федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) (RU)

Изобретение относится к способу контактной сварки магнитопроводов. Сварку осуществляют в два этапа. На первом этапе используют электроды с выступом, которые позволяют плотно сжать свариваемые детали, создать необходимую зону контакта для концентрации теплоты для сварки и избежать коробления и выгиба свариваемых деталей колец. После этого между электродами пропускается импульс тока. В результате че...

Изобретение относится к технологии комплексной переработки рудных материалов для получения редкоземельных элементов (РЗЭ). Способ переработки монацита включает вскрытие измельченного монацита 7-10 М раствором азотной кислоты при температуре 150-250°С и давлении 1,5-2,5 МПа в течение 100-200 мин при соотношении Т:Ж=1:10. После этого проводят экстракционную очистку образующегося нитратного раствора...

Группа изобретений относится к области регистрации ионизирующих излучений с помощью сцинтилляционных детекторов, конкретнее к способу калибровки сцинтилляционного детектора в диапазоне энергий от нескольких МэВ до сотен МэВ. Сущность изобретений заключается в том, что калибровка детектора осуществляется в два этапа. На первом этапе проводится линейная калибровка шкалы детектора по спектру гамма-ли...

Изобретение относится к технологиям сетевой связи. Технический результат заключается в повышении скорости передачи данных. Арбитр приоритетов многоранговых запросов содержит N групп внешних входов запросов IZ1, IZ2, …, IZN, каждая из которых содержит М разрядов ранга приоритета (высший ранг приоритета имеет старший М-й разряд, старший приоритет имеет старшая группа IZN), первую группу из N внешних...

Изобретение относится к технологиям сетевой связи. Технический результат заключается в повышении скорости передачи данных. Арбитр приоритетов многоканальных запросов содержит N групп внешних входов запросов IZ1, IZ2, …, IZN, каждая из которых содержит М разрядов ранга приоритета (высший приоритет имеет старшая группа IZN, а старший ранг приоритета имеет старший М-й разряд), первую группу из N внеш...

Cпособ относится к области исследований радиационной стойкости изделий полупроводниковой электроники, в частности интегральных схем, к воздействию ионизирующих излучений. Способ оценки радиационной стойкости интегральных схем к воздействию отдельных заряженных частиц, основанный на локальном лазерном облучении, включает сканирование кристалла микросхемы пучком лазерного излучения диаметром в преде...