PatentDB.ru — поиск по патентным документам

САНИО ЭЛЕКТРИК КО., ЛТД. (JP)

САНИО ЭЛЕКТРИК КО., ЛТД. (JP) является правообладателем следующих патентов:

Контур дискретного считывания (варианты)

Контур дискретного считывания (варианты)

Изобретение относится к контуру дискретного считывания аналогового сигнала, именуемого семплирующим контуром. Технический результат заключается в повышении точности за счет уменьшения влияния шумовых компонентов. Если конденсатор (С), используемый в семплирующем контуре для семплирования напряжения, периодически заряжается в повторяющиеся периоды семплирования, процесс заряда конденсатора не дости...

2297052

Способ и устройство передачи сигналов

Способ и устройство передачи сигналов

Изобретение относится к технике связи. Технический результат состоит в обеспечении изменения формата преамбулы и эффективности использования пакета данных. Для этого в блоке хранения хранится сигнал преамбулы, заданный в традиционной системе, и сигнал преамбулы, заданный в системе MIMO. Блок мониторинга в передающем устройстве отслеживает наличие любого устройства связи, которое несовместимо с си...

2383998

Кондиционер потолочного типа (варианты) и его внутренний блок (варианты)

Кондиционер потолочного типа (варианты) и его внутренний блок (варианты)

Кондиционер и его блок предназначены для создания комфортных условий в различных помещениях. Кондиционер содержит кронштейны для его подвешивания и внутренний блок, включающий в себя корпус в виде короба, имеющий верхнюю пластину, боковые пластины и открытую область, выполненную в нижней части этого корпуса, лицевую панель, установленную с возможностью снятия в открытой области корпуса, теплообме...

2387930

Полупроводниковое устройство

Полупроводниковое устройство

Изобретение относится к полупроводниковому устройству, снабженному многослойной структурой межсоединений. Сущность изобретения: полупроводниковое устройство содержит полупроводниковую подложку, слой межсоединений, расположенный на полупроводниковой подложке, межслойную изоляционную пленку и проводящий слой, которые расположены на слое межсоединений так, что проводящий слой образует сотовую структ...

2447540