Способ контроля толщины тонких окисных пленок

Способ контроля толщины тонких окисных пленок

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ТОЛЩИНЫ ТОНКИХ ОКИСНЫХ ПЛЕНОК, заключающийся в том, что измеряют ток вторично-электронной эмиссии, отличающийся тем, что, с целью обеспечения контроля в процессе изготовления пленки и упрощения способа, регистрируют ток экзоэлектронов , возникающих в процессе окисления материала подложки, и о Толщине пленки судят по величине общего заряда эмиттированных экзоэлектронов .

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (51)4. G 01 В 7/06

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

IlO ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ABTOPGHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3637857/25-28 (22) 18.08.83 (46) 07. 10.85. Бюл. У 37

; (72) С.Г. Тхир, В.К. Гришин, Л.И. Иванкив и А.M. Пенцак (53) 621.317. 39: 531. 717 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Ф 687900, кл. G 01 В 15/02, 1981.

"Приборы для научных исследований", 1980, 51, 1Ф 3, с. 38-42.

„„SU„„1183830 A (54) (57) СПОСОБ КОНТРОЛЯ ТОЛ 1ИНЫ

ТОНКИХ ОКИСНЫХ ПЛЕНОК, заключающийся в том, что измеряют ток вторично-электронной эмиссии, о т л и— ч а ю шийся тем, что, с целью обеспечения контроля в процессе изготовления пленки и упрощения способа, регистрируют ток экзоэлектронов, возникающих в процессе окисления материала подложки, и о толщине пленки судят по величине общего, заряда эмиттированных экзоэлектронов.

1183830

4=К вЂ” 8

1 р

Ч=К вЂ” J

5 где

Составитель А.Куликов

Редактор T.Êóãðüïïåâà Техред С.Мигунова

Корректор Г.Решетник

Заказ 6260/42

Тираж 650 Подпис ное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано для контроля толщины и скорости образования тонких окисных пленок, получаемых путем S окисления материала подложки и одно-. временного управления скоростью их роста в технологическом процессе изготовления, а также для контроля толщины тонких пленок, получаемых путем 1О галогенизации материала подложки или других гетерогенных реакций, сопровождаемых экзоэлектронной эмиссией.

Целью изобретения является обеспе-1З чение контроля в процессе изготовления пленки и упрощение способа.

Способ осуществляется следующим . образом.

В вакуумной камере на диэлектрн- 20 ческую подложку напыляют пленку (например, магниевую) . Напыление прекращают и нагревают образец до

350-700 К. В камеру напускают кислород до плавления 10 -10 Па. 2

Электроны, которые эмиттируют при окислении магния, регистрируют с помощью вторично-электронного умножителя, размещенного вблизи образца, широкополосного усилителя с дискри- 30 минатором и цифрового частотомера, работающего в режиме интегратора.

Регистрируют общее число эмиттированных электронов при полном окислении магния, и о толщине окисной пленки судят по величине общего заряда эмиттированных электронов по формуле где d — - толщина пленки, К вЂ” коэффициент, характеризующий количество общего заряда эмиттированных электронов при окислении единицы толщины окисляемой пленки, 5 — площадь получаемой пленки, Q — общий заряд эмиттированных электронов.

Кроме того, предлагаемым способом можно определять и скорость образования окисной пленки по формуле — скорость образования окисной пленки;

К вЂ” коэффициент, характеризующий количество общего заряда эмиттированных электро-.. нов при окислении единицы толщины окисляемой пленки — площадь получаемой пленки, — величина силы тока вторичной эмиссии электронов.