Способ получения отверстий в полиимидной пленке

Способ получения отверстий в полиимидной пленке

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОТВЕРСТИЙ В ПОЛИИМИДНОЙ ПЛЕНКЕ, включающий .нанесение на поверхность пленки ..маскирующего слоя, формирование в нем рисунка методом фотолитографии и травление полию4идной пленки в кислородсодержащей плазме, отличающийся тем, что, с целью повьшения воспроизводимости процесса , перед нанесением маскирующего слоя и перед травлением полиимидной пленки проводят имидизацию полиимидной пленки.

(1% (П) СОЮЗ СОВЕТСКИХ

РЕСПУБЛИК

1 312

З(5П Н 01 Ь 2

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЙ .

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

Гю делАм изОБРетений и отнРытий

Н ASTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3396415/18-21 (22) 12.02.82 .(46) 07.07.83..Бюл. Р 25 (72) P.A.Усманов и В,A.Хамаев (53) 621.382 ° 002(088 ° 8) (56) 1. Патент Японии Р 52-9990, кл. 99 (5), НО, 1977 °

2. Авторское свидетельство СССР . Р 845752, кл. Н 01 L 21/28, 1980 (прототип). (54) (57) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОТВЕРСТИЙ

В ПОЛИИМИДНОЙ ПЛЕНКЕ, включающий .нанесение на поверхность пленки .маскирующего слоя, формирование в нем рисунка методом фотолитографии и, травление полию(идной пленки в кислородсодержащей плазме, о т л и— чающийся тем,что,сцелью повнщения воспроизводимости процесса, перед нанесением маскирующего слоя и перед травлением полиимидной пленки проводят имидиэацию полинмидной пленки.

1027794

Изобретение относится к микроэлект- ухудшается качество получаемой микроронике и может быть использовано при : схемы. изготовлении гибридных пленочных мик- росхем. Наиболее близким к предлагаемому

Известен спосОб получения отвер- является способ получения отверстий стий в полиимидной.пленке, включающий 5 в полиимидной пленке, включающий наформирование на подложке первого несение на поверхность пленки маскислоя схемы, нанесение полиимидной рующего слоя, формирование в нем пленки, травление полиимидной пленки рисунка методом фотолитографии и травв местах перехода с первого слоя схе- ление полиимидной пленки в кисломы на второй и нанесение на нее ме- >0 родосодержащей плазме 2). таллизации второго слоя схемы 1). Недостатком известного способа

Недостатком данного способа яв- является невысокая воспроизводимость ляется невысокая воспроиэводимость размеров, получаемых в полиимидной размеров отверстий в полиимидной пленке отверстий, связанная с неполпленке. Это связано с тем, что про- 5 ной имидизацией полиимидной пленки. дукты неполной имидизации полиимид- Получение полиимидов осуществляют ной пленки препятствуют равномерному путем внутримолекулярной дегидратацитравлению полиимида и осаждению ме- онной циклизации полиамидокислот по таллических слоев. В конечном итоге следующей реакции:,,Со Со

R . X-Ç

В массе образующегося полиимида присутствует до 15% полиамидокислоты, а также растворитель-диметилформ-30 амид. Полиимидная пленка обладает способностью влагопоглощения, составляющего до 5Ъ от веса полиимида.

Причем зти процесоы обратимые.

При нанесении маскирующего покрытия выделяющиеся в результате неполной имидизации газообразные продукты препятствуют равномерному осаждению, взаимодействуют с материалом наносимого слоя, изменяют его свойства. B конечном итоге маскирующее 40 покрытие локально отслаивается и не выполняет своих защитных функций, что ухудшает вопроиэводимость размеров получаемых отверстий, и снижает качество и надежность микро- 45 схем, в которых полиимидная пленка является изоляцией или подложкой.

Цель изобретения — повышение воспроизводимости процесса.

Поставленная цель достигается 50 тем, что согласно способу получения отверстий в полиимицной пленке, включающему нанесение на поверхность пленки маскирующего слоя, формирования в нем рисунка методом фотолитографии и травление полиимидной пленки в кислородсодержащей плазме, перед нанесением маскирующего слоя и перед травлением полиимидной пленки проводят имидизацию полиимидной пленки. бО

Полная имидизация полиимидной пленки непосредственно перед нанесением маскирующего слоя и перед травлением в плазме сдвигает реакцию вправо. В результате образуется б5

100%-ный полиимид и в массе его отсутствуют полиамидокислота, диметилформамид и влага.

Пример 1. Полиимидную пленку марки IIN-1 толщиной 50 мкм, диаметром 1б0 мм подвергают перед нанесением маскирующего слоя полной имидиэации, для чего обрабатывают уксусным ангидридом в присутствии пиридина и подсушивают. Затем полиимидную пленку помещают в вакуумную камеру напылительной установки, где испарением наносится маскирующий слой алюминия толщиной 1,5-2 мкм. Далее формируется рисунок в маскирующем слое нанесением фотореэиста ФН-11 с проявлением участков, необходимых для травления пленки. С этих вскрытых участков удаляется алюминий до полиимида. Затем процесс полной имидизации повторяют перед травлением полиимида.

Травление осуществляют в кислородсодержащей плазме на установке "Плазма 600 Т". При этом алюминий маскирует, а иэ вскрытых участков пленка стравливается. Далее максирующий слой удаляют и полиимидная пленка для межслойной изоляции готова.

Пример 2. Полиимидную пленку марки ПИ-40 толщиной 40 мкм подвергают полной имидизации уксусным ангидридом в присутствии пирицина подсушивают. Затем наносят на обе стороны полиимидной пленки маскирующий слой Cv-Со -AE испарением металлов в вакууме, толщиной соответственно 0,05, 2 и 1 мкм Далее формируется фоторезистивная. маска ФН-11, со вскрытых участков удаляется травлением алюминий, медь и хром до поли1027794

Редактор Н.Ковалева.Составитель A. Хохлов

Техред М. Костик

КорректорС.Шекмар

Эаказ 4751/57 Тираж 703

ВНИИПИ Государственного. комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Подписное

Филиал ППП "Патент",,г. Ужгород, Ул. Проектная, 4 имида, после чего. операцию полной имидизации повторяют., Сквозное травление пленки полиимида осуществляют в кислородной плазме при давлении кислорода. 1-2 мм рт.ст. Эатем слой алюминия удаляют в щелочном раствор ре, а на оставшихся слоях меди с подслоем хрома формируют пленочную микросхему.

Предлагаемый способ позволяет в 3-4 раза повысить воспроизводимость получения размеров отверстий в полиимидной пленкеи обеспечить высокое качество и надежность гибридных микросхем.