Автюшков Е.В.
Изобретатель Автюшков Е.В. является автором следующих патентов:
Установка ионного легирования
Установка ионного легирования, содержащая систему формирования и транспортирования пучка ионов, блок измерения дозы с усилителем постоянного тока, приемную камеру с расположенным в ней контейнером с кассетами, в которых выполнены сквозные пазы, совмещенные с датчиками Фарадея, находящимися внутри контейнера и электрически соединенными с входом усилителя постоянного тока, отличающаяся тем,...
1144560Способ изготовления омических контактов
Способ изготовления омических контактов, включающий легирование кремниевой подложки для создания мелкозалегающего p-n-перехода, нанесение барьерного слоя переходного металла, облучение его потоком ионов, нанесение токопроводящего слоя, термообработку в вакууме при температуре 673-1073 K, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, легирование кремния проводят д...
1163765Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора
Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора, включающий легирование путем облучения ионами расположенных над массивными областями базы и покрытых слоем окисла кремния участков поверхности сформированной транзисторной структуры и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных транзисторов путем уменьшения тока утечки через переход база...
1186030Способ измерения удельного контактного сопротивления
Способ измерения удельного контактного сопротивления, включающий создание p-n-перехода в полупроводниковой подложке, нанесение четырех металлических контактов, расположенных на одной линии, подключение зондов к контактам, пропускание тока I через первый и четвертый контакты, измерение падения напряжения U 1 между первым и вторым, а также U2 между вторым и третьим контактами, вычисление уд...
1284430Установка ионного легирования
Установка ионного легирования, включающая последовательно расположенные в вакуумной камере источник многозарядных ионов, масс-сепаратор, состоящий из магнита с полюсами, выполненными в форме секторов в плоскости, перпендикулярной магнитным силовым линиям, и расположенного между полюсами и повторяющего их форму в той же плоскости ионопровода, ускорительную трубу и подложкодержатель, отлича...
1292601Способ подготовки образцов для электронно-микроскопических и электронографических исследований
Способ подготовки образцов для электронно-микроскопических и электронографических исследований, включающий размещение исходной заготовки на поверхности нейтральной жидкости исследуемой стороной вниз, нанесение на обратную сторону заготовки порции жидкого травителя и выдержку заготовки до появления в ней сквозных микроотверстий, отличающийся тем, что, с целью повышения качества образцов за...
1505158