Способ изготовления алюминиевой подложки для гибридных интегральных микросхем

Способ изготовления алюминиевой подложки для гибридных интегральных микросхем

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к микроэлектронике . Цель изобретения - повышение качества подложек. Подложки, например5 из сплава AM, 2 терморихтуют при температуре 573 К и механически обрабатывают методом торцового алмазного точения.. Затем проводят глубокое пористое анодирование в электролите на осноре ортофосфорной кислоты . Анодирование выполняют при плотности тока 15 нА/см и температуре электролита 285 К. После этого на поверхность анодированного слоя наносят диэлектрик - полиимидный лак, которьм после его сушки и имидизацйн удаляют. Использование метода алмазного торцового точения обеспечивает 14 класс чистоты поверхности, точность размеров в пределах 0,003.,. . Oj005 мм и исключает деформацию поверхностного слоя. Применение электролита на основе ортофосфорной кислоты обеспечивает высокую скорость роста анодного окисла (не менее 0,5 мкм/мин) и образование структуры оксида с порами большого диаметра (до 1000 А ). Заполнение пор полиимидньгм лаком позволяет повысить теплостойкость подложки, увеличить ее плоскостность и улучшить адгезию к ней проводящих и резистивных пленок .

союз сонетсних социАЛиСтичеСни °

РеспуБлин

Al (И) (11) (51) 5 Н 05 К 1/05

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ госудАрственныЙ нсмитет ссср

Г!О делдм изоБретений и Отнрцтий (- 1) 3920145/21 (22) 28.06.85 (46) 07. 12 .91 . Б;эл . К- 45 (71) Минский радиотехнический институт (72) С.A.ÊîoYþ÷åíêo, А.В.Короткевич, Н.И.Татаренко и Л.П.Демиденко (53) 62 1.396.69-181.48(088.8) (56) 3/St Elutron. Compon conl. Atlanta, Ga, Мау 11-13, 1981. New Jock

y 4, с.145-148.

Авторское свидетельство СССР

9 1245244, кл. Н 05 К 1/05, 1983. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛЛСМИНИЕВОЙ

ПОДЛОВКИ ДЛЯ ГИБРИДНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ

МИКРОСХЕМ (57) Изобретение относится к микро1 электронике. Цель изобретения — повышение качества подложек. Подложки, например, из сплава AN 1 2 терморихтуют при температуре 573 К и механически обрабатывают методом торцового алмазного точения. Затем проводят глубокое пористое анодирование в электролитс на основе ортофосфарнай кислоты. Анодирование выполняют при плотности тока 15 нА/см и температуре электролита 285 К. После этого на поверхность анодированного слоя наносят диэлектрик — полиимидный лак, который после его сушки и имидизации удаляют. Использование метода алмазного торцового точения обеспечивает

14 класс чистоты говерхности, точ ность размеров в пределах 0,003....

0,005 мм и исключает деформацию поверхностного слоя. Грименение электролита на основе ортофосфорной кислоты обеспечивает высокую скорость роста анодного окисла (не менее

0,5 мкм/мин) и образование структуры оксида с порами большого диаметра о (до 1000 A ). Заполнение пор полиимидным лаком позволяет -повысить теплостойкость подложки, увеличить ее плоскостность и улучшить адгеэию . к ней проводяших и резистивных пленок.

<- i< пля с i тi =.Жи: -:.! ни я р ел 6ефя .

< ял!оми н ие Б ь? х пл а < ! . I; 1! < (! ! < электро.чита г:rpд г(г(;! r «т-:;(S эртофосфорная к(<с ((та "(((( кислота 10) ща=е.-(< г(а((;:.:. .:" 3О .)О изОпрОЛ)(лОВь!Й el(it 1 р, < ) "0(.; . <(6((1 ял(омини!1 О., 1. Ано((ИT)r )1,.".(":((" лпч- ОТ В Г<ЗЛНВЯНО< Т<ЗТИ Ipp«r)i i (!" .!r ir"!, ( плотности тока 1<) и(r ";! i; - <,-(! УРЕ ЗЛ<Р "(! т)< <Пнта, )< )

1 <

8!I 3"<<П!;!..; (.; ((, ;, П о)дпис:

Пр<<и gн . — ((r .! « !), I! i ii:;«,,: о .:(Ог

Изобретет!ие относится .« . И<(1»-электРОникР и можРТ бь(, rn ii("ПО, :;)иllO В ПРОИ 3 БОДС ТВЕ I" t()I,) ii!1, IЬ

Целью изОб1) ете((ия ) пля Р .; "я (! Овьп!(е

НИЕ КЯЧЕГТБ

ТО1)ЦОВО ГО ТОЧЕНИЯ, ЗЭК!1(ОЧЯ(

cнятии алмаз пь("1 p =! ц;.; .! наруг< 1<) .. c> с ()Ог(ЯЛ<ОМИНИЯ H! < Луб !!! p ((< 2 Э ; Л<-; {; обеспечивает O,änp-:;.ргм"-:-(па г <олуч<

КИЕМ 14 К.ПЯСГЯ .<ИС О Ь i"r o,. i. .=. рХПО ".т! .

ТОЧНОCТ6 РЯЗМРРОБ Н t

О 003- О,ОО ..-(м., к,1,, - c . - r о; !.):— ци(о гlо ВерхнОГтн 01 < гл Gi! и c ri I!: i (i «p

М (ЛЬ1Х y ." .(<ЛИй РЕЯ а;(<ИЯ << G(i, !;! --, <<-.. Э-.(.<о заусенцев ня кромках.

Применение 3(!Рl(т()<) III гa l.а Осп-э— ве opIG<1)oc<)op-(ой кисл: т".! Об-. п".- и;;;-ет f)6(co"ñyþ скорост) t! г гa ан.)ГИ ()го окисла (,!!p менее О, );t:!/!t:(ft):,! Об-разован.е структуры окснп; (.. пор.-.ми бол!>(((Ого Диаметра (,<)О I!)(I(T i),1 . 3ЯПОЛНЕНИ< !(OP ПОЛНИ(1(тг(,((Ь!«П ((ГОМ ПО"

3 В 0 ля Р т и О В ы Г и т1< т (и и () (. та i i !(;) ". 6 (o JI—

ПОжЕК, )

П р "-1 м е р. IIPJIJfo+I< и и- п -.ЯRa

М11 2 р аз мера.q 50). )! 8 ("!).! Т« .: »;;..:<-(-

О,8-2,2 мм обез)кирива!и В <и

ПРРЦИЗИ01!НО1! СТ<(НКР !;- .; (Ir», т(-П(0— ного то-<(ения марк:

Перед HHGJ)Hpoi! (!it .-и "<(,:,.",(<((-:: -ро—

ИЬ(ва(Г< "3 <ЗЦЕ РНР (Лубе:(ОЕ pro(ИГ ГG- ;>: . -П ° !-.-,-.. г

С т<(() К Г )П!<1:!Р .t .) Т< (М < ОС ГЯВЛЯP.. Г

О "! и 1< !.(! I t H .I . ! ((!. (:. ". н E . и с т о ч ни к Я то(- а Hcl,оп<:=y!о Лотен((иостат П-)827 И„ ..5Gcпе. Ина(пщии автои".Тическое под-. . .жание тгка, 30 дсгстижении необхо

: (1:.я (2О мкм) (;(-,o::äñ с прекращают..,;cop =(:Од гро анин для уцаления

:":,Н -!!)НОБ 3 ПГКТР

ПР(Я-.†.-.(г(ЯЮТ (- ЛРИОНИЗ-Poÿàftíoé ВОДЕ, За I РМ К!(ПЯТ;:(г R а((Е (ОНЕ В ТРЧЕ (ИГ. Ь 1

7 . <<..., < !<1,, < <, .1<,с пр р;иг г:тж! гa:<а поверх .((. Т! ГV. ((1(1 Г: <;;- ПОМИН)-:ЕБО(-0 C.ПОЯ ((СТОПОМ и .J ИП» <((,Gг ПЕДУЮЩЕГО ЦЕНтри;(<<(. и))<;(:,анин; <<носят полиимидньв(лак ки )

r l). Г ИДНО ГО (Л:).! ir (! P ГК Я ПОДТОЯНЛИВЯ р м у л а и з 0 б р е т е н и я

Опос<эб из готовления аглюмийиевои

;,пло"-гки .:-Ля гибридных интегральнь(х ..()(1. Pr) ХР((„ВК<(ЮЧЯ!ОЩИй тЕРМОРИХТОВКУ .(!; <-ханичегf(yr

-:;,-r ТИ Р(jro-<(<: ХИЛОСТИ) МЕХЯНИ<<ЕГКуЮ (.);:,Ябатя . О"..J r;p "ТВПЯЮт -!ЕтОдОМ тОрцО-();О алмаза-.:-;. Т(- ения.„ глубокое noa((0(Hpo;. -!1iHe npo6ofIJ(7 v элек ..лите на 0: с зе ортофосфорной кис!

r; "r,, Б f(ai< РС)ВЕ ДИЭПЕК! РИКЯ ИСГ<ОЛЬЗу:гт попиими((((ь(й !;як . Причем пг)сле (Я (Р ((НИ Я; )(Г)В ЛЯК Я ВЫПОЛНЯЮТ P ГО у (f(v и и.,идиз а цию г. Последу.о!Дим удаiv!2(- гл(()-. Лака с,поl)pðõHoñòи аноди):::,H!