НИТИЯ КОРПОРЕЙШН (JP)

Изобретение предлагает лазерное устройство, способное выполнять колебания в устойчивой поперечной моде и выдавать лазерный луч с превосходной диаграммой направленности в дальней зоне. Первое полупроводниковое лазерное устройство содержит многослойную структуру, в которой полупроводниковый слой проводимости первого типа, активный слой и полупроводниковый слой проводимости второго типа, которая отли...

Данное изобретение относится к получению кристалла галлийсодержащего нитрида с помощью аммиачного метода. Одним из вариантов изобретения является способ получения кристалла галлийсодержащего нитрида, в котором галлийсодержащий исходный материал кристаллизуют, по меньшей мере, на одном зародыше кристаллизации в присутствии содержащего щелочной металл компонента в содержащем азот растворителе, наход...

Изобретение относится к объемному монокристаллу нитрида, в частности предназначенному для использования в качестве подложки для эпитаксии, пригодной для использования в оптоэлектронике для производства оптоэлектронных полупроводниковых устройств на основе нитридов, в частности для изготовления полупроводниковых лазерных диодов и лазерных устройств. В изобретении раскрыт объемный монокристалл нитри...

Светоизлучающее устройство содержит светоизлучающий элемент, красный люминофор, сформированный из нитридного люминофора, который излучает свет при возбуждении светом, излучаемым светоизлучающим элементом, зеленый люминофор, сформированный из галогенсиликата, который излучает свет при возбуждении светом, излучаемым светоизлучающим элементом, и люминофор АИГ (алюмоиттриевый гранат), который излучае...

Светоизлучающее устройство согласно изобретению содержит светоизлучающий элемент, красный люминофор, сформированный из нитридного люминофора, и зеленый люминофор, сформированный из галогенсиликата, в спектре излучения которого имеется первый пик при длине волны от 440 нм до 470 нм, второй пик при длине волны от 510 нм до 550 нм и третий пик при длине волны от 630 нм до 670 нм, при этом минимальна...

Предложен полупроводниковый светоизлучающий прибор с высокой надежностью и превосходными характеристиками распределения света. Полупроводниковый светоизлучающий прибор 1 содержит n-электрод 50, размещенный на световыделяющей поверхности на стороне, противоположной поверхности полупроводниковой стопы 40, которая устанавливается на подложке 10. Множество выпуклостей выполнено в области 80 первых вы...

Предложено светоизлучающее устройство и способ изготовления устройства, которое может испускать свет с малой неравномерностью цвета и высокой яркостью. Устройство включает светоизлучающий прибор, светопроницаемый элемент, принимающий падающий свет от светоизлучающего прибора, и покрывающий элемент. Светопроницаемый элемент сформирован из неорганического материала и является преобразующим свет эл...

Группа изобретений может быть использована в индикаторах, осветительных приборах, дисплеях, источниках света для подсветки жидкокристаллических дисплеев. Светоизлучающее устройство согласно изобретению содержит основание и электропроводящие компоненты, размещенные на основании, светоизлучающий элемент, имеющий полупроводниковый слой и прозрачную подложку; отражающий компонент, не покрывающий п...

Светоизлучающий прибор согласно изобретению содержит связанные друг с другом светоизлучающий элемент и элемент, преобразующий длину волны, при этом светоизлучающий элемент содержит со стороны элемента, преобразующего длину волны, первую область и вторую область, а элемент, преобразующий длину волны, содержит со стороны светоизлучающего элемента третью область и четвертую область, причем первая...

Светоизлучающее устройство включает в себя основной корпус с образованным в нем углублением, ограниченным его нижней поверхностью и боковой стенкой, проводящий элемент, верхняя поверхность которого открыта в углублении, а нижняя поверхность образует внешнюю поверхность, выступающий участок, расположенный в углублении, светоизлучающий элемент, установленный в углублении и электрически связанный с...

Предложено светоизлучающее устройство, способное снизить затухание света в элементе и имеющее высокую световую отдачу, и способ изготовления светоизлучающего устройства. Светоизлучающее устройство содержит светоизлучающий элемент, имеющий светопроводящий элемент и многослойную полупроводниковую часть, электроды, расположенные на многослойной полупроводниковой части в этом порядке. Светоизлучающи...

Предложен способ изготовления светоизлучающего устройства, выполненного с возможностью предотвращения образования неоднородностей цвета и желтого кольца с малыми затратами. Способ изготовления светоизлучающего устройства со светоизлучающим элементом и слоем полимерной смолы, содержащим частицы флуоресцентного материала и наполнителя, который отражает свет, причем способ содержит процесс осаждени...

Способ изготовления нитридного полупроводникового светоизлучающего элемента с перевернутым кристаллом, включающего в себя структуру нитридного полупроводникового светоизлучающего элемента, имеющего слой нитридного полупроводника n-типа и слой нитридного полупроводника р-типа, которые нанесены на подложку, а также участок соединения электрода n-стороны с нитридным полупроводниковым слоем n-типа и...

Изобретение относится к композиции положительного электрода для вторичной батареи с неводным электролитом, содержащей: комплексный оксид лития и переходного металла, представленный общей формулойLiaNi1-x-yCoxM1yWzM2wO2(1,0≤a≤1,5, 0≤x≤0,5, 0≤y≤0,5, 0,002≤z≤0,03, 0≤w≤0,02, 0≤x+y≤0,7, М1 означает по меньшей мере один металл, выбранный из группы, состоящей из Mn и Al, М2 означает по меньшей мере один...

Нитридный полупроводниковый элемент содержит сапфировую подложку, содержащую: основную поверхность, проходящую в с-плоскости сапфировой подложки, и множество выступов, расположенных на основной поверхности, причем множество выступов содержат по меньшей мере один выступ, имеющую удлиненную форму на виде в плане; и слой нитридного полупроводника, расположенный на основной поверхности сапфировой подл...