ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи (US)

Изобретение относится к микроэлектронике. Полупроводниковое светоизлучающее устройство содержит область n-типа; область p-типа; III-нитридный светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа. III-Нитридный светоизлучающий слой легирован до концентрации легирующей примеси от 6×1018 см-3 до 5×1019 см-3 и имеет III-толщину от 50 ангстрем до 250 ангстрем, при этом III-нитри...

Заявленное изобретение относится к источникам света. Заявленная осветительная система включает в себя множество светоизлучающих элементов, таких как светоизлучающие диоды, скомпонованные матрицей. Один или более светоизлучающих элементов расположены в центральной области матрицы. Светоизлучающие элементы в центральной области имеют лучшее качество функционирования, такое как яркость и/или эффекти...

Изобретение относится к проекционным дисплеям. Техническим результатом является увеличение эффективности источника света на светоизлучающих диодах (СИД) в проекционном дисплее. Результат достигается тем, что обычный красный первичный источник (22, 23) света в системе (10) проекционного дисплея добавляется к источнику (23) янтарного света. Зеленый (21) и синий (20) первичные источники света также...

Изобретение относится к проекционным системам, а именно к источникам освещения таких систем. Техническим результатом является уменьшение объема и повышение энергоэффективности источников освещения. Результат достигается тем, что источник (100) освещения включает в себя, по меньшей мере, один светоизлучающий диод (104), например в матрице из LED, которая создает свет с короткой длиной волны. Один...

Изобретение может быть применено в электронных или оптоэлектронных приборах. Прибор согласно изобретению содержит: III-нитридную структуру, содержащую: первый слой (22), причем этот первый слой практически не содержит индия; второй слой (26), выращенный поверх первого слоя, причем этот второй слой является немонокристаллическим слоем, содержащим индий; третий слой 22, расположенный между первым с...

Светоизлучающий прибор содержит полупроводниковую структуру на основе нитрида элемента III группы, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа; и текстурированную поверхность, расположенную внутри 1000 Å светоизлучающего слоя. Также предложен второй вариант, согласно которому светоизлучающий прибор содержит маскирующий слой с множеством отверстий; структ...

Керамическое тело 30, содержащее преобразующий длину волны материал, расположено на пути света, испускаемого светоизлучающей областью 31 полупроводниковой структуры 12, содержащей светоизлучающую область, расположенную между областью n-типа и областью р-типа. Слой прозрачного материала 36 также расположен на пути света, испускаемого светоизлучающей областью. Прозрачный материал может соединять ке...

Осветительный прибор для освещения удаленного объекта содержит полость (36), имеющую отражающую основную поверхность (38) и отражающие боковые стенки (40), и множество светоизлучающих диодов (10), прикрепленных в полости (36), а также плоскую отражающую поверхность (42) светового выхода, противоположную отражающей основной поверхности (38), содержащую множество светоизлучающих отверстий (44). При...

Конструкция светодиодной сборки содержит, по меньшей мере, один светодиодный кристалл; вспомогательную головку, имеющую электроды, при этом, по меньшей мере, один светодиодный кристалл установлен на вспомогательной головке; отформованный корпус светодиодной сборки, сформированный из электроизоляционного материала; металлический сердечник, проходящий через корпус и заделанный при формовании в корп...

Настоящее изобретение касается технологий выращивания и структур устройств для полупроводниковых светоизлучающих устройств. Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению включает выращивание III-нитридной структуры на подложке, причем данная III-нитридная структура содержит: структуру, содержащую: первый слой 22, выращенный непосредственно на подложке, причем первый слой, п...

Изобретение относится к источнику света, который производит белый свет. Заявленный источник однородного света высокой яркости содержит, по меньшей мере, две микросхемы светоизлучающих диодов одинакового типа, каждая из которых производит свет с длинами волн, которые отличаются на 5 нм или более, и элемент преобразования длины волны, который включает в себя, по меньшей мере, два материала преобраз...

Настоящее изобретение относится к технологиям роста и структурам устройств для полупроводниковых светоизлучающих устройств. Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению содержит этапы, на которых выращивают III-нитридную структуру на подложке, при этом III-нитридная структура содержит шаблон, в свою очередь содержащий первый слой, выращенный непосредственно на подложке, пр...

Устройство освещения, содержащее источник света, содержащий один или более светоизлучающих диодов; элемент преобразования длины волны, который принимает излучаемый свет от источника света, причем элемент преобразования длины волны, по меньшей мере, частично преобразует излучаемый свет и формирует преобразованный свет; и непрозрачную опорную конструкцию, имеющую апертуру, при этом элемент преобраз...

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является формирование, по существу, равномерно освещенной выходной плоскости с хорошо коллимированным светом в прямом направлении. Оптическая система включает в себя цилиндрическую линзу с боковым излучением, отражатель и цилиндрическую линзу Френеля. Цилиндрическая линза с боковым излучением перенаправляет свет от источника св...

Согласно изобретению предложено осветительное устройство, содержащее: нелазерный светоизлучающий диод (СИД) бокового излучения, при этом светоизлучающий диод имеет множество светоизлучающих боковых стенок, при этом каждая светоизлучающая боковая стенка имеет верхний участок и нижний участок; в котором светоизлучающий диод излучает свет со своих светоизлучающих боковых стенок без использования лин...

Изобретение относится к светоизлучающим диодам, смонтированным методом перевернутого кристалла. Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению содержит следующие этапы: обеспечивают перевернутый кристалл светоизлучающего диода (СИД) на подложке, при этом кристалл СИД находится между платой и подложкой, причем подложка шире и длиннее, чем кристалл СИД, обеспечивают изолирующи...

Светоизлучающее устройство включает полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа, и фотонный кристалл, сформированный внутри или на поверхности полупроводниковой структуры, керамический слой, который расположен на пути света, излучаемого светоизлучающим слоем. Керамический слой состоит из преобразующего длину волны материала,...

Светоизлучающее устройство содержит источник света, выполненный с возможностью излучения первого света; преобразующий длину волны слой, при этом преобразующий длину волны слой расположен на пути первого света, находится на расстоянии от источника света и содержит первый преобразующий длину волны материал, выполненный с возможностью поглощения первого света и излучения второго света; и отражающий...

Изобретение относится к подсветке с использованием светоизлучающих диодов бокового излучения. Подсветка содержит твердотельный прозрачный световод (42) со множеством отверстий в нижней поверхности световода, при этом каждое отверстие содержит светоизлучающий диод (10) бокового излучения. Призмы или другие оптические элементы (44, 48) сформированы на верхней стенке каждого отверстия для отражения...

Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является улучшение теплоотдачи светодиодов на корпусную деталь. Светодиодное (СИД) устройство предназначено для установки на теплоотвод, имеющий переднюю поверхность с отверстием в ней. Устройство включает в себя подложку, по меньшей мере, один кристалл СИД, установленный на подложке, и теплопроводящий сердечник, имеющий первы...

Устройство содержит множество осветительных модулей, каждый из которых включает источник света и оптический элемент, сконфигурированный для приема света из источника света и коллимирования света в пучок, жидкокристаллическую панель дисплея, контроллер, принимающий данные изображения и данные измерений равномерности освещенности, соответствующие действительной освещенности каждой из множества час...

Изобретение относится к светоизлучающему модулю. Сущность изобретения: светоизлучающий модуль содержит полупроводниковое светоизлучающее устройство и термореле, которое оборудовано для защиты светоизлучающего устройства от перегрева. При повышенной температуре соединение устройства может достигать критического уровня, что приводит к катастрофической поломке устройства. Согласно изобретению термо...

Полупроводниковое светоизлучающее устройство содержит полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью p-типа; отражательный металлический контакт, расположенный на нижней стороне полупроводниковой структуры и электрически присоединенный к области p-типа; материал, расположенный между по меньшей мере частью отражательного металлического...

Полупроводниковые светоизлучающие устройства широко применяются в качестве источников света во многих приложениях, которые требуют низкого потребления энергии, малого размера и высокой надежности. Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего устройства согласно изобретению содержит этапы, на которых: выращивают полупроводниковую структуру, содержащую AlGaInP светоизлучающий слой, расп...

Изобретение относится к светоизлучающим диодам и, в частности, к технологии улучшения извлечения света. Технический результат заключается в повышении яркости за счет устранения желто-зеленого цвета. Устройство включает в себя полупроводниковый светоизлучающий диод (СИД), слой люминофора поверх СИД и герметик поверх СИД и люминофора, контактирующий с люминофором и включающий в себя прозрачный мат...

Способ изготовления светоизлучающего устройства согласно изобретению содержит следующие этапы: обеспечение кристалла светоизлучающего диода (СИД) на опоре (22), причем между кристаллом СИД и опорой существует зазор, причем кристалл СИД имеет нижнюю поверхность, обращенную к опоре, и верхнюю поверхность, противоположную нижней поверхности, формование материала (54) прокладки поверх кристалла СИД...

Источник света, в котором используют светоиспускающий диод с элементом, преобразующим длину волны, выполнен с возможностью получения неравномерного углового распределения цвета, которое можно использовать с конкретным оптическим устройством, которое трансформирует угловое распределение цвета в равномерное распределение цвета. Соотношение высоты и ширины элемента, преобразующего длину волны, выби...

Устройство задней подсветки для цветного ЖК-дисплея включает в себя светодиоды (СИДы) белого света, образованные с использованием синего СИДа со слоем красного и зеленого люминофоров над ним. Для обеспечения равномерности компоненты синего света по поверхности экрана ЖК-дисплея, а также для достижения неизменности светового выхода от одного ЖК-дисплея к другому, прохождение синего света через с...

Использование: для применений, связанных с освещением, отличным от подсветок, где вертикальная диаграмма направленности (диаграмма коллимирования) и диаграмма направленности бокового излучения света могут определяться независимо. Сущность изобретения заключается в том, что двойная прессованная линза для светодиода содержит внешнюю линзу, прессованную вокруг периферии светодиодного кристалла, и в...

Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего устройства согласно изобретению включает выращивание множества III-нитридных полупроводниковых структур на подложке, причем каждая полупроводниковая структура включает в себя светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа; подложка включает в себя основание, множество участков III-нитридного материала, разделе...

Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов. Структура включает III-нитридную полупроводниковую структуру, содержащую светоизлучающую область, расположенную между областью n-типа и областью p-типа, при этом по меньшей мере одним слоем в светоизлучающей области является светоизлучающий слой Bx(InyGa1-y)1-xN, 0,06≤x≤0,08 и 0,1≤y≤0,14, который обладает запрещенной эне...

Изобретение относится к устройствам задней подсветки жидкокристаллических дисплеев. Согласно первому варианту устройства узел задней подсветки включает в себя волновод с множеством светодиодов, расположенных в полостях в задней поверхности в центральной области волновода. Задняя поверхность волновода сужена от центральной области к кромкам, так что кромки тоньше, чем центральная область. В еще о...

Изобретение относится к светотехнике, в частности к устройствам управления. Технический результат - создание универсального малогабаритного прибора с высокой избирательностью по свету и теплу. Предлагается прибор, имеющий, по меньшей мере, два штырьковых вывода. Прибор содержит полупроводниковую структуру, имеющую первую функцию, и электрическую схему, имеющую, по меньшей мере, один элемент схем...

Изобретение относится к оптоэлектронике. Согласно изобретению поверхности в структуре светоизлучающего прибора, на которой выращивают слой с ослабленными механическими напряжениями, придают такую форму, чтобы обеспечить возможность разрастания слоя с ослабленными механическими напряжениями в горизонтальном направлении и чтобы в нем могла происходить, по меньшей мере, частичная релаксация механич...