PatentDB.ru — поиск по патентным документам

КАРНЕГИ МЕЛЛОН ЮНИВЕРСИТИ (US)

КАРНЕГИ МЕЛЛОН ЮНИВЕРСИТИ (US) является правообладателем следующих патентов:

Способ с использованием выбранных углей для взаимодействия с парами al2o и al при карботермическом получении алюминия

Способ с использованием выбранных углей для взаимодействия с парами al2o и al при карботермическом получении алюминия

Изобретение относится к способу улавливания Al из отходящего газа, полученного во время карботермического восстановления алюминия по меньшей мере в одной плавильной печи. В способе отходящий газ направляют в закрытый реактор, в который подают древесный уголь, имеющий пористость от примерно 50 об.% до 85 об.% и средний диаметр пор от примерно 0,05 мкм до примерно 2,0 мкм, при этом древесный уголь к...

2337163

Каталитический способ обработки органических соединений

Каталитический способ обработки органических соединений

Изобретение относится к способу гидрообработки нефтяных фракций. Способ включает: контакт нефтяных фракций с катализатором, содержащим гидрид металла типа внедрения, имеющий реакционную поверхность, с получением смеси катализатор-нефтяные фракции; подведение радиочастотной (РЧ) или микроволновой энергии, по меньшей мере, к одному из катализатора и смеси катализатор-нефтяные фракции; образование од...

2342997

Катализатор для обработки органических соединений

Катализатор для обработки органических соединений

Изобретение относится катализатору для гидрообработки нефтяных фракций. Катализатор для гидрообработки нефтяных фракций, содержащий гидрид металла типа внедрения на основе сплава, включающего металл VIII группы и лантанид, причем катализатор имеет реакционную поверхность и одноатомный водород на реакционной поверхности. Катализатор для гидрообработки нефтяных фракций, содержащий гидрид металла тип...

2343977

Диод на гетеропереходах металл-полупроводник-металл (мпм)

Диод на гетеропереходах металл-полупроводник-металл (мпм)

Изобретение относится к быстродействующим диодам. Диод содержит полупроводниковый слой, имеющий первую сторону и противоположную первой стороне вторую сторону, полупроводниковый слой имеет толщину между первой стороной и второй стороной, при этом толщина полупроводникового слоя сравнима со средней длиной свободного пробега носителей заряда, эмитированного в полупроводниковый слой. Диод содержит пе...

2632256