата двухвалентного европия

ссюз сОВетсних СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР (21) 3005004/26 (22} 30.09.80. (46) 15.05,92. Бюл. V 18 (71} Институт геохимии и аналитической химии им.В.И.Вернадского (72) Н.С.Меликсетян, В.С.Урусов и К.И.Тобелко (53) 621.315.592(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР И 458325, кл. В 01 J 17/06, 1973. J. Мауе...

932853

Способ выращивания монокристаллов группы дигидрофосфата калия

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ ДИГИДРОФОСФАТА КАЛИЯ из переохлажденного водного раствора на размещенную в кристаллизаторе затравку, вырезанную параллельно грани (100) или (101), отличающийся тем, что, с целью повышения скорости роста и оптической однородности кристаллов, используют затравку, соответствующую размерам дна кристаллизатора, и размещают ее на дне так, чтобы ее криста...

955741

Способ термообработки радиационно-поврежденных монокристаллов дидейтерофосфата калия

Изобретение относится к отособу термообработки радиационно - поврежденных монокристаллов дидейтерофосфата калия и позволяет улучшить структуру и оптические харааериаики кристаппов , Радиационно - поврежденные кристаллы нагревают со скоростью не более 2 с/ч до температуры на 3 - 5 с ниже температуры фазового перехода (Т ). Выдерживают фистаплы не менее 12 Ч затем охлаждают со скор...

1345688

Способ термообработки монокристаллов дигидрофосфата калия

Изобретение относится к способам повышения оптической и механической прочноаи монокристаллических материалов, используемых в лазерном гр1бороа|эоении, и поздоляет повысить механическую и лазерную прочность. Монокристаплы дигидрофосфата калия отжигают в течение 14 - 15 сут. при максимальной температуре не выше 195° С. Нафев и охлаждение ведут с изменением скорости: 20 - 25...

1440098

Способ получения монокристаллов фосфата калия - титанила

Способ получения монокристаллов фосфата калия - титанила KTiOPO4, включающий кристаллизацию на затравку из расплава раствора на основе K6P4O13 и вытягивание монокристалла при охлаждении расплава раствора, отличающийся тем, что, с целью увеличения скорости роста и улучшения качества монокристаллов, вытягивание производят со скоростью 0,075-0,09 мм/ч при вращении монокристалла со скоростью...

1473378

Способ гидротермального выращивания кристаллов со структурой типа ктр

Изобретение касается получения кристаллов со структурой типа КТР, которые могут быть использованы для создания преобразователей частоты излучения лазера. Цель изобретения - выращивание кристаллов KALPO 4F и удешевление процесса. Кристаллы выращивают в гидротермальных условиях перекристаллизацией шихты, приготовленной в виде стекла состава KALPO 4F, из водного раствора KF или KHF 2...

1583477

Способ выращивания монокристаллов типа кдр

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов и может быть использовано для скоростного выращивания водно-растворимых кристаллов для нелинейной оптики. Целью изобретения является увеличение скорости роста кристаллов. Выращивание кристаллов ведут при постоянной скорости роста кристалла из точечной затравки Т-образной формы, жестко закрепленной в углублении платформы, путем увеличения...

1619750

Способ изготовления оптических элементов из кристаллов дигидрофосфата калия и его дейтерированных аналогов

Изобретение относится к способам понижения оптической плотности изделий оптики и может быть использовано для изготовления оптических элементов из кристаллов дигидрофосфата калия и его дейтерированных аналогов, в частности для изготовления удвоителей и утроителей частоты лазерного излучения. Цель изобретения - увеличение пропускания и выхода годных оптических элементов из кристалл...

1730223

Способ получения затравочной пластины

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов и может быть использовано при изготовлении затравочных пластин для выращивания кристаллов типа КДР большого сечения. Изобретение позволяет получать затравку апертуры большей, чем первоначальная, пригодной для последующего выращивания на ней кристаллов высокой оптической стойкости. Способ включает моносекториальное выращивание крист...

1732701

Способ получения раствора-расплава для выращивания монокристаллов кт @ оро @

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (51) s С 30 В 9/00, 29/14 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ 0 ,(Я 0 0 Qt К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4826858/26 (22) 11.04.90 (46) 30.09.92. Бюл. М 36 (75) В,B.Ðàíäoøêèí, Ю.И.Слинкин и В.И.Чани (56) 1, Элементы и устройства на цилиндрических магнитных доменах. Справочник....

1765265

Способ выращивания монокристаллов группы дигидрофосфата калия

Использование: в технологии выращивания кристаллов на затравках, ростовая поверхность которых представляет собой естественную грань. Сущность изобретения: монокристаллы выращивают из переохлажденного раствора на размещенную на дне формы затравку, соответствующую ее размерам и вырезанную параллельно естественной грани. В качестве затравки используют пластину из дефектного кристалла и в нач...

1771214

Способ получения фосфатов элементов iii группы гидротермальным методом

Использование: в электронной технике, для акустооптической керамики. Сущность изобретения: ортофосфат лантана получают гидротермальным методом из раствора твердого гидроксида лантана в ортофосфорной кислоте при температуре 150-250°С и давлении жидкой фазы 0,8-1,5 МПа. Ортофосфорную кислоту берут концентрацией 50-60 мае. %, и процесс ведут при объемном соотношении жидкой и...

1773953

Способ химического травления кристаллов титания - фосфата калия (кт @ оро @ )

Использование: в квантовой оптике. Сущность изобретения: монокристаллы КТЮРО травят в смеси состава 2H2S04:3HF при 160-180°С в течение 5-15 мин. Способ позволяет выявлять дефекты структуры на поверхностях любых кристаллографических направлений и характер их объемного распространения, а также получать картины селективного травления независимо от характера предварительной о...

1801993

Способ выращивания монокристаллов группы дигидрофосфата калия (кдр)

Использование: при выращивании кристаллов КДР и ДКДР с пониженным оптическим поглощением в УФ-области спектра и уменьшенным объемом дефектной призат-. равочной области. Сущность изобретения: в процессе роста кристаллов затравку колеблют параллельно ее оси Z с амплитудой (50- 90)±10 мкм и частотой ()±20 Гц. Это позволяет уменьшить оптическую плотность кристаллов в диапазоне 200-30...

1819921

Способ получения монокристаллов ортофосфата галлия

Использование: в электромеханических преобразователях. Сущность изобретения: исходную шихту приготовляют из смеси Ga2O3 и NH4H2PO4, которые берут в соотношении 1 : 1 - 1 : 2 и обжигают при 700 - 800°С. Затем из раствора полученной шихты в концентрированной ортофосфорной кислоте при 400 - 450°С, давлении инертного газа 75 - 100 атм и прямом температурном перепаде гидротермально выращивают...

2019583

Способ термообработки электрооптических кристаллов дидейтерофосфата калия

Использование: в электронной технике при применении кристаллов ДКДР в качестве элементов пространственного модулятора света, в лазерном приборостроении. Сущность изобретения: кристаллы ДКДР нагревают поэтапно при 60 3, 80 + 3, 110 + 3, 130 + 3, и 150 + 3°С в течение 1 ч на каждом этапе со скоростью нагрева и охлаждения, равной 0,5 - 1,5 град/мин. На последнем этапе при 150 + 3°С проводят...

2032777

Способ уменьшения воды в пьезоэлектрических кристаллических элементах gapo4 и устройство для его осуществления

Изобретение относится к способам уменьшения содержания воды в пьезоэлектрических кристалических элементах GaPO4. Для этого предлагают, чтобы пьезоэлектрические кристаллические элементы GaPO4 приводились в контакт с водопоглощающим раствором (P) до тех пор, пока при длине волны в области 2,9 мкм не будет достигнут коэффициент инфракрасного излучения < 1,5 см-1. В качестве Р используют...

2060306

Устройство для выращивания профилированных кристаллов из раствора

Изобретение относится к выращиванию кристаллов из водных растворов и может быть использовано для скоростного выращивания монокристаллов заданной формы и кристаллографической ориентации, например, кристаллов группы КДР. Сущность изобретения: ростовая камера, установленная на штанге внутри кристаллизатора с раствором соли, выполнена так, что внутренние размеры ее продольных стенок, параллел...

2133307

Устройство для выращивания кристаллов группы кдр

Изобретение относится к технике для выращивания кристаллов из водных растворов и может быть использовано для получения кристаллических заготовок оптических элементов, например, для нелинейной оптики. Сущность изобретения: в кристаллизационный сосуд с рабочим раствором соответствующей соли введены две скрепленные между собой на расстоянии, определяемом требуемой толщиной кристалла, платфор...

2136789

Способ выращивания кристаллов кальцийфосфатов

Способ выращивания кристаллов кальцийфосфатов относится к области биомедицины и может быть использован в травматологии, ортопедии, стоматологии, клеточной инженерии, фармакологии. Сущность способа заключается в выращивании кристаллов при 37°С, рН 5-7. Новизна способа состоит в том, что процесс ведут 30-40 дней в сбалансированном солевом растворе, дополнительно содержащем насыщенный раство...

2156325

Кристаллизатор для выращивания кристаллов из пересыщенного раствора

Изобретение относится к технике, связанной с выращиванием кристаллов из пересыщенных растворов типа КДР, ДКДР, ТГС и т.п. Сущность изобретения: предложен кристаллизатор, состоящий из термостата, емкости для выращивания кристалла, внутри которой размещен кристаллоносец, причем конструкция кристаллоносца, снабженная системой определенным образом выполненных каналов, позволяет выращивать без...

2165486

Устройство для скоростного выращивания профилированных и ориентированных моносекториальных кристаллов группы кдр из раствора

Изобретение относится к выращиванию кристаллов с заданными формой и кристаллографической ориентацией из водных растворов. Сущность изобретения: герметичный кристаллизатор, содержащий ростовую камеру и погружной центробежный насос, заполнен рабочим раствором соли полностью. Внутренние поверхности крышки кристаллизатора и платформы выполнены в виде общего усеченного конуса, а центральная ча...

2176000

C30B29/14 - фосфаты

Патенты в этой категории