C30B30/02 - с использованием электрических полей, например электролиза

Способ получения искусственного алмаза

Изобретение может быть использовано в химической, инструментальной промышленности, а также в приборостроении. В способе получения искусственного алмаза воздействуют на углеродсодержащий образец давлением и температурой, которые создаются при пропускании импульса электрического тока по проводнику, расположенному внутри образца, в образец помещают дополнительно проводники, которые размещают...

2199381

Способ получения эпитаксиальных пленок растворов (sic) 1-x(aln)x

Изобретение относится к области технологии получения многокомпонентных полупроводниковых материалов и может быть использовано в электронной промышленности для получения полупроводникового материала - твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x для создания на его основе приборов твердотельной силовой и оптоэлектроники, для получения буферных слоев (SiC)1-x(AlN)x при выращивании кристаллов нитрида алюминия (A...

2333300

Способ выращивания легированных кристаллов ниобата лития состава, близкого к стехиометрическому, и устройство для его реализации

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов методом Чохральского. Выращивание легированных кристаллов ниобата лития состава, близкого к стехиометрическому, осуществляют на затравочный кристалл из расплава шихты ниобата лития конгруэнтного состава с отношением Li/Nb, равным 0,938-0,946, и содержащим 9-13 мол. % K2O и 0,5-2,5 мол. % MgO или ZnO, в условиях приложенного электричес...

2367730

Способ формирования пленок фотонных кристаллов (фк) на проводящих подложках

Изобретение относится к области получения пленок фотонных кристаллов. Формирование пленок фотонных кристаллов осуществляют путем осаждения монодисперсных микросфер коллоидных частиц из суспензии на расположенные вертикально в ней проводящие подложки, при этом в качестве монодисперсных микросфер используют коллоидные частицы из полистирола, полиметилметакрилата или оксида кремния, а осаждение осу...

2371525

Способ получения поликристаллического кремния

Изобретение может быть использовано в производстве полупроводниковых материалов, солнечных элементов и микроэлектронике. Кремний осаждают на предварительно нагретые высокочастотным током подложки из чистого кремния. Изобретение позволяет получать кремний высокой чистоты. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

2409518

Способ формирования слоя поликристаллического кремния на стержневой основе

Изобретение относится к хлорсилановой технологии получения поликристаллического кремния и может быть использовано в производстве полупроводниковых материалов и электронных приборов. Способ осуществляют в реакторе путем водородного восстановления смеси хлорсиланов с термическим разложением силана и осаждения до необходимой толщины слоя поликристаллического кремния на нагретую до 1100-1200°С стержн...

2428525

Способ пиролитического выращивания нанокристаллических слоев графита

Изобретение относится к области получения монокристаллических слоистых пленок графита на полупроводниковых подложках, представляющих интерес для использования в производстве приборов оптоэлектроники. Сущность способа состоит в том, что проводят термическое разложение метана на полированной пластине кремния при давлении 10-30 Торр и температуре 1200-1350°С. Нагрев осуществляется пропусканием элект...

2429315

Способ получения наноалмазов

Изобретение относится к области получения наноалмазов, представляющих интерес для использования в послеоперационной поддерживающей терапии. Сущность способа состоит в том, что проводят термическое разложение метана на полированных пластинах кремния при давлении 50-100 Торр и температуре 1050-1150°С. Нагрев осуществляется пропусканием электрического тока через 2 параллельные пластины из конструкци...

2465376

Способ получения наноструктурированных массивов кристаллов оксида цинка

Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения и может быть использовано для получения отдельных кристаллов и массивов оксида цинка для применения в качестве активных элементов, материала для фотокаталитической очистки сред, пьезоэлектрических датчиков, а также для фундаментальных исследований кинетики роста кристаллов. Способ характеризуется тем, что латунную мишень, покрыту...

2478740

Способ прямого получения поликристаллического кремния из природного кварца и из его особо чистых концентратов

Изобретение относится к технологии получения чистых веществ, используемых в отраслях высоких технологий: полупроводниковой, солнечной энергетики, волоконно-оптической связи. Способ получения поликристаллического кремния осуществляют путем плазмохимического пиролиза частиц исходного кварцевого сырья в проточном реакторе в потоке плазмы инертного газа - аргона и водорода, при этом в качестве исход...

2516512

Способ получения наноалмазов при пиролизе метана в электрическом поле

Изобретение может быть использовано в медицине при производстве препаратов для послеоперационной поддерживающей терапии. Проводят термическое разложение метана в герметичной камере на подложках из кремния или никеля при давлении 10-30 Торр и температуре 1050-1150 °С. Нагрев осуществляют пропусканием электрического тока через пластину из углеродной фольги, ткани, войлока или конструкционного граф...

2521581

Способ получения искусственных алмазов из графита

Изобретение относится к технологии получения алмазов. Искусственные алмазы получают из графита на подложке в присутствии электродов путем расположения графита на подложке, являющейся электродом с отрицательным зарядом, расположенной в кварцевой пробирке, и при нагреве до 1000°C при атмосферном давлении в радиационной печи. Другой электрод, положительно заряженный, размещают на внешней стороне пр...

2560380

Способ увеличения размеров алмазов

Изобретение относится к области получения синтетических алмазов и может быть использовано в качестве детекторов ядерного излучения в счетчиках быстрых частиц, а также в ювелирном деле. Способ включает осаждение углерода на затравочные кристаллы алмазов при их нагреве в вакууме, при этом затравочные кристаллы предварительно фиксируют на поверхности полированной пластины монокристаллического кремн...

2585634

Способ формирования цветного декоративного покрытия с помощью анодирования

Изобретение относится к технологии получения декоративных покрытий при окраске металлических изделий в различные цвета и создания высокотехнологичных оптоэлектронных устройств с применением элементов, способных отражать или пропускать свет с определенной настраиваемой длиной волны. Способ получения декоративного покрытия с изменяющимся цветом при изменении угла наблюдения заключается в формирован...

2620801

Способ сращивания изделий из поликристаллических алмазов в свч-плазме

Изобретение относится к способам получения монолитных соединений стержней из поликристаллических алмазов, предназначенных для использования в производстве приборов электроники, оптики, СВЧ-техники, в частности для изготовления диэлектрических опор в лампах бегущей волны (ЛБВ), использующих низкий коэффициент поглощения на частотах генерации. Способ сращивания компонентов из поликристаллических CVD...

2635612

Способ получения нанокристаллического порошка оксикарбида молибдена

Изобретение относится к химической технологии получения оксикарбида молибдена и может быть использовано в углекислотной конверсии природного газа в качестве катализатора. Способ получения нанокристаллического порошка оксикарбида молибдена включает испарение кислородсодержащего соединения молибдена при высокой температуре в атмосфере, содержащей инертный газ, с последующей конденсацией при охлажден...

2641737

Способ формирования сверхлегированного серой микроструктурированного кристаллического слоя на поверхности кремния

Настоящее изобретение относится к способу формирования сильнолегированного серой микроструктурированного кристаллического слоя на поверхности кремния, который может быть использован в солнечной энергетике, оптоэлектронике, приборах ночного и тепловидения. Способ заключается в размещении поверхности кремния под химически активной жидкой средой серосодержащего соединения и облучении поверхности крем...

2646644

Способ управления способностью растворов солей к нуклеации при кристаллизации

Изобретение относится к технологическим процессам, касающимся выделения из растворов солей в виде кристаллической массы, и предназначено для нереагентного изменения способности кристаллогидратов металлов регулировать инициирование зародышей и таким образом управлять числом зародышей и размерами выделяющихся кристаллов.. Способ направленного изменения способности растворов кристаллогидратов сульфат...

2651006

Способ получения мелкокристаллического корунда

Изобретение относится к производству абразивных тугоплавких материалов, в частности к получению порошка - оксида алюминия (корунда), и может быть использовано в металлообрабатывающей, машиностроительной, химико-металлургической промышленности. Отходы электротехнической алюминиевой проволоки, содержащие не менее 99,5% алюминия (ГОСТ 14838-78), подвергают электроэрозионному диспергированию в дистилл...

2664149

C30B30/02 - с использованием электрических полей, например электролиза

Патенты в этой категории