Устройство для контроля неплоскостности и толщины пластин

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к контрольноизмерительной технике и может быть использовано для контроля неплоскостности и толщины полупроводниковых и диэлектрических пластин. Целью изобретения является повышение точности измерения при контроле неплоскостности и толщины плас9 8 тин. Указанная цель достигается тем, что щупы 8 базовых датчиков 3, на которых располагается контролируемая пластина, задают базовую плоскость по трем вертикальным перемеш,ениям. Щупы 8 располагаются равномерно по окружности, в центре которой располагается щуп 9 датчика 2, перемещение которого относительно базовой плоскости характеризует неплоскостность пластины, толщина пластины измеряется косвенно взвешиванием на четырех датчиках 2 и 3 пластин из материала постоянной плотности и одинаковой площади. Определение толщины пластины происходит суммированием в блоке 5 сигналов с датчиков 2 и 3, а определение базовой плоскости и измерение неплоскостности - соответственно в блоках 6 и 7. Одностороннее измерение неплоскостности и толщины пластины позволяет избегать ее деформации при измерении и, следовательно, повысить точность. 1 ил. i (Л 7 О9 00 00 ю 00

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК д11 4 G 01 B 7 28

OllHCAHNE ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4058206/24-28 (22) 21.04.86 (46) 15.03.88. Бюл. № 10 (71) Ворошиловградский машиностроительный институт (72) С. С. Ерошин, В. С. Сацукевич, С. Ф. Купчик и В. В. Гаврилюк (53) 621.317.39:531.717 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР № 1106983, кл. G 01 В 7/28, 1982.

Авторское свидетельство СССР № 1048305, кл. G 01 В 7/28, 1982. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ

НЕПЛОСКОСТНОСТИ И ТОЛЩИНЫ

ПЛАСТИН (57) Изобретение относится к контрольноизмерительной технике и может быть использовано для контроля неплоскостности и толщины полупроводниковых и диэлектрических пластин. Целью изобретения является повышение точности измерения при контроле неплоскостности и толшины пласВ

„,80„„1381328 A 1 тин. Указанная цель достигается тем, что щупы 8 базовых датчиков 3, на которых располагается контролируемая пластина, задают базовую плоскость по трем вертикальным перемещениям. Щупы 8 располагаются равномерно по окружности, в центре которой располагается щуп 9 датчика 2, перемешение которого относительно базовой плоскости характеризует неплоскостность пластины, толщина пластины измеряется косвенно взвешиванием на четырех датчиках

2 и 3 пластин из материала постоянной плотности и одинаковой плошади. Определение толщины пластины происходит суммированием в блоке 5 сигналов с датчиков 2 и 3, а определение базовой плоскости и измерение неплоскостности соответственно в блоках 6 и 7. Односторонне» измерение неплоскостности и толщины пластины позволяет избегать ее деформации при измерении и, следовательно, повысить точность. 1 ил.

1381328

Формула изобретения

Составитель В. Мамонтов

Редактор М. Недолуженко Техред И. Верес Корректор О. Кравцова

3ак аз 837/36 Тираж 680 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к контрольно-изерительной технике и может быть исользовано для контроля неплоскостности толщины пластин, в том числе полу1 роводниковых и диэлектрических.

Цель изобретения — повышение точности йзмерения при контроле неплоскостности и толщины пластин за счет исключения по1 решности деформации.

На чертеже представлена схема устройста.

Устройство для контроля неплоскостности толщины пластин содержит основание 1, етыре датчика 2 и 3 перемещений, лектронный преобразователь 4, включаюий в себя блок 5 измерения толщины, ходы которого соединены с выходами атчиков 2 и 3, блок 6 определения ба. овой плоскости, входы которого соедиены с выходами датчиков 3 и соответтвующими входами блока 5, блок 7 изерения неплоскостности, первый вход котоого соединен с выходом блока 6, а второй— выходом датчика 2, щупы 8 трех ба. овых датчиков 3, расположенные равноерно по окружности, диаметр которой еньше контролируемой пластины 9, щуп 10 атчика 2 перемещений, расположенный в ентре окружности расположения щупов 8.

Устройство работает следующим образом.

Контролируемую пластину 9 укладывают

1 а щупы 8 и 10 датчиков 3 и 2, сумарное перемещение которых пропорцио1 аль но весу пл асти ны.

Суммирование сигналов всех датчиков

1 роходит в блоке 5, определяют резульирующий сигнал, пропорциональный весу, следовательно, и толщине пластины 9, Так как пластины калиброваны по диа1 1етру с точностью до 0,1 мм. В блоке 6 определения базовой плоскости по трем координатам (перемещениям) базовых датчиков 3, щупы 8 которых образуют равносторонний треугольник, вычисляется вертикальная координата точки пересечения базовой плоскости с щупом 10 датчика 2, расположенного в центре этого треугольника, путем определения среднего арифметического сигналов базовых датчиков.

В блоке измерения неплоскостности определяется разность сигналов с выхода блока 6 определения базовой плоскости и датчика 2, соответствующая отклонению от плоскостности в центре пластины 9.

Устройство для контроля неплоскостности и толщины пластин, содержащее основание с размещенными на нем датчиками . перемещений, электронный преобразователь, вход которого соединен с выходами датчиков, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения при контроле толщины и неплоскостности пластин, оно снабжено четырьмя датчиками перемещений, щупы трех датчиков, являющихся базовыми, расположены равномерно по окружности, диаметр которой меньше диаметра контролируемой пластины, а щуп четвертого датчика размещен в центре этой окружности, электронный преобразователь состоит из блока измерения толщины, входы которого соединены с выходами всех датчиков, блока определения базовой плоскости, входы которого соединены с соответствующими входами блока измерения толщины и выходами трех базовых датчиков, блока измерения неплоскостности, первый вход которого сое35 динен с выходом блока определения базовой плоскости, а второй вход — с выходом четвертого датчика.