Способ изготовления омических контактов

Способ изготовления омических контактов

Реферат

Способ изготовления омических контактов, включающий легирование кремниевой подложки для создания мелкозалегающего p-n-перехода, нанесение барьерного слоя переходного металла, облучение его потоком ионов, нанесение токопроводящего слоя, термообработку в вакууме при температуре 673-1073 K, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, легирование кремния проводят до получения поверхностной концентрации 8·10 ²³ - 8·10²⁴ м^-3, а в качестве барьерного слоя используют пленку тантала или вольфрама.