Способ формирования изображения микроструктуры металл- диэлектрика в растровом электронном микроскопе

Способ формирования изображения микроструктуры металл- диэлектрика в растровом электронном микроскопе

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к област измерительной техники, в частности к способам получения изображения микроструктуры Поверхности диэлектриков с нанесенным проводящим покр тием и может быть использовано, нап ример, при .производстве и совершенствовании растровых электронных микроскопов . Цель изобретения - повышение чувствительности путем использования в качестве формирующего импульса разностного сигнала, параметры которого определяются свойствами переходного слоя. Для регистрации сигнала поглощенных электронов металлическое покрытие 4 через измерительную часть устройства 7 заземляют. Зарегистрированный сигнал усиливается до амплитуды, равной амплитуде импульса потока отраженньЬс электронов 2, и в противофазе поступает на схему вычитания. После вычитания на выходе схемы образуются импульсы, обусловленные утечкой заряда с диэлектрика, которые поступают на интегратор или временной дискриминатор, а затем на главный усилитель для формирования изображения. 2 ил. -TV

союз совктсних социдлистичесних

Республин (19) (10 (5р 4 С 01 И 23/225 (21) 3782367/24-21 (22) 10.08.84 (46) 23.12.85, Бюл. Р 47 (72) А.А.Олейников (53) 621.385.833(088.8) (56) Вейнберг Ф. Приборы и методы физического металловедения.-M.: Мир, 1974 вып.2, с.238-242.

Растровая электронная микроскопия. /Под ред. Д.Гоулдштейна и Х.Яковица.- М.: Мир, 1978, с.150169.. (54) СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ

МИКРОСТРУКТУРЫ МЕТАЛЛ вЂ” ДИЭЛЕКТРИК

В РАСТРОВОМ ЭЛЕКТРОННОМ МИКРОСКОПЕ. (57) Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к способам получения изображения микроструктуры поверхности диэлектриков с нанесеннья проводящим покрытием и может быть использовано, например, при .производстве и совершенствовании растровых электронных микроскопов. Цель изобретения - повышение чувствительности путем использования в качестве формирующего импульса разностного сигнала, параметры которого определяются свойствамипереходного слоя. Для регистрации сигнала поглощенных электронов металлическое покрытие 4 через измерительную часть устройства 7 заземляют.

Зарегистрированный сигнал усиливается до амплитуды, равной амплитуде импульса потока отраженных электронов 2, и в противофазе поступает на схему вычитания. После вычитания на выходе схемы образуются импульсы, обусловленные утечкой заряда с диэлектрика, которые поступают на интегратор или временной дискриминатор, а затем на главный усилитель для формирования изображения. 2 ил, 1200176

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к способам получения изображения микроструктуры поверхности диэлектриков с нанесенным проводящим покрытием и может быть использовано в приборостроении при производстве и совершенствовании растровых электронных микроскопов (РЭМ), а также при проведении экспериментальных работ с использо- IP ванием РЭМ.

Целью. изобретения является повЫшение чувствительности путем использования в качестве формирующего импульса разностного сигнала, парамет- 15 ры которого определяются свойствами переходного слоя между диэлектриком и проводящим покрытием.

На фиг. 1 показана схема измерения; на фиг.2 — эпюры сигналов. 20

Электронно-оптическая ось (фиг.1) совпадает с импульсным потоком 1 электронов. На пути отраженного потока 2 установлен детектор 3 отраженных электронов. Образец имеет 25 металлическое покрытие 4, нанесенное на диэлектрике 5. Между диэлектриком и покрытием имеется переходный слой 6. С покрытия снимается сигнал, регистрируемый измерительным устрой- 5ц ством 7.

На фиг.2 показаны эпюра 8 сигнала отражейных электронов, эпюра 9 поглощенных электронов, эпюра 10

Разности между этими сигналами H 35 эпюра 11 проинтегрированного разностного сигнала.

Способ осуществляют следующим образом.

Импульсное облучение образца мо- 4О жет осуществляться как с помощью специальных схем, так и электромеханическим путем, например, с помощью диска с отверстиями, приводимого во вРащение электродвигателем, При этом 45 часть электронов отражается, образуя поток 2, регистрируемый детектором

3, а другая часть поглощается металлическим покрытием 4 и возбуждает в диэлектрике 5 неосновные носители заряда.

Для регистрации сигнала поглощенных электронов металлическое покрытие 4 через измерительную часть устройства 7 заземляется. Далее этот зарегистрированный сигнал усиливается до амплитуды, равной амплитуде импульса потока отраженных электронов, и в противофазе поступает на схему вычитания.

После вычитания на выходе схемы образуются импульсы (эпюра 10), обусловленные утечкой заряда с диэлектрика и поступающие на интегратор или временной дискриминатор, а затем на главный усилитель РЭМ для формирования изображения.

Практическая реализация способа осуществлена на микроанализаторе

УХ -ЗА, в вакуумную систему которого введен электромеханический модулятор. Первичный электронный поток прерывается модулятором, и образец облучается импульсным электронным потоком. Измерительная схема регистрирует разность двух сигналов (оди-. наковых по амплитуде) от отраженных и поглощенных электронов, которая обусловлена физическими свойствами переходного слоя (емкостью, сопротивлением) металл — диэлектрик.

Формула и з о б р е т е н и я

Способ формирования изображения микроструктуры металл — диэлектрик в растровом электронном микроскопе, включающий облучение образца сфокусированным пучком электронов, регистрацию сигналов отраженных и поглощенных электронов и формирование изображения по параметрам этих сигналов, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности, облучение образца осуществляют импульсно, сигналы усиливают до одинаковых амплитуд, вычитают сигнал отраженных электронов из сигнала поглощенных электронов и формируют изображение по параметрам интегрированных импульсов указанной разности.

1200176

Составитель В,Гаврюшин

Редактор И. Николайчук Техред И. сталощ Корректор М. Самборская

Заказ 7859/49 Тираж 896 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г,ужгород, ул.Проектная, 4