Общество с ограниченной ответственностью "Хевел", ООО "Хевел" (RU)

Изобретение относится к способам коммутации ячеек фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния, в частности к способу контактирования контактных шин к пластинам фотоэлектрических преобразователей с применением адгезивов и ультразвуковой пайки. Способ коммутации гетероструктурных фотоэлектрических преобразователей включает присоединение контактных шин к гетероструктурным фо...

Использование: для изготовления как солнечных фотоэлектрических преобразователей на основе гетероперехода, так и для классических кристаллических и поликристаллических фотоэлектрических преобразователей. Сущность изобретения заключается в том, что контактная сетка гетеропереходного фотоэлектрического преобразователя на основе кремния содержит поперечные элементы сетки или поперечные и продольные...

Изобретение относится к средствам защиты, в частности к устройствам защиты нижнего электрода реактора плазмохимического осаждения из газовой фазы. Защитный экран для электрода реактора плазмохимического осаждения, который выполнен металлическим, толщиной от 10 до 1000 микрометров с габаритными размерами, соответствующими размерам электрода плазмохимического реактора, и имеющего отверстия в местах...

Изобретение относится к области солнечной энергетики, в частности к конструкциям и материалам фотоэлектрического преобразователя на основе кристаллического кремния. Фотоэлектрический преобразователь с самовосстанавливающимся контактом содержит кремниевую подложку с прозрачным проводящим слоем на фронтальной поверхности, на который нанесены элементы контактной сетки, к контактным площадкам которой...

Изобретение относится к фотоэлектрическим преобразователям, в частности к технологии сборки солнечных модулей и коммутации ячеек фотоэлектрических преобразователей. Данное изобретение может применяться для монолитных солнечных модулей на основе ФЭП, изготовленных из монокристаллического кремния, поликристаллического кремния, ФЭП, изготовленных по гетероструктурной технологии. Способ включает подго...