Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора

Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора

Реферат

Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора, включающий легирование путем облучения ионами расположенных над массивными областями базы и покрытых слоем окисла кремния участков поверхности сформированной транзисторной структуры и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных транзисторов путем уменьшения тока утечки через переход база - коллектор, легирование проводят ионами фосфора в слой окисла на глубину проецированного пробега, равную 0,6-0,8 толщины слоя, дозой 10¹² - 10¹⁵ см ^-2, а отжиг проводят при температуре 573-723 K в течение 6·10² - 3,5·10³ с.