Гурский Л.И.

 1. Способ обработки полупроводниковых пластин, включающий погружение пластин в ванну с рабочей жидкостью и пропускание через нее газа, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности обработки и качества обработки пластин, к пластинам прикладывают низкочастотные колебания и сообщают им вращение в горизонтальной и возвратно-поступательное движение в вертикальной плоскости, пере...

 Сплав на основе алюминия, включающий медь, окись алюминия и кремний, отличающийся тем, что, с целью увеличения адгезионных свойств, он дополнительно содержит магний при следующем соотношении компонентов, мас.%: Медь0,1-8,0 Окись алюминия0,1-8,0 Кремний0,5-1,5 Магний0,5-5,0 АлюминийОстальное

 Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках, основанный на измерении вольт-фарадной характеристики МДП-структуры и определении профиля концентрации легирующей примеси расчетным путем, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов определения профиля концентрации легирующей примеси, перед измерением вольт-фарадной характеристики к МДП структуре приклад...

 Сплав на основе алюминия, содержащий медь, окись алюминия и кремний, отличающийся тем, что, с целью повышения электромиграционной стойкости сплава при повышенных температурах, он дополнительно содержит циркон при следующем соотношении компонентов, вес.%: медь1,0-8,0 окись алюминия0,1-8,0 кремний0,5-1,5 циркон0,1-2,0 алюминийостальное

 Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов, содержащий германий, иттрий, алюминий, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры пайки и увеличения мощности полупроводниковых приборов, припой содержит компоненты в следующем соотношении, вес.%: Германий53-55 Иттрий0,1-2,0 АлюминийОстальное

 Способ изготовления контактов полупроводниковых приборов, включающий нанесение алюминия в места формирования контактов, создание контактных площадок и присоединение золотого вывода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контактов путем исключения образования интерметаллических соединений, на слой алюминия дополнительно наносят пленку алюминия с добавлением сурьмы в количеств...

 Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов по авт. св. 928736, отличающийся тем, что, с целью снижения склонности к трещинообразованию при пайке кристаллов больших размеров, он дополнительно содержит циркон при следующем соотношении компонентов, вес.%: Германий53-55 Иттрий0,1-2,0 Циркон4-6 АлюминийОстальное

 Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий последовательное нанесение на полупроводниковую подложку с активными областями слоев алюминия, молибдена и алюминия, формирование разводки и нанесение слоя двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов за счет увеличения стойкости к электромиграции, перед формированием разводки дополнительно...

 Устройство для контроля качества поверхности полупроводниковых подложек, содержащее смонтированный на станине предметный столик, расположенные на одной оптической оси лазер, коллиматор и полупрозрачное зеркало, видикон и видеоконтрольное устройство, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности и улучшения качества контроля, оно дополнительно снабжено механизмом разделения п...

 1. Испаритель для нанесения нихромовых пленок, состоящий из нихромовых проволочных элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы, он снабжен стержнем из нихрома, а проволочные элементы выполнены в виде спиралей, одна из которых навита на стержень и между ее витками размещена смесь из порошков хрома и никеля, а другая навита на стержень между витками первой, причем шаг t...

 Устройство для измерения характеристик МДП-структур, содержащее генератор тестового сигнала и генератор напряжения смещения, выход которых соединены с первой клеммой для подключения испытуемой структуры, вторая клемма для подключения которой соединена с первым выводом резистора, второй вывод которого соединен с общей шиной, усилитель напряжения, вход которого также соединен со второй клем...

 Установка ионного легирования, содержащая систему формирования и транспортирования пучка ионов, блок измерения дозы с усилителем постоянного тока, приемную камеру с расположенным в ней контейнером с кассетами, в которых выполнены сквозные пазы, совмещенные с датчиками Фарадея, находящимися внутри контейнера и электрически соединенными с входом усилителя постоянного тока, отличающаяся тем,...

 Способ изготовления омических контактов, включающий легирование кремниевой подложки для создания мелкозалегающего p-n-перехода, нанесение барьерного слоя переходного металла, облучение его потоком ионов, нанесение токопроводящего слоя, термообработку в вакууме при температуре 673-1073 K, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, легирование кремния проводят д...

 Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, включающий нанесение на две стеклянные подложки групп прозрачных токопроводящих областей, контактных площадок и внешних электродов, нанесение поверх них защитного диэлектрического слоя двуокиси кремния, разделение подложек на пластины, нанесение на пластины слоя, задающего ориентацию жидкого кристалла, соединение пластин попарно по пер...

 Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора, включающий легирование путем облучения ионами расположенных над массивными областями базы и покрытых слоем окисла кремния участков поверхности сформированной транзисторной структуры и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных транзисторов путем уменьшения тока утечки через переход база...

 Способ создания металлизации интегральных микросхем, включающий нанесение на полупроводниковую пластину с активными и пассивными областями металлических слоев, преимущественно алюминия, формирование разводки, термообработку, осаждение диэлектрического слоя и его травление в области контактных площадок, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности микросхем, термообработку осуществл...

 1. Сплав для резистивных пленок, содержащий кремний, железо, хром и вольфрам, отличающийся тем, что, с целью снижения разброса удельного сопротивления и уменьшения температурного коэффициента сопротивления резистивных пленок, он содержит компоненты в следующем соотношении, мас.%: Кремний32,3-33,0 Железо35,7-37,2 Хром13,0-13,7 ВольфрамОстальное 2. Способ получения сплава, включающий плавле...

 Способ измерения удельного контактного сопротивления, включающий создание p-n-перехода в полупроводниковой подложке, нанесение четырех металлических контактов, расположенных на одной линии, подключение зондов к контактам, пропускание тока I через первый и четвертый контакты, измерение падения напряжения U 1 между первым и вторым, а также U2 между вторым и третьим контактами, вычисление уд...

 Устройство для вакуумно-плазменного травления пластин из немагнитных материалов, включающее планарный реактор с расположенной в нем парой электродов, соединенных с высокочастотным генератором, систему газоснабжения, вакуумную систему и систему формирования магнитного поля, выполненную в виде переменнополюсной комбинации постоянных магнитов, отличающееся тем, что, с целью локализации облас...

 Установка ионного легирования, включающая последовательно расположенные в вакуумной камере источник многозарядных ионов, масс-сепаратор, состоящий из магнита с полюсами, выполненными в форме секторов в плоскости, перпендикулярной магнитным силовым линиям, и расположенного между полюсами и повторяющего их форму в той же плоскости ионопровода, ускорительную трубу и подложкодержатель, отлича...

 Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, включающий формирование на одной подложке прозрачных токопроводящих электродов, а на другой прозрачных сплошных областей токопроводящих электродов, разделение подложек на сегментные и общие пластины, нанесение на каждую пластину ориентирующего слоя, соединение пластин, заполнение полости между ними жидким кристаллом, отличающийся тем,...

 Прокладка для контактно-реактивной пайки кремниевых кристаллов, содержащая золото, отличающаяся тем, что, с целью снижения величины остаточных механических напряжений в кристалле, она дополнительно содержит порошок силицида гафния с размером частиц 2-7 мкм при следующем соотношении компонентов, мас.%: Силицид гафния15-30 ЗолотоОстальное

 1. Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, заключающийся в том, что на две стеклянные подложки последовательно наносят электропроводящее покрытие, содержащее группы прозрачных областей, контактные площадки и внешние электроды, и защитный диэлектрический слой двуокиси кремния, удаляют участки диэлектрического слоя с внешних электродов ионно-химическим травлением в скрещенных...

 Способ обработки тонких проводящих пленок МОП- и МП-систем путем воздействия на них импульсным электромагнитным полем, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии пленок и снижения разброса ее величины по площади подложки, воздействие осуществляют при следующих параметрах электромагнитного поля:энергия в импульсе W = Kw (Дж),частота числом импульсов от 1 до 10,где Kw = 1,786·10...

 Способ изготовления пленочных резисторов, включающий нанесение резистивной пленки на диэлектрическое основание, термическую обработку, формирование контактов, подгонку сопротивления и импульсную токовую тренировку, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров, термическую обработку диэлектрического основания с нанесенной резистивной пленкой проводят при температуре на...