Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)

Оптический элемент включает фазовую решетку Брегга, которая сформирована в электрооптическом материале или в нанесенном на него дополнительном слое. Решетка снабжена средством для создания неоднородного апериодического внешнего электрического поля вдоль направления распространения оптического излучения, с помощью которого изменяют дифракционную эффективность решетки. Система оптических элементов -...

Способ изготовления светоизлучающей структуры и светоизлучающая структура относятся к оптоэлектронике и могут найти применение для изготовления конструкций светоизлучающих квантоворазмерных гетероструктур, в частности лазеров, работающих в инфракрасном диапазоне длин волн. Сущность: способ включает последовательное выращивание на подложке GaAs молекулярно-пучковой эпитаксией буферного слоя GaAs; н...

Изобретение относится к квантовой электронной технике, а точнее - к полупроводниковым лазерам, которые могут быть использованы, например, в качестве источника оптического излучения для накачки волоконных усилителей, волоконных и твердотельных лазеров. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения расходимости излучения инжекционного лазера при сохранении высокого значения КПД и выходно...

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов, конкретно к источникам, излучающим с поверхности в инфракрасном (ИК) диапазоне спектра, и может найти применение в приборах газового анализа, спектрометрах, в системах обнаружения и связи. Техническим результатом изобретения является повышение мощности излучения и расширение спектрального диапазона источника. Сущность: в полупроводниковом...

Изобретение относится к области изготовления полупроницаемых мембран для молекулярной фильтрации газовых потоков и для разделения реакционных пространств в химических реакторах. Способ получения газопроницаемой мембраны включает двустороннее электрохимическое травление монокристаллической пластины из соединения АIIIBV n-типа проводимости или из полупроводника АIV с шириной запрещенной зоны Е"...

Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых структур из соединений А3В5 методами эпитаксии. Сущность изобретения: способ изготовления полупроводниковой гетероструктуры методом эпитаксии включает выращивание эпитаксиального слоя заданной толщины h0, рассогласованного по параметру решетки с материалом, на котором осуществляют выращивание, при этом предварительно для данной ростов...

Изобретение относится к неорганической химии и может быть использовано в биомедицинских исследованиях и при изготовлении немагнитных материалов, сорбентов. Промышленную смесь алмаза с графитом и металлами обрабатывают смесью кислот и окислителей. Суспензию дополнительно обрабатывают очищенной концентрированной соляной кислотой при концентрации наноалмазов в соляной кислоте не более двух процентов...

Изобретение относится к плазменной и ядерной технике для заполнения магнитных ловушек термоядерных реакторов топливом или плазмой и предназначено для предварительной ионизации в них газа и зажигания основного разряда, заполнения плазмой различных плазменных установок. Устройство для получения потока плазмы содержит два коаксиальных ускоряющих электрода. Ускоряющие электроды подключены к импульсном...

Изобретение относится к области мощных полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: запираемый тиристор с увеличенной рабочей частотой содержит по меньшей мере один кремниевый чип, состоящий из множества электрически соединенных параллельно p+n'Np'n+-ячеек. Управляющий эмиттерный переход тиристора выполнен в виде р+n'-перехода в тонком n'-буферном слое 2, введенном в широкую N-базу 3, которая...

Изобретение относится к технике оптической передачи сигналов. Технический результат состоит в повышении эффективности подавления шума канала связи при передаче сигнала двумерного изображения. Для этого в способе кодируют исходный сигнал путем воздействия на него прямого преобразования Адамара, упорядоченного в соответствии с преобразованием Грея, последовательного воздействия на матрицу коэффициен...

Изобретение может быть использовано для создания узкозонных фотопреобразователей на основе антимонида галлия, которые являются частью каскадных солнечных элементов и термофотопреобразователей, применяемых в системах автономного энергоснабжения. При создании фотоэлектрического преобразователя для решения задачи упрощения технологии наносят на лицевую поверхность подложки (2) n-типа GaSb диэлектри...

Способ заключается в нанесении омических контактов на тыльную и фронтальную поверхности многослойной полупроводниковой структуры GalnP/Ga(ln)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, разделении структуры на чипы, пассивации боковой поверхности чипов диэлектриком, удалении части фронтального контактного слоя структуры и нанесении антиотражающего покрытия на фронтальную поверхность структуры. Раз...

Изобретение относится к прозрачной бронезащите от пуль сверхвысокой твердости. Технический результат изобретения заключается в подавлении деградации твердости сапфира и сохранении его твердости на время взаимодействия с сердечником. Прозрачная керамическая композиция включает внешний слой из, по меньшей мере, одной пластины монокристаллического сапфира, промежуточный слой из, по меньшей мере, од...

Изобретение относится к полупроводниковым фотопреобразователям, в частности к многопереходным солнечным фотоэлементам, которые преобразуют энергию солнечного излучения в электрическую, и может быть использовано в полупроводниковой промышленности для создания систем генерации электрической энергии. Сущность изобретения: многослойный фотопреобразователь содержит последовательно расположенные сплош...

Способ получения многослойной структуры двухпереходного фотоэлектрического преобразователя, включающий последовательное осаждение из газовой фазы на подложку p-типа GaAs тыльного потенциального барьера из триметилгаллия (TMGa), триметилалюминия (TMAl), арсина (AsH3) и источника p-примеси, базы из TMGa и AsH3 и источника p-примеси, эмиттера из TMGa и AsH3 и источника n-примеси, широкозонного окна...

Изобретение относится к области технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности полупроводникового соединения GaSb и приборов на его основе. Сущность изобретения: способ получения нитридной пленки на поверхности GaSb осуществляют путем удаления окислов с поверхности GaSb и последующей ее нитридизации погружением поверхности G...

Изобретение относится к солнечной энергетике. Способ заключается в нанесении омических контактов на тыльную и фронтальную поверхности многослойной полупроводниковой структуры GaInP/Ga(In)As/Ge, выращенной на германиевой подложке, разделении структуры на чипы методом химического травления, пассивации боковой поверхности чипов диэлектриком, удалении части фронтального контактного слоя структуры и...

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности антимонида галлия. Сущность изобретения: для осуществления способа получения нитридной пленки получают гетероструктуру на основе GaSb эпитаксиальным выращиванием на подложке n-типа GaSb слоя твердого раствора GalnAsSb n-типа, согласованного по параметру р...