Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)

При определении качества фотовольтаического перехода освещают p-n переход монохроматическим светом с длиной волны λ, определяемой соотношением:, мкм, где Eg - ширина запрещенной зоны полупроводника, эВ; Eg,top - ширина запрещенной зоны полупроводника (z-1)-го p-n перехода в солнечном элементе (z - порядкой номер, отсчитываемый от освещаемой поверхности, p-n перехода, у которого определяют его к...

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям и материалам, используемым в термоэлектрических элементах (ТЭЭ) и термоэлектрических батареях (ТЭБ). Технический результат: повышение кпд. Сущность: термоэлектрческий элемент состоит из основного материала, имеющего протяженные параллельные углубления в виде канавок, дополнительного материала, расположенного...

Изобретение относится к солнечной энергетике и может найти применение как в солнечных электростанциях, так и в качестве энергетической установки индивидуального пользования. Солнечная фотоэнергетическая установка включает солнечную батарею (1), размещенную на механической системе (2). Солнечная батарея состоит из отдельных одинаковых модулей (3) с панелью (6) гелиоконцентраторов и панелью (7) фо...

Изобретение относится к области солнечной энергетики, и в частности к фотоэнергетическим установкам, и может найти применение в солнечных электростанциях для преобразования солнечной энергии в электрическую, а также может быть использовано в качестве энергетической установки индивидуального пользования. Установка для ориентации фотоэлектрической батареи на Солнце содержит платформу, на которой р...

При изготовлении фотопреобразователя на подложке германия n-типа выращивают пассивирующий слой GaAs методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии при быстром охлаждении раствора-расплава. Наносят на лицевую поверхность подложки диэлектрическую пленку. Создают химическим травлением окна в диэлектрической пленке, соответствующие топологии р-n перехода. Легируют диффузией цинка из газовой фазы в...

При изготовлении фотоэлектрического элемента на основе германия наносят на лицевую поверхность подложки из монокристаллического германия n-типа диэлектрическую пленку. Создают химическим травлением окна в диэлектрической пленке, соответствующие топологии p-n перехода. Легируют диффузией цинка из газовой фазы в квазизамкнутом контейнере в окна поверхностный слой германия. Удаляют на тыльной сторо...

Изобретение относится к способам, осуществляющим определение пространственного положения и энергии релятивистских частиц, потоков ионизирующего излучения и светового излучения. Способ определения координат заряженных частиц включает размещение на пути заряженных частиц регистрирующей матрицы, составленной из N·N регулярно расположенных элементов. Каждый элемент выполнен из трех типов люминофоров...

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к устройствам, позволяющим имитировать реальное солнечное излучение искусственными источниками света. Имитатор содержит расположенные последовательно на одной оптической оси светодиод, излучающий в диапазоне длин волн 650±20 нм и соединенный световодом с первым светофильтром, поглощающим свет с длиной волны меньше 620 нм, импульсную ксено...

Двухсекционный лазер на основе соединений AlGaAs/GaAs включает ограниченную двумя зеркалами подложку GaAs n-типа, на которой расположены поглощающая и усиливающая секции. Секции изолированы друг от друга зазором из полупроводникового материала с имплантированными в него тяжелыми ионами. Каждая секция содержит последовательно расположенные на упомянутой подложке буферный слой GaAs n-типа, переходн...

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для бесконтактного неразрушающего контроля качества чипов полупроводниковых фотопреобразователей. Способ тестирования чипов каскадных фотопреобразователей на основе соединений Al-Ga-In-As-P включает облучение участка поверхности тестируемого чипа лазерным излучением с длиной волны (0,40-0,55) мкм, направление возникающего в необлученно...

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к имитаторам солнечного излучения на основе импульсных газоразрядных ламп для измерения световых вольтамперных характеристик и других фотоэлектрических параметров солнечных фотоэлементов и фотоэлектрических модулей с концентраторами излучения. Устройство содержит: осветительное устройство, включающее оптическую систему и лампу-вспышку; кон...

Изобретение относится к нанотехнологиям. Наноалмаз помещают в установку для отжига, пропускают водород и выдерживают при температуре, выбранной из интервала (900÷1100)°С. Охлаждают до комнатной температуры. Снимают рентгеновскую дифрактограмму. Дополнительно проводят регистрацию спектра электронного парамагнитного резонанаса (ЭПР) при комнатной температуре. Идентифицируют наличие металлических фа...

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: в способе формирования многослойного омического контакта фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия электронной проводимости формируют фотолитографией топологию фоточувствительных областей и проводят травление поверхности структуры фотоэлектрического преобразователя. Затем последовательно напыляют на протравленную п...

Способ изготовления чипов фотоэлектрических преобразователей заключается в нанесении сплошного металлического омического контакта на тыльную поверхность структуры и локального металлического омического контакта на фронтальную поверхность многослойной полупроводниковой пластины со структурой n-Ge подложка, p-Al0,5GaAs и p-Al0,8GaAs эмиттер, p+-GaAs контактный слой, разделении структуры на чипы, па...

Способ изготовления солнечных элементов заключается в создании верхнего солнечного элемента на основе многослойной полупроводниковой пластины GaInP/Ga(In)As/Ge, частичного локального травления германиевой подложки с тыльной стороны, под светочувствительной областью полупроводниковой пластины, или полного стравливания германиевой подложки верхнего солнечного элемента и механической стыковки с нижн...

Использование: для калибровки спектрометра электронного парамагнитного резонанса. Сущность: заключается в том, что размещают в измерительном резонаторе калибровочный образец, дающий анизотропный спектр (ЭПР), выполненный из монокристалла рутила ТiO2, содержащего ионы Fe3+ в количестве 0,01-0,5 мас.%, вращают калибровочный образец в магнитном поле до появления анизотропного спектра ЭПР ионов Fe3+,...

Фотоэлектрический модуль (1) содержит боковые стенки (2), фронтальную панель (3) с линзами (4) Френеля на ее внутренней стороне, светопрозрачную тыльную панель (5) и солнечные элементы (6). Солнечные элементы (6) снабжены теплоотводящими основаниями (7) и установлены в центрах отверстий (8) планок (9), параллельных друг другу и выполненных из диэлектрического материала с двусторонним металлически...

Изобретение относится к технике спектроскопии электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) при исследованиях наноструктур методом ЭПР. Техническим результатом заявленного изобретения является повышение чувствительности регистрации спектров ЭПР мелких доноров в полупроводниковых нанокристаллах. Способ определения размеров полупроводниковых наночастиц включает предварительное построение градуировочн...

Изобретение относится к полупроводниковой технике, квантовой оптоэлектронике и может быть использовано для разработки мощных когерентных импульсных источников излучения на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур. Сущность изобретения: туннельно-связанная полупроводниковая гетероструктура включает подложку (1) GaAs n-типа проводимости, на которую последовательно нанесены буферный слой...

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. Устройство включает фотоприемник - мультискан, содержащий набор встречно включенных р-n переходов, делительную и общую шины, оптическую систему для формирования на поверхности фотоприемника - мультискана светового пятна от источника излучения, преобразователь ток - напряжение, соединенный с общей шиной мультискана, регистрирующее устройств...

Изобретение может быть использовано для измерения положения одиночного светового пятна в устройствах, предназначенных для определения координат различных объектов, контроля смещения объектов в пространстве, измерения их размеров и т.п. Координатно-чувствительный датчик мультискан представляет собой кремниевую с диэлектрической изоляцией структуру, состоящую из общей кремниевой подложки, на которо...

Концентраторный солнечный элемент (8) выполнен в форме в форме прямоугольника с соотношением длин сторон, находящимся в интервале от 1 до 1,5. Он содержит подложку (3), многослойную структуру (4), сформированную на подложке (3), с центральной фоточувствительной областью (12), контактный слой (9), сплошной нижний электрод (2) и верхний электрод в виде контактной сетки, содержащей по меньшей мере о...

Изобретение относится к технике спектроскопии электронного парамагнитного резонанса (ЭПР). Спектрометр ЭПР содержит генератор (1) сверхвысокочастотного (СВЧ) диапазона 90-100 ГГц, микроволновый мост (20), систему транспортировки микроволновой мощности на образец в виде последовательно установленных первого 3 мм волновода (2), первой рупорной антенны (3), по меньшей мере одной диэлектрической линз...

Изобретение относится к технике спектроскопии электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) и может найти применение при исследованиях конденсированных материалов и наноструктур методом ЭПР в физике, химии, биологии и др. областях. Первый вариант спектрометра ЭПР содержит генератор (1) фиксированной частоты, генератор (11) переменной частоты, первый делитель (2) мощности, второй делитель (12) мощно...

Изобретение относится к электронной технике и может найти применение в качестве источников электронных потоков в лучевых приборах. Способ изготовления многоострийного эмиссионного катода включает облучение диэлектрической полимерной пленки ускоренными тяжелыми ионами с энергией, достаточной для создания сквозных латентных треков сквозь пленку. Проводят облучение пленки со стороны, облученной уско...

Система фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения относится к солнечной энергетике. Система содержит оптическую систему, разделяющую излучение солнечного спектра на четыре световых потока с разными спектральными диапазонами, и четыре фотоэлектрических преобразователя (27)-(30) с одиночным р-n-переходом. Фотоэлектрические преобразователи (27)-(30) расположены рядом друг с другом и эл...

Изобретение относится к способу изготовления каталитического материала для топливного элемента. Согласно изобретению способ изготовления каталитического материала для топливного элемента включает одновременное напыление графита и платины на подложку, снятие полученного композитного слоя с подложки в виде порошка, смешивание его с углеродными нанотрубками в массовом соотношении 1:(1-2), добавление...

Способ включает изготовление негативных матриц линз Френеля с квадратной апертурой из металлических заготовок, покрытых слоем электролитической меди толщиной 0,5÷3,0 мм, методом алмазного точения медного покрытия. На рабочую поверхность негативных матриц осаждают слой хрома толщиной 0,02÷0,1 мкм и соединяют матрицы торцами в сборку в виде панели. Изготавливают промежуточную позитивную копию панел...

Способ предназначен для получения кристаллических порошков субмикронных размеров. Дробление исходного порошка проводят в герметизированной шаровой мельнице в атмосфере гелия при его давлении, превышающем атмосферное. Измельченный в мельнице порошок подвергают дополнительному кратковременному дроблению на воздухе ультразвуком для уменьшения дисперсности и стабилизации размеров его частиц. Способ п...

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способ изготовления наноструктурного омического контакта проводят предварительную очистку поверхности GaSb р-типа проводимости ионно-плазменным травлением на глубину 5-30 нм с последующим последовательным напылением магнетронным распылением адгезионного слоя титана толщиной 5-30 нм и барьерного сло...

Концентраторный фотоэлектрический модуль на основе наногетероструктурных солнечных элементов относится к области фотоэлектрического преобразования энергии, в частности к системам с расщеплением солнечного спектра. Модуль содержит корпус (1), имеющий фронтальную панель (2), содержащую концентрирующую линзу (3) Френеля, боковые стенки (5) и тыльные стенки (6), расположенные под углом 45° к плоскост...

Изобретение относится к области создания полупроводниковых приборов, чувствительных к излучению, и может использоваться в технологиях по изготовлению омических контактных систем к фотоэлектрическим преобразователям (ФЭП) с высокими эксплуатационными характеристиками, и, в частности, изобретение относится к формированию контактов к слоям GaAs n-типа проводимости, являющимся фронтальными слоями ряд...

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым частотно-перестраиваемым источникам инфракрасного (ИК) излучения на основе лазера с дисковым резонатором, работающего на модах шепчущей галереи (Whispering Gallery Modes-WGM). Такие источники ИК излучения могут применяться в спектрометрии, медицине, оптических системах связи и передачи информации, в оптических сверхскор...

Изобретение относится к технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов, точнее к технологии изготовления биполярных мощных кремниевых высоковольтных диодов, транзисторов и тиристоров. Сущность изобретения: в способе изготовления мощных высоковольтных кремниевых приборов, включающем создание полупроводниковой структуры, содержащей блокирующий p+N-переход, путем термодиффузии в кремний N...

Изобретение относится к области солнечной энергетики. Фотовольтаический концентраторный модуль содержит первичный оптический концентратор в виде линзы Френеля и вторичный оптический концентратор с суммарным фокусным расстоянием F. Оптическая ось концентраторов проходит через центр фотоактивной области фотоэлемента, выполненной в виде круга диаметром d (мм). Вторичный оптический концентратор устан...

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу получения чипов солнечных фотоэлементов, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Способ получения чипов концентраторных солнечных фотоэлементов включает выращивание фоточувствительной многослойной полупроводниковой структуры на германиевой подложке, последователь...

Способ изготовления солнечного фотоэлектрического преобразователя включает нанесение на периферийную область подложки из n-GaSb диэлектрической маски и формирование на участках фронтальной поверхности подложки, не защищенных диэлектрической маской, высоколегированного слоя р-типа проводимости диффузией цинка из газовой фазы при температуре 450-490°С. Затем удаляют с тыльной стороны подложки образ...

Изобретение относится к устройствам преобразования световой энергии в электрическую и может быть использовано как в концентраторных фотоэлектрических модульных установках, так и в космических солнечных батареях. Сущность изобретения: многопереходный фотопреобразователь содержит полупроводниковую подложку и включает, по меньшей мере, два полупроводниковых p-n-перехода, состоящих, по меньшей мере,...

Солнечный фотоэлектрический субмодуль содержит концентратор солнечного излучения и фотоэлемент с контактными полосками на фронтальной фоточувствительной поверхности фотоэлемента. Контактные полоски имеют в поперечном сечении вид трапеции с большим тыльным основанием, прилегающим к фронтальной поверхности фотоэлемента, боковые поверхности контактных полосок выполнены зеркальными. Ширина W1 тыльног...

Лазер на основе гетероструктуры содержит волноводный слой, заключенный между широкозонными эмиттерами p- и n-типа проводимости, являющимися одновременно ограничительными слоями, активную область, состоящую из квантово-размерного активного слоя, оптический Фабри-Перо резонатор и полосковый омический контакт, под которым расположена область инжекции. В волноводный слой вне области инжекции введена...

Лазер на основе гетероструктуры включает волноводный слой, заключенный между широкозонными эмиттерами р- и n-типа проводимости, являющимися одновременно ограничительными слоями, активную область, состоящую из квантово-размерного активного слоя, оптический Фабри-Перо резонатор и полосковый омический контакт, под которым расположена область инжекции. В волноводном слое вне области инжекции выполнен...

Изобретение относится к области физико-химических процессов обработки неорганических материалов. Порошок детонационных наноалмазов обрабатывают галогеноводородной кислотой при температуре 50-130°С в течение 1-10 часов при одновременном ультразвуковом воздействии. Обработанный порошок промывают в деионизованной воде, сушат, отжигают на воздухе при температуре 400-450°С в течение 1-6 часов. После у...

Изобретение может быть использовано в магнитометрии, квантовой оптике, биомедицине, информационных технологиях. Очищенные детонационные наноалмазы спекают в камере при давлении 5-7 ГПа и температуре 750-1200°C в течение времени от нескольких секунд до нескольких минут. На полученный порошок алмазных агрегатов воздействуют излучением лазера с длиной волны менее 637 нм и отбирают алмазные агрегаты...

Изобретение относится к области электровакуумной электронной техники. Фотокатод включает диэлектрическую или полупроводниковую подложку, на которую нанесен слой эмитирующего фотоэлектроны полупроводника n-типа проводимости с шириной запрещенной зоны Eg1. На поверхности слоя полупроводника выращены квантовые точки из полупроводника n-типа проводимости с шириной запрещенной зоны подложки Eg2, декор...

Полупроводниковый источник инфракрасного излучения включает полупроводниковую подложку (1) с двумя оптически связанными и геометрически разнесенными дисковыми резонаторами (2) или кольцевыми резонаторами (10) в виде гетероструктур. На поверхность полупроводниковой подложки (1) противолежащую поверхности с дисковыми резонаторами (2) или кольцевыми резонаторами (10), нанесен первый омический контак...