Инжекционный лазер

Инжекционный лазер

Иллюстрации

Показать все

Реферат

Настоящее изобретение относится к квантовой электронной технике, а точнее к мощным полупроводниковым лазерам.

Мощные полупроводниковые лазеры находят широкое применение во многих отраслях науки и техники, например, используются в качестве источника оптического излучения для накачки волоконных усилителей, волоконных и твердотельных лазеров. Это требует, чтобы полупроводниковый лазер сочетал в себе максимальные КПД и мощность излучения. Разработка новых подходов к конструированию мощных полупроводниковых лазеров позволила существенно улучшить оптические параметры гетероструктур. Для современных полупроводниковых лазеров внутренние оптические потери составляют величину менее 1 см^-1 при внутреннем квантовом выходе, близком к 100%. Высокое оптическое совершенство лазерных гетероструктур и низкие оптические потери позволяют достигать непрерывных и импульсных уровней возбуждения несколько десятков ампер. Следствием таких изменений характеристик лазерных гетероструктур и уровней возбуждения является появление новых эффектов, ряд из которых ведет к насыщению ватт-амперной характеристики и падению максимальной выходной мощности излучения.

Известен инжекционный лазер (патент US 7332744, МПК H01L 29/24, опубликован 19.02.2008), в котором слой, ограничивающий ток, включает неокисленную область на основе AlAs или аналогичного материала, подходящего для создания области токовой инжекции в активный слой, и окисленную область, изготовленную на основе оксида алюминия, соответствующую области, в которой нет инжекционного тока. Окисленная область изготовлена на основе неокисленного AlAs или похожих материалов, часть которого окисляется при температуре от 240°С до 375°С. Толщину окисленной области предпочтительнее выбирают от 10 до 1000 нм. Ширина одной стороны окисленной области равна или больше ширины неокисленной области. Расстояние между ограничивающими ток слоями и активным слоем составляет 50 нм или больше или 500 нм или меньше и более предпочтительно 180 нм или больше.

К недостатку предлагаемого инжекционного лазера относится отсутствие технических решений для подавления генерации замкнутой моды. В результате выходная оптическая мощность при лазерной генерации не достигает максимально возможных значений.

Известен инжекционный лазер (см. патент RU №2230410, МПК H01S 5/042, опубликован 10.06.2004), включающий лазерную гетероструктуру с волноводными слоями, в одном из ограничительных слоев которой расположены рельефные структуры, по меньшей мере, часть мезаполоски и пассивные области с основаниями вблизи границы ограничительного слоя, ближайшей к активной области. По меньшей мере, часть основания каждой пассивной области является рельефной структурой, примыкающей к мезаполоске, имеющей в направлении, перпендикулярном продольной оси резонатора, протяженность, превышающую расстояние, обеспечивающее рассеяние излучения, распространяющегося в упомянутом направлении, перпендикулярном продольной оси резонатора. Каждая рельефная структура имеет амплитуду не менее 0,1 мкм и отдалена от упомянутой границы ограничительного слоя на расстояние, не превышающее 0,5 мкм.

Известный лазер имеет увеличенную выходную мощность излучения, суженную и улучшенную пространственную диаграмму выходного излучения в плоскости p-n-перехода до одномодовой, улучшенный спектр излучения до одночастотного, а также стабильные параметры ввиду увеличения эффективности поглощения нежелательных мод высокого порядка и кольцевых, оптимизации величины бокового оптического ограничения.

Однако известный инжекционный лазер не решает задачи увеличения оптической мощности, так как лазерные гетероструктуры с низкими внутренними оптическими потерями характеризуются близкой к 100% локализацией поля лазерной моды в волноводных слоях. В этом случае любые периодические структуры, сформированные в любых ограничительных слоях, становятся неэффективными, т.к. поле лазерной моды с ними не перекрывается.

Известен инжекционный лазер (см. №2230411, МПК H01S 5/034, опубликован 10.06.2004), включающий гетероструктуру, содержащую активный слой, по меньшей мере волноводные слои, ограничительные слои, размещенные с двух сторон от него, а также мезаполоску гребневидного волновода, сформированную со стороны p-типа гетероструктуры, с основанием, расположенным в ограничительном слое, размещенном с той же стороны активного слоя. Ограничительный слой со стороны p-типа гетероструктуры сформирован по меньшей мере из двух подслоев, имеющих один и тот же состав. Ограничительный первый подслой, граничащий с волноводным слоем, или не легирован, или имеет концентрацию p-типа не более 3·10¹⁷ см^-3. Граничащий с первым последующий ограничительный подслой имеет концентрацию p-типа более 3·10¹⁷ см^-3, мезаполоска гребневидного волновода сформирована двухъярусной. Первый ярус соосно расположен на дополнительно введенном в ограничительный первый подслой втором ярусе мезаполоски, имеющем ширину, превышающую ширину первого яруса мезаполоски в 1,5-4 раза.

В известном лазере обеспечено снижение последовательного сопротивления лазера при минимальном профиле растекания, а также стабилизация одномодового режима генерации.

Недостатком известного лазера является наличие оптической связи с областями, боковыми относительно мезаполоски. Отсутствие дополнительных технических решений, увеличивающих внутренние оптические потери в боковых областях, ведет к выполнению пороговых условий генерации замкнутых мод и снижению выходной оптической мощности.

Наиболее близким по технической сущности и по совокупности существенных признаков является инжекционный лазер (см. патент RU №2259620, МПК H01S 5/32, опубликован 27.08.2005). Инжекционный лазер-прототип содержит гетероструктуру раздельного ограничения, включающую многомодовый волновод, ограничительные слои которого одновременно являются эмиттерами p- и n-типа проводимости с одинаковыми показателями преломления, активную область, состоящую из, по меньшей мере, одного квантово-размерного активного слоя, расположение которой в волноводе и толщина волновода удовлетворяют соотношению

где и - факторы оптического ограничения для активной области нулевой моды и моды m (m=1, 2, 3…) соответственно. Инжекционный лазер содержит также отражатели, оптические грани, омические контакты и оптический резонатор. Активная область размещена в дополнительном слое, показатель преломления которого больше показателя преломления волновода, а толщина и расположение в волноводе определяются из условия выполнения упомянутого соотношения, причем расстояния от активной области до p- и n-эмиттеров не превышают длин диффузии дырок и электронов в волноводе соответственно.

Известный инжекционный лазер имеет небольшую расходимость излучения при сохранении высокого значения КПД и выходной мощности излучения.

Недостатком известного лазера является наличие оптической связи с областями, боковыми относительно мезаполоски. Отсутствие в инжекционном лазере-прототипе дополнительных технических решений, увеличивающих внутренние оптические потери в боковых областях, ведет к выполнению пороговых условий генерации замкнутых мод и снижению выходной оптической мощности.

Задачей заявляемого технического решения являлась разработка такой конструкции инжекционного лазера, который бы обеспечивал увеличение выходной оптической мощности как в непрерывном, так и в импульсном режимах токовой накачки, повышение временной стабильности выходной оптической мощности.

Поставленная задача решается тем, что инжекционный лазер на основе гетероструктуры включает волноводный слой, заключенный между широкозонными эмиттерами p- и n-типа проводимости, являющимися одновременно ограничительными слоями, активную область, состоящую из, по меньшей мере, одного квантово-размерного активного слоя, оптический Фабри-Перо резонатор и полосковый омический контакт, под которым расположена область инжекции. По меньшей мере, в волноводный слой вне области инжекции введена по меньшей мере одна область полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области. Фактор оптического ограничения ЗМ области упомянутого полупроводникового материала удовлетворяет соотношению:

где - значение составляющей фактора оптического ограничения Г_X для ЗМ во введенной области полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области, отн. ед.;

- значение составляющей фактора оптического ограничения Г_Y для ЗМ во введенной области полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области, отн. ед.;

- значение составляющей фактора оптического ограничения Г_Z для ЗМ во введенной области полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области, отн. ед.;

α_NB - оптические потери, связанные с межзонным поглощением излучения ЗМ во введенной области полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области, см^-1.

Расстояние между ближайшими границами области упомянутого полупроводникового материала и области инжекции может быть не меньше 10 мкм, а ширина области полупроводникового материала может быть не меньше 10 мкм.

Ширина запрещенной зоны области упомянутого полупроводникового материала может быть по меньшей мере на 20 мэВ меньше энергии фотонов на линии генерации инжекционного лазера.

Область упомянутого полупроводникового материала может быть выполнена в виде по меньшей мере одного квантово-размерного слоя или в виде по меньшей мере двух квантово-размерных слоев с отличающейся шириной запрещенной зоны.

Область упомянутого полупроводникового материала может быть выполнена в виде по меньшей мере двух квантово-размерных слоев с отличающейся шириной запрещенной зоны, разделенных слоем с большей шириной запрещенной зоны.

В каждую боковую часть инжекционного лазера может быть введено по меньшей мере по одной области упомянутого полупроводникового материала.

Продольный размер области упомянутого полупроводникового материала может быть меньше длины оптического Фабри-Перо резонатора.

Гетероструктура инжекционного лазера может быть выполнена в системе твердых растворов A³B⁵. гетероструктура.

По меньшей мере одна граница области упомянутого полупроводникового материала может быть не параллельна боковым естественносколотым граням, формирующим боковые ограничительные поверхности.

Область упомянутого полупроводникового материала в инжекционном лазере может быть выполнена легированной примесью n-типа проводимости, выбранной из группы: Si, Те, Ge, Sn, или их комбинацией.

Область упомянутого полупроводникового материала в инжекционном лазере может быть выполнена легированной примесью p-типа проводимости, выбранной из группы: С, S, Mg, Be, Zn, или их комбинацией.

Улучшение выходных характеристик заявляемого инжекционного лазера обеспечивается за счет подавления генерации ЗМ.

Заявляемый инжекционный лазер поясняется чертежами, где

на фиг.1 изображен известный инжекционный лазер с полосковым омическим контактом;

на фиг.2 показан заявляемый инжекционный лазер, в боковую часть которого введена область полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области;

на фиг.3 приведены качественные зависимости материального усиления в активной полоске (кривая 1) и потерь в пассивной области (кривая 2) от длины волны (λ_FP и λ_СМ - длины волн генерации соответственно ФПМ и ЗМ, и - материальное усиление соответственно ФПМ и ЗМ, и - потери на межзонное поглощение в пассивных областях соответственно для ФПМ и ЗМ);

на фиг.4 показана зависимость выходной оптической мощности, выходящей через грань с нанесенным просветляющим покрытием, от тока накачки для известного инжекционного лазера и заявляемого инжекционного лазера (кривая 7 - при непрерывном токе накачки, кривая 8 - при импульсном токе накачки для известного лазера; кривая 9 - при непрерывном токе накачки, кривая 10 - при импульсном токе накачки для заявляемого инжекционного лазера).

Известный инжекционный лазер (см. фиг.1) содержит волноводный слой 1, заключенный между широкозонным эмиттером 2 p-типа проводимости и широкозонным эмиттером 3 n-типа проводимости, активную область 4, состоящую из, по меньшей мере, одного квантово-размерного активного слоя, оптический Фабри-Перо резонатор, образованный естественносколотой гранью 5 с нанесенным просветляющим покрытием и гранью 6 с нанесенным отражающим покрытием, полосковый омический контакт 7, под которым расположена область 8 инжекции, включающая область 9 усиления (заштрихована наклонными непрерывными линиями), боковые естественносколотые грани, формирующие боковые ограничительные поверхности 10, подложку 11, боковые части инжекционного лазера (заштрихованы наклонными прерывистыми линиями) 12.

Заявляемый инжекционный лазер (см. фиг.2) содержит волноводный слой 1, заключенный между широкозонным эмиттером 2 p-типа проводимости и широкозонным эмиттером 3 n-типа проводимости, активную область 4, состоящую из, по меньшей мере, одного квантово-размерного активного слоя, оптический Фабри-Перо резонатор, образованный естественносколотой гранью 5 с нанесенным просветляющим покрытием и гранью 6 с нанесенным отражающим покрытием, полосковый омический контакт 7, под которым расположена область 8 инжекции, включающая область 9 усиления (заштрихована наклонными непрерывными линиями), боковые естественносколотые грани, формирующие боковые ограничительные поверхности 10, подложку 11, боковые части инжекционного лазера (заштрихованы наклонными прерывистыми линиями) 12, область 13 полупроводникового материала (заштрихована прямыми вертикальными линиями) с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области 4.

Улучшение выходных характеристик заявляемого инжекционного лазера обеспечивается за счет подавления генерации ЗМ. Для инжекционных лазеров характерна модовая структура излучения, которая рассчитывается с помощью волнового уравнения [Х.Кейси, М.Паниш. - Лазеры на гетероструктурах. - М.: Мир, 1981; L.A.Coldren, S.W.Corzine. - Diode lasers and photonic integrated circuits. (N.Y., John Wiley & Sons, 1995)]. Можно выделить два типа модовых структур. Первый - это моды Фабри-Перо резонатора (ФПМ). Для таких мод характерно распространение излучения вдоль оптической оси резонатора под углами к нормали относительно зеркал резонатора (естественносколотой грани 5 с нанесенным просветляющим покрытием и грани 6 с нанесенным отражающим покрытием), меньшими, чем угол полного внутреннего отражения. В результате для ФПМ характерны отличные от нуля потери на выход излучения из резонатора. Именно это излучение является полезным при использовании инжекционных лазеров как источников оптического излучения. Структуры мод Фабри-Перо резонатора определяют волноводы, сформированные волноводным и эмиттерными (ограничительными) слоями (1, 2, 3) гетероструктуры, полосковым омическим контактом 7 и зеркалами (5, 6) Фабри-Перо резонатора. Второй тип модовых структур - это ЗМ. Для таких мод характерно распространение излучения под углами к нормалям относительно зеркал (5, 6) резонатора и боковых ограничительных поверхностей 10, большими, чем угол полного внутреннего отражения. В результате для ЗМ характерны нулевые потери на выход излучения из резонатора. Структуры ЗМ определяют волноводы, сформированные волноводным и эмиттерными (ограничительными) слоями (1, 2, 3) гетероструктуры, полосковым омическим контактом 7, зеркалами (5, 6) Фабри-Перо резонатора и боковыми ограничительными поверхностями 10. Выполнение пороговых условий генерации для ФПМ или ЗМ определяет режим работы инжекционного лазера. Когда порог генерации выполнен только для ФПМ, достигается максимальная полезная выходная эффективность и соответственно выходная оптическая мощность растет. При выполнении пороговых условий генерации для ЗМ часть лазерного излучения не выходит наружу и остается внутри инжекционного лазера. Как следствие, происходит частичное или полное падение выходной оптической мощности и снижение эффективности. В инжекционном лазере порог генерации лазерных мод достигается при выполнении двух условий: равенство модального усиления суммарным оптическим потерям и наличие обратной связи. Первое условие выполняется за счет тока инжекции, протекающего через полосковый омический контакт 7 и создающего инверсную заселенность носителями заряда активной области 4 под полосковым омическим контактом 7. Таким образом, в активной области 4 под полосковым омическим контактом 7 созданы условия для усиления оптического излучения, и эта часть активной области 4 называется областью 9 усиления. Для боковых частей активной области 4 относительно полоскового омического контакта 7 условия для усиления не созданы, т.к. они электрически изолированы от тока инжекции. Однако остается оптическая связь между боковыми частями активной области 4 и областью 9 усиления через общий волноводный слой 1. Второе условие для инжекционных лазеров выполняется за счет резонатора, сформированного естественно сколотыми гранями. Естественно сколотые грани формируют два типа резонаторов: резонатор Фабри-Перо образован двумя зеркалами 5, 6 - параллельно сколотыми гранями, резонатор ЗМ образован четырьмя сколотыми гранями (гранями-зеркалами 5, 6 и ортогональными им гранями - боковыми ограничительными поверхностями 10), ограничивающими инжекционный лазер и получающимися при изготовлении инжекционного лазера путем раскалывания гетероструктуры. В общем виде пороговое условие генерации можно записать как [L.A.Coldren, S.W.Corzine. - Diode lasers and photonic integrated circuits. (N.Y., John Wiley & Sons, 1995)]:

где G_mod - модальное усиление, созданное инжектированными в активную область 4 носителями заряда, α_i - внутренние оптические потери в области 9 усиления, и α_out - потери, связанные с выходом лазерного излучения из резонатора. Модальное усиление выражается через материальное усиление (g_mat), рассчитываемое через концентрацию инжектированных в активную область 4 носителей заряда [L.A.Coldren, S.W.Corzine. - Diode lasers and photonic integrated circuits. (N.Y., John Wiley & Sons, 1995)], и фактор оптического ограничения моды (Г) в области 9 усиления:

В общем виде фактор оптического ограничения в области 9 усиления определяет долю энергии лазерной моды, приходящуюся на эту область, и выражается через электрическое поле моды инжекционного лазера E(x,y,z) [L.A.Coldren, S.W.Corzine. - Diode lasers and photonic integrated circuits. (N.Y., John Wiley& Sons, 1995)]

где V_g - объем области 9 усиления, Vm - объем инжекционного лазера. Поле моды описывается в виде произведения [L.A.Coldren, S.W.Corzine. - Diode lasers and photonic integrated circuits. (N.Y., John Wiley & Sons, 1995)]

Фактор оптического ограничения моды в области 9 усиления инжекционного лазера выражается через три независимые составляющие фактора оптического ограничения моды в области 9 усиления Г_X, Г_Y и Г_Z (см. фиг.1).

В инжекционном лазере с полосковым омическим контактом 7 ширина полоскового контакта (w) превышает длину волны генерации, а зеркала (5, 6) Фабри-Перо резонатора ограничивают область 9 усиления в направлении, параллельном оси резонатора. Это позволяет полю ФПМ быть полностью локализованным в области, ограниченной размерами полоскового омического контакта 7 и длинной резонатора. Это значит для ФПМ Г_Y=1 и Г_Z=1. Электромагнитные волны ФПМ распространяются вдоль оси Фабри-Перо резонатора под углами, меньшими, чем угол полного внутреннего отражения относительно нормали к зеркалам (5, 6) Фабри-Перо резонатора, и характеризуются потерями на выход излучения из резонатора α_out. Составляющая фактора оптического ограничения Г_X одинакова для ЗМ и ФПМ и зависит от конструкции лазерной гетероструктуры: состава и толщины волноводного и ограничительных слоев (1, 2, 3), а также толщины активной области 4. Для лазерных гетероструктур Г_X является фактором оптического ограничения моды поперечного волновода в активной области 4 - Г_QW. Тогда пороговое условие генерации (1) для ФПМ может быть переписано как

где - материальное усиление на длине волны генерации ФПМ;

- потери на выход ФПМ;

α_i - внутренние оптические потери, связанные с поглощением на свободных носителях заряда.

Чтобы определить пороговое условие для ЗМ, необходимо оценить условия ее распространения в инжекционном лазере. В отличие от ФПМ, электромагнитные волны ЗМ распространяются под углами, большими, чем угол полного внутреннего отражения, относительно нормали к боковым ограничительным поверхностям 10 и зеркалам (5, 6) Фабри-Перо резонатора. Для ЗМ характерны нулевые потери на выход излучения из резонатора. В [С.О.Слипченко, Д.А.Винокуров, А.В.Лютецкий, Н.А.Пихтин, А.Л.Станкевич, Н.В.Фетисова, А.Д.Бондарев, И.С.Тарасов. - ФТП, 43, 1409 (2009)] экспериментально показано, что в отличие от ФПМ, ЗМ захватывает весь объем инжекционного лазера, включая боковые части относительно полоскового контакта 7. На фиг.3 приведены качественные зависимости от длины волны материального усиления в области 9 усиления под полосковым омическим контактом 7 (g_mat) и от оптических потерь (α_BGL) в боковых областях относительно полоскового омического контакта 7. ФПМ с максимальным значением материального усиления , на длине волны генерации λ_FP соответствует достаточно высокое значение потерь на межзонное поглощение в пассивных областях . Как следствие, область распространения ФПМ ограничена только областью под полосковым омическим контактом 7. Из фиг.3 видно, что смещение в длинноволновую область спектра относительно длины волны генерации ФПМ одновременно ведет к снижению материального усиления в активной области 4 и падению значения оптических потерь (α_BGL) в боковых областях относительно полоскового омического контакта 7. Таким образом, вследствие нулевых потерь на выход для ЗМ даже в условиях меньшего значения материального усиления на длине волны генерации для ЗМ может быть достигнут порог генерации. Рассмотрим пороговые условия генерации для ЗМ в инжекционном лазере с полосковым омическим контактом 7. Так как ЗМ захватывает весь объем волноводного слоя 1 инжекционного лазера, то фактор оптического ограничения ЗМ для области 9 усиления (Г_см) выглядит следующим образом

где - значение составляющей фактора оптического ограничения Г_Y в области 9 усиления для ЗМ. Как показано выше (и подтверждено экспериментально), длина λ_см волны генерации ЗМ смещена в низкоэнергетическую область спектра относительно ФПМ. В результате материальное усиление ЗМ может быть представлено как:

где Δ - расстройка материального усиления, определяемая как разность между материальными усилениями ФПМ и ЗМ. Оптические потери для ЗМ α_см можно выразить как:

величина Δα учитывает потери, связанные с рассеянием излучения ЗМ на неоднородностях, межзонным поглощением и поглощением на свободных носителях заряда в боковых частях инжекционного лазера относительно полоскового омического контакта 7. Так как оптические потери на выход излучения для ЗМ равны нулю, то в выражении (9) они не учитываются.

На основании вышесказанного пороговые условия для ЗМ примут вид:

Принимая значение Δ=0, с учетом (3) получаем неравенство, удовлетворение которого подавляет генерацию ЗМ в инжекционном лазере:

Созданная по меньшей мере в волноводном слое 1 вне области 8 инжекции по меньшей мере одна область 13 полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области, позволяет увеличить оптические потери для ЗМ на величину . Увеличение потерь для ЗМ до величин, при которых выполняется указанное неравенство, позволяет подавить генерацию ЗМ в заявляемом инжекционном лазере. Требуемая для подавления генерации ЗМ величина внутренних оптических потерь в созданной области 13 подбирается путем выбора ее размеров и положения, решая волновое уравнение, что определяет значение , а также выбора материала и его ширины запрещенной зоны, что определяет значение α_NB.

Заявляемый инжекционный лазер работает следующим образом. Через полосковый контакт 7 предлагаемого инжекционного лазера (см. фиг.2) в направлении, перпендикулярном слоям гетероструктуры, пропускают электрический ток, причем режим работы инжекционного лазера соответствует прямому смещению p-n перехода. При превышении тока, пропускаемого через инжекционный лазер, порогового значения, через естественно сколотую грань - зеркало 5 с нанесенным просветляющим покрытием - выходит лазерное излучение Фабри-Перо моды. Мощность выходящего излучения, помимо параметров структуры, зависит от величины пропускаемого через лазерную гетероструктуру тока. Спонтанное излучение на линии генерации замкнутой моды поглощается в области 13 полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области 4 (см. фиг.2). Это подавляет обратную связь для замкнутой моды. В результате сохраняется генерация только мод Фабри-Перо резонатора, что ведет к сохранению линейности зависимости выходной мощности от тока накачки и увеличения выходной оптической мощности.

Пример. Были проведены сравнительные испытания известного инжекционного лазера и заявляемого инжекционного лазера. Был изготовлен известный инжекционный лазер на основе гетероструктуры, включающей волноводный слой Al_0.3Ga_0.7As толщиной 1,6 мкм, заключенный между широкозонным эмиттером Al_0.5Ga_0.5As p-типа проводимости толщиной 1,5 мкм и широкозонным эмиттером Al_0.5Ga_0.5As n-типа проводимости толщиной 1,5 мкм, активную область, состоящую из одного квантово-размерного активного слоя Al_0.08Ga_0.92As толщиной 12 нм, оптический Фабри-Перо резонатор длинной 2 мм, образованный естественно сколотой гранью с нанесенным просветляющим покрытием, имеющим коэффициент отражения 5%, и гранью с нанесенным отражающим покрытием, имеющим коэффициент отражения 95%, полосковый омический контакт шириной 100 мкм, расположенный в центре между боковыми естественно сколотыми гранями, расстояние между которыми 500 мкм, подложку GaAs n-типа проводимости. Для известного инжекционного лазера значения внутренних оптических потерь и потерь на выход излучения для мод Фабри-Перо резонатора составили 1 см^-1 и 7.6 см^-1, соответственно. Через полосковый контакт известного инжекционного лазера (см. фиг.1) в направлении, перпендикулярном слоям гетероструктуры, пропускают электрический ток, причем режим работы инжекционного лазера (лазерного диода) соответствует прямому смещению p-n перехода. В первом варианте накачки пропускали непрерывный ток, во втором варианте накачки пропускали импульсный ток с длительностью импульсов тока 100 нс и частотой 10 кГц. Для известного инжекционного лазера зависимость оптической мощности, выходящей через грань с нанесенным просветляющим покрытием, от непрерывного тока накачки показана на фиг.4 (кривая 7), для импульсного тока накачки показана на фиг.4 (кривая 8). Максимального значения выходная оптическая мощность достигала при непрерывном токе накачки 5 Вт, при импульсном токе накачки 59,5 Вт.

Заявляемый инжекционный лазер отличался от известного инжекционного лазера тем, что в волноводном слое была сформирована одна область полупроводникового материала GaAs с шириной запрещенной зоны 1,43 эВ, меньшей ширины запрещенной зоны активной области Al_0.08Ga_0.92As (1,55 эВ). Оптические потери, связанные с межзонным поглощением излучения ЗМ во введенной области полупроводникового материала GaAs α_NB=10⁴ см^-1. Ближайшая к области инжекции граница введенной области GaAs располагалась на расстоянии 150 мкм. Ширина области GaAs составляла 50 мкм. Факторы оптического ограничения ЗМ в введенной области GaAs , , значение составляющей фактора оптического ограничения Г_Y в области усиления для ЗМ . Оптические потери Δα=1 см^-1. При выбранных параметрах введенной узкозонной области GaAs неравенство

выполняется. Через полосковый контакт заявляемого инжекционного лазера (см. фиг.2) в направлении, перпендикулярном слоям гетероструктуры, пропускали электрический ток, причем режим работы инжекционного лазера соответствовал прямому смещению p-n перехода. В первом варианте накачки пропускали непрерывный ток, во втором варианте накачки пропускали импульсный ток с длительностью импульсов тока 100 нс и частотой 10 кГц. Для заявляемого второго варианта инжекционного лазера зависимость оптической мощности, выходящей через грань с нанесенным просветляющим покрытием, от непрерывного тока накачки показана на фиг.4 (кривая 9), для импульсного тока накачки показана на фиг.4 (кривая 10). Максимального значения выходная оптическая мощность достигала при непрерывном токе накачки 10,5 Вт, при импульсном токе накачке 77 Вт. Значения выходной оптической мощности, полученные для заявляемого инжекционного лазера, выше, чем у известного инжекционного лазера. Измерения выходной оптической мощности во времени показали, что временная стабильность сигнала заявляемого инжекционного лазера выше, чем у известного инжекционного лазера. Таким образом, заявляемый инжекционный лазер позволяет увеличивать выходную оптическую мощность в непрерывном и импульсном режиме, а также обладает повышенной временной стабильности выходной оптической мощности.

1. Инжекционный лазер на основе гетероструктуры, содержащий волноводный слой, заключенный между широкозонными эмиттерами p- и n-типа проводимости, являющимися одновременно ограничительными слоями, активную область, состоящую из, по меньшей мере, одного квантово-размерного активного слоя, оптический Фабри-Перо резонатор и полосковый омический контакт, под которым расположена область инжекции, отличающийся тем, что, по меньшей мере, в волноводный слой вне области инжекции введена, по меньшей мере, одна область полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области, при этом фактор оптического ограничения замкнутой моды области упомянутого полупроводникового материала удовлетворяет соотношению: где - значение составляющей фактора оптического ограничения Г_X для ЗМ во введенной области полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области, отн.ед.; - значение составляющей фактора оптического ограничения Г_Y для ЗМ во введенной области полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области, отн.ед.; - значение составляющей фактора оптического ограничения Г_Z для ЗМ во введенной области полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области, отн.ед.;α_NB - оптические потери, связанные с межзонным поглощением излучения ЗМ во введенной области полупроводникового материала с шириной запрещенной зоны, меньшей ширины запрещенной зоны активной области, см^-1.

2. Инжекционный лазер по п.1, отличающийся тем, что расстояние между ближайшими границами области упомянутого полупроводникового материала и области инжекции не меньше 10 мкм.

3. Инжекционный лазер по п.1, отличающийся тем, что ширина области упомянутого полупроводникового материала не меньше 10 мкм.

4. Инжекционный лазер по п.1, отличающийся тем, что ширина запрещенной зоны области упомянутого полупроводникового материала, по меньшей мере, на 20 мэВ меньше энергии фотонов на линии генерации инжекционного лазера.

5. Инжекционный лазер по п.1, отличающийся тем, что область упомянутого полупроводникового материала выполнена в виде, по меньшей мере, одного квантово-размерного слоя.

6. Инжекционный лазер по п.1, отличающийся тем, что область упомянутого полупроводникового материала выполнена в виде, по меньшей мере, двух квантово-размерных слоев с отличающейся шириной запрещенной зоны.

7. Инжекционный лазер по п.1, отличающийся тем, что область упомянутого полупроводникового материала выполнена в виде, по меньшей мере, двух квантово-размерных слоев с отличающейся шириной запрещенной зоны, разделенных слоем с большей шириной запрещенной зоны.

8. Инжекционный лазер по п.1, отличающийся тем, что в каждую боковую часть инжекционного лазера введено, по меньшей мере, по одной области упомянутого полупроводникового материала.

9. Инжекционный лазер по п.1, отличающийся тем, что продольный размер области упомянутого полупроводникового материала меньше длины оптического Фабри-Перо резонатора.

10. Инжекционный лазер по п.1, отличающийся тем, что гетероструктура выполнена в системе твердых растворов A³B⁵.

11. Инжекционный лазер по п.1, отличающийся тем, что, по меньшей мере, одна граница области упомянутого полупроводникового материала не параллельна боковым естественно сколотым граням, формирующим боковые ограничительные поверхности.

12. Инжекционный лазер по п.1, отличающийся тем, что область упомянутого полупроводникового материала выполнена легированной примесью n-типа проводимости, выбранной из группы: Si, Te, Ge, Sn, или их комбинацией.

13. Инжекционный лазер по п.1, отличающийся тем, что область упомянутого полупроводникового материала выполнена легированной примесью p-типа проводимости, выбранной из группы: C, S, Mg, Be, Zn, или их комбинацией.