PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Автюшков Е.В.

Изобретатель Автюшков Е.В. является автором следующих патентов:

Установка ионного легирования

Установка ионного легирования

 Установка ионного легирования, содержащая систему формирования и транспортирования пучка ионов, блок измерения дозы с усилителем постоянного тока, приемную камеру с расположенным в ней контейнером с кассетами, в которых выполнены сквозные пазы, совмещенные с датчиками Фарадея, находящимися внутри контейнера и электрически соединенными с входом усилителя постоянного тока, отличающаяся тем,...

1144560

Способ изготовления омических контактов

Способ изготовления омических контактов

 Способ изготовления омических контактов, включающий легирование кремниевой подложки для создания мелкозалегающего p-n-перехода, нанесение барьерного слоя переходного металла, облучение его потоком ионов, нанесение токопроводящего слоя, термообработку в вакууме при температуре 673-1073 K, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, легирование кремния проводят д...

1163765

Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора

Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора

 Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора, включающий легирование путем облучения ионами расположенных над массивными областями базы и покрытых слоем окисла кремния участков поверхности сформированной транзисторной структуры и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных транзисторов путем уменьшения тока утечки через переход база...

1186030

Способ измерения удельного контактного сопротивления

Способ измерения удельного контактного сопротивления

 Способ измерения удельного контактного сопротивления, включающий создание p-n-перехода в полупроводниковой подложке, нанесение четырех металлических контактов, расположенных на одной линии, подключение зондов к контактам, пропускание тока I через первый и четвертый контакты, измерение падения напряжения U 1 между первым и вторым, а также U2 между вторым и третьим контактами, вычисление уд...

1284430

Установка ионного легирования

Установка ионного легирования

 Установка ионного легирования, включающая последовательно расположенные в вакуумной камере источник многозарядных ионов, масс-сепаратор, состоящий из магнита с полюсами, выполненными в форме секторов в плоскости, перпендикулярной магнитным силовым линиям, и расположенного между полюсами и повторяющего их форму в той же плоскости ионопровода, ускорительную трубу и подложкодержатель, отлича...

1292601


Способ подготовки образцов для электронно-микроскопических и электронографических исследований

Способ подготовки образцов для электронно-микроскопических и электронографических исследований

 Способ подготовки образцов для электронно-микроскопических и электронографических исследований, включающий размещение исходной заготовки на поверхности нейтральной жидкости исследуемой стороной вниз, нанесение на обратную сторону заготовки порции жидкого травителя и выдержку заготовки до появления в ней сквозных микроотверстий, отличающийся тем, что, с целью повышения качества образцов за...

1505158