Способ контроля качества проработки линий

Способ контроля качества проработки линий

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повьппение достоверности контроля качества проработки линий субмикронной ширины. Цель изобретения состоит в повышении достоверности контроля качества проработки линий рисунка в непрозрачном маскирующем слое, нанесенном на прозрачную подложку. Способ включает освещение измеряемого объекта электромагнитным излучением и снятие профиля распределения интенсивности излучения, прошедшего через объект. Затем проводят обработку профиля распределения интенсивности прошедшего излучения, определяя ппфину профиля контролируемой линии и величину интенсивности в центре. Качество проработки линии устанавливают по отлИчИю интенсивности в центре профиля распределения от эталонной для данной Ш1фииы линии.

СОЮЗ СОЕЕТО ИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

П9) ()1) (51) 5 Н О1 ?. 21/6c, ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН

К ABÒÎPCÍOMÓ CBHPETErlbCTBV

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

fl0 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (46) 30.06.93. Бюл. Р 24 (21) 4072614/25 (22) 28.05.86 (72) С.А.Иноземцев и В,А.Куликов (56) Практическая растровая электронная микроскопия. Под.ред. М. оульдстейна. М.: Мир ° 1978, с. 3?2-400.

Рубцов И.Н. и др, Свойства маскирующих пленок в производстве фотошаб- . лонов, М.: ЦНИИ Электроника,1975, с.25-34. (54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА ПРОРАБОТКИ ЛИНИЙ (57) Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение достоверности контроля качества проработки линий субмикронной ширины. Цель изобретения состоит в повышении достоверности. контроля качества проработки линий рисунка в непрозрачном маскирующем слое, нанесенном на прозрачную подложку. Способ включает освещение измеряемого объекта электромагнитным излучением и снятие профиля распределения интенсивности излучения, прошедшего через объект. Затеи проводят обработку профиля распределения интенсивности прошедшего излучения, определяя ширинупрофиля контролируемой линии и вели-, чину интенсивности в центре. Качество проработки линии устанавливают по отличию интенсивности в центре профиля распределения от эталонной для данной ширины линии.

1447013

И э »бр с те lfне n «««ос««тс я к»олу »рой од»иковой технике, » част»о<-.ТН к способам контроля качества травления линий рисунка фотошаблонов для литографии.

Цель изобретения состоит í повь«шенин достоверности ко««троля.

Сущность способа состоит в том, что для ко»троля качества проработки

»и»»й рисунка в "»ое материала »а 10 прозрачной подложке, освещают объект пучком электромаг««итного излучения, регистр««руют про«педшее через объект излуче»ие объективом, измеряют интенсивность прошедшего излучения и срав- 15

»ивают измеренную интенсивность излучения с эталонной,для чего проводят

»острое»ие профиля распределения инге»c»««»ncaa» прошедшего излучения по ширине контролируемой линии, опреде- Щ ляют на Основе этих измерений «Il»p»Hv линии и величину интенсивности,в ее центре, а качество проработки линии определяют по отличию интенсивности излучения в центре профиля от эталон- 25 ной для данной шир»ны линии, Эталонную зависимость интенсивности к центре от ширины линии устанавливают при

I« ex же условиях измерений, проводя их на наборе линии, качественность кото-З0 рьж установлена с помощью, электрол»ой микроскопии.

Экспериментально I авторами установлено, что величина интенсивности в центре профиля распределения для линии с субмикронными размерами элемен«35 тов является хярактеристичной для ли I нии данной ширины, что легло в основу изобретения. ао

Пример. Способ был применен для контроля качества проработки линий субмикронной ширины на фотошабло" ннх для литографии, представля«ощих собой слой маскирующего хромового пок 5 рытия толщиной 0,1 мкм на кварцевой подложке. Линии получали ионным травлением хромового покрытия. Эталонная зависимость интенсивности в центре профиля была получена в результате измерений для набора линий шириной

О,Э мкм4 1,0 мкм, качество травления которых контролировали с помощью растрового электронного микроскопа. Числовая апертура использованного объектива еоставляла 0,95, отношение числовых апертур конде»сора и объектива - 0,35. Измерения проводили при длине волны излучения % 0,546 мкм.

Эталон««ая зависимость интенсивности в центре профиля от ширины линий, протравленных в хромовом маскнрук>щем покрь тии фотошаблоня, »эмерялась при ска»ирован»и измерительной щелью промежуточного изображения линии с регистрацией сигнала с помощью фотоэлектронного умножителя, Дискретность измерений 0,0 1 мкм, Велнчина интенсНВНосТН ««ормировалась »я интенсивность излучения, прошедшего через чистый участок подложки (беэ маскирующего покрыт»я). В таблице приведе»и результаты измерений ширины линий и интенсивности в центре их профиля распределения недотравленного шаблона и того же шаблона после дотравлива««ия о

Ширина линии определялась по ширине профиля »а уровне интенсивности, соответствующей (25 (1 +,Г7) 7 от и»те»сив»ости излучения, прошедшего через чистый (беэ маскирующего покрытия)участок фотошаблона. Результаты корректности такого способа определе««на ширины подтверждены электронномикроскопическими измерениями, величина Т характеризует пропускание иэ" луче»ия маскирующим покрытием шабло" на, Из сопоставле»ия результатов, представле»ных в таблице, видно, что при »едотраве интенсивность измерения в центре профиля ниже эталонной при каждой ширине линии.

Формула изобретения

Способ контроля качества проработ- ки линий рисунка в непрозрачном маскирующем слое, нанесейном на прозрачную подложку, заключающийся в том, что на исследуемый объект направляют электромагнитное излучепие,измеряют интенсивность излучения, прошедшего через объект, и сравнивают измеренную интенсивность с эталонной, о т л и— ч а ю шийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля качества проработки линии, используют электромагнитное излучение с длиной волны, сравниваемой с шириной контро" лируемой линии, проводят измерение профиля распределения и»тенсивности прошедшего излучения по ширине контролируемой линии, определяют на основе этих измерений ширину линии профиля распределения и величину и««те««с««в1442013 ности в центре профиля и качество проработки линии определяют по отлиНоминальный размер

t сеоия измерений

, Ю.

Нормированняя интенсивность

Ширина линии

1,03

1,36

1,21

0,94

1,0

1137

0,79

1,18

0,74

0,8

1,33

0,71

1, 12

0,65

0,7

1,22

0,66

1,04

0,59

0 6

1,09

0,58

0,88

0,48

0,5

Составитель Е. Сидохин

Редактор Н.Коляда Техред Л.Сердюкова Корректор М.Демчик

Заказ 2828

Тирам Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ширина Нормирования линии интенсивност

I чию ивтенснт нос ти в п втре пр< фу ля от эталонной для данной ширины линии.