Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Пульсар" (RU)

Изобретение относится к электронике, а именно к повторителям напряжения для усиления тока и преобразования импеданса в цепях электронных устройств, выполненным по интегральной технологии. Технический результат заключается в повышении быстродействия и точности. Устройство содержит первый-третий n-p-n транзисторы (Т) (1,4,12), первый-третий p-n-p Т (2,5,10), резисторы (Р) (9,11,13), коллекторные наг...

Использование: изобретение относится к области конструирования и производства мощных СВЧ-транзисторов. Техническим результатом изобретения является возможность создания широкополосного мощного биполярного СВЧ-транзистора с повышенным значением коэффициента полезного действия. Сущность изобретения: в мощном биполярном СВЧ-транзисторе, содержащем транзисторные кристаллы, расположенные на коллекторно...

Изобретение относится к области производства электронно-оптических приборов, а именно к области производства электронно-чувствительных матриц для электронно-оптических преобразователей (ЭОП), и может быть использовано при изготовлении указанных преобразователей. Технический результат заключается в создании конструкции ЭЧПЗС-матрицы, которая обеспечивает работоспособность ЭОП при таком расположении...

Использование: в системах приема оптической информации с многоэлементных приемников и ее обработки средствами интегральной микроэлектроники. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности интегрального устройства считывания сигналов с временной задержкой и накоплением сигналов (ВЗН). Сущность изобретения: в устройстве считывания с ВЗН сигналов с многоэлементных фотоприемни...

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. Техническим результатом изобретения является повышение предельно-допустимых значений электрических параметров и режимов эксплуатации СВЧ LDMOS - транзисторов и обеспечение условий для организации рентабельного промышленного выпуска данных изделий. Сущность изобретения: в СВЧ LDMOS - транзисторе, содержащем полупроводниковую подложку с...

Фотопреобразователь содержит диэлектрическую подложку, включенные последовательно слои монокристаллического кремния, с участками различного типа проводимости. Слои монокристаллического кремния толщиной 5-15 мкм расположены планарно на диэлектрической подложке и изолированы друг от друга. Участки одного типа проводимости каждого слоя монокристаллического кремния соединены с участками противоположно...

Изобретение относится к области производства твердотельных фоточувствительных полупроводниковых приборов, а именно к области производства преобразователей мощности света в электрический ток, и может быть использовано при изготовлении указанных приборов. Фотопреобразователь содержит подложку с областями р- и n-типа проводимости, образующими р-n-переход, и соединенные с р-n-переходом полосковые ом...

Использование: в системах приема оптической информации с высокой эффективностью регистрации светового излучения при помощи лавинных фотодиодов со схемой гашения гейгеровского разряда. В твердотельный гейгеровский детектор с активной схемой восстановления, содержащий лавинный фотодиод, анод которого соединен с шиной напряжения смещения, катод соединен с первым электродом резистора гашения, ключев...

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и направлено на повышение величины энергии лавинного пробоя, стойкости к воздействию ионизирующих излучений, расширение области безопасной работы и функциональных возможностей мощных кремниевых транзисторов. В способе изготовления мощных полевых транзисторов с изолированным затвором, включающем формирование защитного покрытия с верхним слоем н...

Изобретение относится к системам регистрации оптической информации и ее обработки. Изобретение позволяет повысить чувствительность устройства считывания сигналов с многоэлементных фотоприемников. Сущность изобретения: устройство считывания сигналов с многоэлементных фотоприемников состоит из ячеек, каждая из которых содержит емкость интегрирования, емкость компенсации, буферный транзистор, транз...

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в способе изготовления СВЧ мощных полевых LDMOS-транзисторов, включающем формирование первичного защитного покрытия на лицевой стороне исходной кремниевой подложки с верхним высокоомным и нижним высоколегированным слоями первого типа проводимости, вскрытие окон в первичном защитном покрытии, подлегирование вскры...

Изобретение относится к области производства вакуумных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) электромагнитного излучения, а именно - к области производства твердотельных матриц для ФЭП, и может быть использовано при изготовлении указанных матриц. Твердотельная матрица содержит совокупность ячеек, поверхность которых покрыта резистивным слоем, причем резистивный слой выполнен из пленки линейно...

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении таких приборов как, например, гетеропереходные полевые транзисторы (НЕМТ), биполярные транзисторы (BJT), гетеробиполярные транзисторы (НВТ), p-i-n диоды, диоды с барьером Шотки и многие другие. Изобретение обеспечивает упрощение технологии изготовления приборов, повышение их мощности и, практичес...

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к композиционным материалам для металлокерамических спаев. Композиционный материал, содержит мас., %: вольфрам 69-71; бор 0,05-0,15; марганец 0,1-0,3; никель 0,2-0,3; литий 0,03-0,14; кремний 0,2-0,3; медь - остальное. Исходные порошки смешивают, прокатывают в полосы, полосы спекают и прокатывают, после чего их собирают в пакет с чередо...

Изобретение относится к области производства оптоэлектронных приборов, в частности к производству матричных фоточувствительных приборов с зарядовой связью. Сущность изобретения: матричный фоточувствительный прибор с зарядовой связью содержит горизонтальный сдвиговый регистр, выходное устройство, алюминиевые шины на периферии, фоточувствительные ячейки на основе фотодиодов и вертикальных сдвиговы...

Изобретение относится к области радиолокационной техники, в частности к активным фазированным решеткам. Техническим результатом изобретения является возможность создания 4-х канального модуля с малыми габаритными размерами при высокой воспроизводимости электрических характеристик и технологичности настроек критичных СВЧ-узлов. Согласно изобретению модуль активной фазированной решетки включает че...

Использование: для контроля дефектности и упругой деформации в слоях полупроводниковых гетероструктур. Сущность: заключается в том, что с помощью рентгеновской дифрактометрии при использовании скользящего первичного рентгеновского пучка получают ассиметричное отражение от кристаллографических плоскостей, которые составляют наибольший угол с поверхностью интерфейса подложка-эпитаксиальный слой, и...

Изобретение относится к электронике, а именно к операционным усилителям (ОУ) с токовой обратной связью, выполненным по интегральной технологии для использования в устройствах обработки, усиления и аналого-цифрового преобразования видео- и радиосигналов. Технический результат: повышение точности. ОУ содержит входную цепь сдвига уровня (1), вход которой соединен с неинвертирующим входом (2) ОУ, пер...

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на улучшение электрических параметров СВЧ мощных кремниевых генераторных LDMOS транзисторов, повышение их стойкости к воздействию ионизирующих излучений и повышение процента выхода годных изделий. Сущность изобретения: в способе изготовления СВЧ LDMOS транзисторов, включающем выращивание толстого полевого диэлектрика на по...

Использование: для структурной диагностики полупроводниковых многослойных структур. Сущность заключается в том, что осуществляют сканирование образца в условиях брэгговского отражения с использованием Ω-метода в пошаговом режиме рентгеновской дифрактометрии, при этом для многослойных гетероструктур AlGaN/GaN с нанометровыми слоями используют рентгеновскую однокристальную дифрактометрию мощностью...

Изобретение относится к технологии создания полупроводниковых приборов, в частности к области конструирования и производства мощных биполярных кремниевых СВЧ-транзисторов. Техническим результатом изобретения является воспроизводимость процесса диффузии бора в кремний. Сущность изобретения: в способе диффузии бора в кремний после хранения окисленных пластин BN в атмосфере воздуха, содержавшего нен...