федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ) (RU)

Изобретение относится к области физико-химического анализа материалов, более конкретно к установлению зависимости поверхностного натяжения двухкомпонентной наночастицы сферической формы, находящейся в собственной двухкомпонентной матрице в зависимости от радиуса наночастицы и состава матрицы и наночастицы. Способ определения поверхностного натяжения двухкомпонентной наночастицы, находящейся в ма...

Изобретение относиться к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов, с пониженными токами утечки. В способе изготовления полупроводникового прибора под подзатворным диэлектриком создают тонкий 8-10 нм слой Si3N4 ионной имплантацией азота с энергией 2,1 кэВ, дозой 8*1017 см-2 в подложку в течение двух минут, с последующим...

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к способам определения параметров удара о преграду зерен алмазно-абразивных порошков, имеющих неправильные геометрические формы. Сущность: разгоняют зерна алмазно-абразивных порошков в струе сжатого воздуха, а затем ударяют их о жесткую преграду. Жесткую преграду изготавливают из материала, твердость которого позволяет получить на ней о...

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с повышенной стабильностью параметров. Предложен способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы создания активных областей прибора и подзатворного диэлектрика. Согласно изобретению после формирования подзатворного диэлектрика последова...

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления аморфного кремния α-Si с пониженной плотностью дефектов. Способ изготовления полупроводникового прибора согласно изобретению включает процессы формирования областей истока, стока, затвора, подзатворного изолирующего слоя и слоя аморфного кремния, при этом слой аморфного кремни...

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затворного оксида полевого транзистора. В способе изготовления полупроводникового прибора подзатворный оксид формируют из изопроксида алюминия при температуре 400°С, давлении 100 Па и расходе газовой смеси 250 мл/мин, со скоростью роста слоя А12O3 20 нм/мин. Изобретение позволя...

Изобретение относится к полимерным композициям с барьерными свойствами на основе полиэтилентерефталата, предназначенным для изготовления прозрачных однослойных бутылок для напитков. Композиция дополнительно содержит маточный концентрат при соотношении, мас.ч.: полиэтилентерефталат - 100, маточный концентрат – 1-10. Маточный концентрат включает аэросил и полигидроксиэфир при соотношении, мас.ч.: а...

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными значениями токов утечек. В способе изготовления полупроводникового прибора, включающем формирование областей стока и истока, после формирования слоя карбида кремния полупроводниковые структуры подвергают обработке электронами с энергией 6 МэВ,...

Настоящее изобретение относится к ароматическим блок-сополиэфирам, которые могут быть использованы в качестве конструкционных и пленочных материалов. Описаны огнестойкие блок-сополиэфирсульфонкарбонаты формулы: , где n=1-20; z=3-40; X=Н или Br. Технический результат – получение блок-сополиэфирсульфонкарбонатов, обладающих повышенными огне-, тепло- и термостойкостью, а также высокими механ...

Изобретение относиться к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов с гетероструктурой с пониженной дефектностью. В способе изготовления полупроводникового прибора гетеропереход база-коллектор формируют выращиванием n-слоя Si толщиной 400 нм при температуре 1000°С со скоростью роста 2,5 нм/с, с концентрацией мышьяка As (3-5)*1016 см-3...

Настоящее изобретение относится к галогенсодержащим ароматическим блок-сополиэфиркарбонатам общей формулы: , где n=1-20; z=5-70. Технический результат – получение блок-сополиэфиркарбонатов, характеризующихся повышенными показателями механических характеристик, тепло-, термо- и огнестойкости. 4 пр.

Настоящее изобретение относится к галогенсодержащим блок-сополиэфиркетонсульфонам формулы: , где n=1-20; z=3-60; X=H или Br. Технический результат – получение блок-сополиэфиркетонсульфона, обладающего повышенными показателями механических характеристик, а также показателями огне-, тепло- и термостойкости. 8 пр.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с пониженной дефектностью. В способе изготовления полупроводниковой структуры подложку кремния с тыльной стороны подвергают обработке ионами Sb+ энергией 30 кэВ, дозой 3,5*1015 см-2 при температуре 300°С, с последующей термообработкой при температуре...

Изобретение относится к области физико-химического анализа. Предложен способ определения состава поверхностного слоя двухкомпонентной наночастицы сферической формы в матрице, согласно которому с целью установления размерной зависимости состава поверхностного слоя наночастицы, сплав, содержащий наноразмерные частицы, подвергают термическому отжигу, определяют состав наночастицы и матрицы, а также...

Изобретение относится к области физико-химического анализа материалов, более конкретно к определению термодинамической активности (в дальнейшем активности) компонентов в поверхностном слое наночастицы, находящейся в матрице в бинарной системе в равновесных условиях. Согласно заявленному способу подвергают термическому отжигу двухкомпонентный сплав, содержащий дисперсные частицы сферической формы в...

Изобретение относится к способу получения высокоэффективных полифениленсульфидов, используемых в качестве суперконструкционных полимерных материалов. Способ получения полифениленсульфидов заключается в том, что проводят реакцию поликонденсации n-дихлорбензола, элементарной серы и гидроксида натрия, которые берут в мольном соотношении 1:1,5 - 2,2:3 - 4,4, в присутствии ра...

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления диэлектрической изоляции с низкими токами утечек. Технология способа состоит в следующем: на кремниевой подложке вытравливается канавка, затем на подложке формируется изолирующая пленка, состоящая из последовательно нанесенных слоев термического окисла и нитрида кремния Si3N4,...

Изобретение относитья к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки. Технология способа состоит в следующем: исходным материалом служили подложки GaAs. Скрытый р+-слой формировали с помощью внедрения ионов бериллия Be в подложку GaAs в две стадии: первая стадия с энергией 150 кэВ, дозой 2*1015 см...

Изобретение относится к промышленности строительных материалов и может быть использовано при производстве изделий из пеногипсобетонных композитов. Сырьевая смесь для изготовления пеногипсобетонного композита включает строительный гипс, цемент, заполнитель, армирующее волокно, пенообразователь и воду при следующем соотношении компонентов, мас.%: строительный гипс 26,1-30,0; портландцемент 3,9-7,8;...

Изобретение относится к способу получения полисульфонов, предназначенных для использования в качестве суперконструкционных полимерных материалов. Способ получения полисульфонов заключается в том, что подвергают взаимодействию дигалогенпроизводного с дигидроксисоединением, взятых в соотношении 0,15 моль : 0,045-0,105 моль, добавляют сомономер феноловый красный в количестве 0,015-0,105 моль и 0,16...

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии формирования подзатворного диэлектрика с пониженной дефектностью и с повышенной радиационной стойкостью. Перед осаждением кремниевые пластины обрабатывались смесью NH4OH и Н2О2 с рН=9, с последующим отжигом в водороде при 500°С. Пленки оксинитрида кремния толщиной 250-300 нм осаждались на к...

Изобретение относится к способу получения β-алкилмеркаптоэтилксантогенатов калия общей формулы: где R=СН3, С2Н5, С3Н7, С4Н9, С5Н11, С6Н13, С7Н15, С8Н17, С9Н19, заключающемуся в том, что к раствору β-оксиэтилпропилсульфида в бензол или гексан добавляют при температуре 25-35°C измельченный гидроксид калия и перемешивают до полного растворения щелочи, отличающемуся тем, что полученны...