Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU)

Изобретение относится к наноэлектронике, микроэлектронике и может быть использовано в микроэлектронных и микроэлектромеханических системах, а также для создания микро-, нанопроцессоров и нанокомпьютеров. Способ заключается в том, что электрод подводят к поверхности подложки, затем на электрод подают отрицательный относительно точки поверхности подложки электростатический потенциал в течение промеж...

Изобретение относится к микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве СБИС, полевых нанотранзисторов, а также устройств оптической волоконной связи. Сущность изобретения: способ создания диэлектрического слоя включает нанесение на подложку исходного образующего слоя и последующее окисление в кислородной плазме. В качестве материала исходного образующего слоя используют металл т...

Использование: в технологии изготовления приборов микро-, наноэлектроники и наноэлектромеханики. Сущность изобретения: селективный травитель слоев AlAs, AlGaAs относительно GaAs содержит иод (I2), органический растворитель, в котором растворен иод (I2), причем указанные компоненты взяты в следующем соотношении, мас.%: иод - 0,1÷4, органический растворитель - 96÷99,9. При этом в кач...

Изобретение может быть использовано в системах обработки оптической информации. Техническим результатом является расширение динамического диапазона, повышение быстродействия и расширение функциональных возможностей. Сущность изобретения: в многоканальном устройстве считывания, выполненном на полупроводниковой подложке, содержащем N входных узлов, многовыходной коммутатор, общую шину считывания, ши...

Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и может быть использовано в системах обработки оптической информации. Техническим результатом изобретения является достижение выделения высокочастотных компонентов сигналов на фоне низкочастотных неинформационных компонентов, расширение динамического диапазона для информационных компонентов сигналов. Сущность изобретения: устройство считывания...

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам. Техническим результатом является повышение надежности элемента памяти в режиме считывания. Элемент памяти для флэш электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства содержит полупроводниковую подложку с выполненными на планарной стороне истоком и...

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано для получения импульсных напряжений. Достигаемый технический результат - получение импульсных напряжений с амплитудой 105 В и выше при частотах следования импульсов до 105 Гц. Генератор с умножением напряжения содержит источник выпрямленного напряжения, тиратрон, n дополнительных тиратронов, дроссель резонансной зарядки, зарядны...

Изобретение относится к поляризационной оптической технике и может быть использовано при изготовлении оптических устройств. Устройство содержит две фазосдвигающие пластины, снабжено корпусом, оправой и тремя сферическими пружинами. Первая фазосдвигающая пластина выполнена в корпусе и неподвижно зафиксирована сферической пружиной. Вторая фазосдвигающая пластина выполнена в оправе и зафиксирована вт...

Изобретение относится к квантовой электронике, спектроскопии, плазмохимии. Способ получения безыскрового разряда в плотных газах заключается в зажигании основного разряда между первым и вторым электродами путем подачи высоковольтного импульса минусом на первый электрод и плюсом на второй электрод, при этом предыонизацию газа осуществляют с помощью пучка низкоэнергитичных электронов, фотонов и элек...

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и направлено на повышение качества гетероструктур, расширение технологической сферы применения способа. Сущность изобретения: в способе изготовления гетероструктуры, заключающемся в том, что в подложку осуществляют имплантацию ионов, предварительно на подложке формируют аморфный слой, а затем в аморфный слой на подложке имплантируют ионы слабора...

Заявленное изобретение относится к эллипсометрам. Эллипсометр содержит осветитель, поляризатор, два измерительных, фазовый и амплитудный, оптически не связанных между собой, параллельных канала, причем указанные элементы оптически связаны с возможностью подачи светового пучка от осветителя к поляризатору, от поляризатора - на исследуемый образец и далее на измерительные каналы, снабжен размещенным...

Изобретение относится к оптике. В фазосдвигающем устройстве, содержащем оптически связанные две фазосдвигающие пластины, установленные с зазором на вычитание вносимых ими сдвигов фаз, указанные фазосдвигающие пластины установлены так, что их оптические оси повернуты относительно друг друга до достижения требуемой точности значения сдвига фаз, а влияние величины поворота плоскости поляризации устра...

Каскадный солнечный элемент содержит подложку, мульти-p-n-переходную структуру солнечного элемента, расположенную на верхней стороне подложки, нижний и верхний контактные электроды, расположенные соответственно на нижней стороне подложки и на верхней части мульти-p-n-переходной структуры солнечного элемента. Мульти-p-n-переходная структура в совокупности с подложкой разделена на каскады солнечного...

Изобретение относится к области микроэлектронной техники и может быть использовано при разработке технологического и тестового оборудования. Изобретение направлено на обеспечение возможности фиксировать на одном и том же предметном столике образцы различного размера и конфигурации без ухудшения предельно допустимых усилий сдвига, при этом на несколько порядков уменьшаются прогибы образцов под ваку...

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключении питания. Техническим результатом является повышение надежности флэш элемента памяти. Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства содержит полупроводниковую подложку с выполненными в н...

Фотодиодный приемник инфракрасного излучения содержит прозрачную для излучения спектральной области фотоприема полупроводниковую подложку, полупроводниковую варизонную структуру, размещенную на подложке. В составе варизонной структуры со стороны подложки последовательно друг на друге выполнены следующие слои. Слой, полученный сильным легированием, высокопроводящий одного типа проводимости с фиксир...

Изобретение относится к устройству для нанесения многослойных оптических покрытий и может быть использовано при изготовлении лазерной техники при создании просветляющих и отражающих покрытий на торцевых поверхностях полупроводниковых лазеров. Устройство содержит две размещенные в вакуумной камере мишени и два формирователя ионного пучка. В вакуумной камере размещен многоканальный загрузочный порт...

Изобретение относится к квантовой электронике и лазерной технологи и может быть использовано в ядерной физике для разделения изотопов. Изобретение касается способа выделения изотопов таллия, заключающегося в том, что создают пучок атомов таллия и проводят многоступенчатое возбуждение атомов требуемого изотопа, после чего осуществляют ионизацию атомов требуемого изотопа и извлекают ионизованные ато...

Изобретение относится к оборудованию для микроэлектронной области техники. Изобретение направлено на повышение процента соединенных контактов до 99,75 за счет значительного повышения точности установки плоскопараллельности двух плоских подложек, имеющих множество контактов в виде выступов, в том числе, с уменьшенной величиной высоты выступов контактов. Указанный технический результат достигается т...

Изобретение может быть использовано в ядерной физике. Создают пучок атомов таллия, например, нагревом металлического таллия в испарительной камере до 600-660°С. Равновесное давление паров таллия 1-10 Па. Одновременно зажигают газовый разряд, посредством которого проводят первую стадию возбуждения атомов таллия - в метастабильное состояние, формируя пучок атомов таллия в возбужденном метаст...

Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано в микрооптомеханике, технике СВЧ, инфракрасного, видимого, ультрафиолетового и рентгеновского диапазона, где нужны структуры с киральными электромагнитными свойствами. Сущность изобретения: в структуре с киральными электромагнитными свойствами, содержащей искусственный твердотельный киральный элемент, киральный элемент выполнен в вид...

Изобретение относится к области производства электронно-оптических приборов, а именно к области производства электронно-чувствительных матриц для электронно-оптических преобразователей (ЭОП), и может быть использовано при изготовлении указанных преобразователей. Технический результат заключается в создании конструкции ЭЧПЗС-матрицы, которая обеспечивает работоспособность ЭОП при таком расположении...

Изобретение может быть использовано в микро- и наноэлектронике для производства радиационностойких интегральных схем, датчиков и устройств микроэлектромеханических систем на изолирующих подложках. Сущность изобретения: при получении структуры "кремний-на-изоляторе" пластину монокристаллического кремния р-типа проводимости подвергают анодному травлению в растворе электролитов, содержащем ионы водор...

Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и может быть использовано при реализации фотоприемных устройств различных спектральных диапазонов. Сущность изобретения: способ считывания сигнального заряда с матричного прибора зарядовой инжекции ПЗИ-фотоприемника, имеющего n×m элементов, организованных в n строк и m столбцов, заключается в получении массива сигналов с элемент...

Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и может быть использовано при реализации фотоприемных устройств различных спектральных диапазонов. Сущность изобретения: способ считывания сигнального заряда с матричного прибора зарядовой инжекции ПЗИ-фотоприемника, имеющего n×m элементов, организованных в n строк и m столбцов, заключается в получении массива сигналов с элемент...

Изобретение относится к физической электронике, квантовой электронике, плазмохимии и диагностическим измерениям. Способ получения электронного пучка заключается в том, что между катодом с полостью и анодом подают напряжение питания, зажигают высоковольтный разряд в газоразрядной ячейке. В катодной полости формируют плазму, которой обеспечивают эмиссию электронов, ускоряемых в сильном поле высоково...

Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и может быть использовано при реализации фотоприемных устройств различных спектральных диапазонов. Сущность изобретения: устройство считывания сигнального заряда с матричного ПЗИ-фотоприемника, имеющего n×m элементов, организованных в n строк и m столбцов, содержит n×m входных контактов, ключи выборки, n первых ключей, многофазн...

Эллипсометр предназначен для оптико-физических измерений. В плече анализатора эллипсометра выполнен единый измерительный канал с функциями фазового и амплитудного каналов, с равным пропусканием поляризованных световых компонент. Канал содержит формирователь квазипараллельных световых пучков, компенсатор и поляризационный расщепитель пучков на поляризованные световые компоненты. Линейно поляризов...

Изобретение относится к интегральной микроэлектронике и предназначено для предпроцессорной обработки фотосигналов. Сущность изобретения: в многоканальном устройстве считывания для фотоприемников, содержащем N канальную систему считывания, измерительную систему, связанные посредством общей шины считывания, соединяющей выход канала системы считывания и вход измерительной системы, и шины коррекции,...

Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства предназначен для хранения информации при отключенном питании. На полупроводниковой подложке с истоком и стоком между последними выполнены туннельный слой, дополнительный туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор. При этом дополнительный туннельный и блокирующий слои выполнены из материа...

Изобретение относится к микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве интегральных кремниевых химических и биосенсоров для автоматизированного контроля окружающей среды, в экологии, в химическом производстве, в биологии и медицине. Изобретение направлено на снижение размеров наносенсора, снижение дефектности, повышение чувствительности, воспроизводимости и эффективности, дост...

Способ анализа трения с использованием атомно-силовой микроскопии и устройство для его осуществления могут быть использованы для исследования трибологических свойств поверхностей в нанометровом масштабе. Изобретение направлено на упрощенное высокоточное измерение энергии диссипации на трение между двумя соприкасающимися телами, в широком диапазоне скоростей и в любой локальной точке их соприкосн...

Способ относится к технологии микроструктурных устройств и полупроводниковых приборов и может быть использован для формирования мембран при изготовлении многоэлементных микромеханических преобразователей. Сущность изобретения: в способе формирования висящих конструкций на подложку осаждают жертвенный слой аморфного кремния 0,3-1,2 мкм и функциональные слои. Затем литографически формируют требуем...

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для ионизации атомарных или молекулярных потоков и формирования ионных пучков в полупроводниковой технологии в области молекулярно-лучевой эпитаксии. Способ ионизации включает многократную бомбардировку атомов или молекул ускоренными электронами. Поток ионизируемых атомов или молекул проходит внутри анода, вдоль его оси. Многократная...

Изобретения относятся к области космической технологии и могут быть использованы для исследований на низкоорбитальных космических аппаратах. Устройство содержит следообразующий экран (1) со средствами (2) для его ориентации в пространстве. Средства (3) для проведения технологических операций с образцами закреплены в центральной части экрана (1). Эти средства имеют возможность перемещения из герм...

Устройство для определения пористых характеристик тонких слоев относится к микроэлектронике, катализу, биохимии. Устройство содержит поляризатор и анализатор быстродействующего лазерного эллипсометра. Также устройство содержит столик для крепления образцов и сопла для подачи парогазовой смеси непосредственно в зону эллипсометрических измерений. Причем указанные детали закреплены на жесткой раме....

Изобретение относится к области вакуумной технологии для поддержания высокого вакуума в различных приборах, в особенности к области вакуумирования полупроводниковых приборов, и может быть использован при разработке конструкций инфракрасных фотоприемников, помещаемых в герметичный вакуумный корпус. Геттерный элемент состоит из пористого геттерирующего вещества, на поверхность которого нанесена не...

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам (ЭППЗУ), сохраняющим информацию при отключенном питании (флэш-память), и может быть использовано в устройствах памяти вычислительных машин, микропроцессорах, в различных портативных электронных устройствах, а также в различных электронных платежных средствах и докуме...

Изобретение относится к электронике и может быть использовано в физической электронике, квантовой электронике, плазмохимии, диагностических измерениях. Способ получения электронного пучка заключается в том, что путем подачи напряжения питания между катодом и анодом зажигают высоковольтный разряд в газоразрядной ячейке. В промежуток между катодом и анодом осуществляют дополнительный приток ионов,...

Согласно изобретению между контактными слоями солнечного элемента расположена диодная структура. В диодной структуре последовательно сформированы базовый поглощающий слой полупроводника заданного типа проводимости, многослойная структура из слоев нанообъектов из материала с шириной запрещенной зоны, меньшей, чем у базового материала, и слоев базового материала (спейсеров), разделяющих слои нанооб...

Изобретение относится к технике оптико-физических измерений, а именно к эллипсометрии, и может быть использовано при неразрушающем контроле оптических параметров поверхности и тонких слоев пленок. Эллипсометр содержит поляризатор, подставку для исследуемого образца и фоторегистратор. Поляризатор выполнен в виде полупроводникового одномодового лазера с вертикальным резонатором со стабилизированной...

Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и может быть использовано при разработке и изготовлении гибридных интегральных детекторов инфракрасного излучения, стойких к многократным циклам охлаждения-нагревания. Сущность изобретения: гибридная структура для детектора инфракрасного излучения, состоит из слоя регистрации инфракрасного излучения, соединенного со слоем преобразовани...