Сплав для тонкопленочных резисторов
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике и позволяет расширить диапазон удельного сопротивления и снизить температурный коэффициент сопротивления резисторов. Для этого в материале для изготовления тонкопленочных резисторов, представляющем собой сплав, в качестве соединения кобальта с кремнием используют Со2Si в количестве 99,0 - 99,5 мас.% и бор в количестве 0,5 - 1,0 мас.%. 1 табл.
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении прецизионных тонкопленочных резисторов. Целью изобретения является расширение диапазона удельного сопротивления и снижение температурного коэффициента сопротивления (ТКС) за счет использования дисилицида кобальта в составе сплава, содержащего соединение кобальта кремнием и бор. Для получения сплава приготовлены три состава шихты. В среде этилового спирта ректификата смешивают в шаровом барабане в течение 24 ч 84,0 мас. Co, 15,5 мас. Si и 0,5 мас. В, при этом соотношение массы загрузки шихты и спирта 1: 0,32. Затем спирт испаряют в сушильном шкафу до полного высыхания (испарение контролируют визуально). Высушенную шихту прессуют в брикеты диаметром 30 мм и высотой 20-25 мм под давлением 150-200 МПа. Спрессованные брикеты загружают в вакуумную печь. Синтез материала осуществляют в вакууме 510-3 Па с общей выдержкой не менее 5 ч при 1173 К. Получают сплав, содержащий Co2Si 99,5 мас. + 0,5 мас. В. Сплав дробят на прессе. Для приготовления мишеней диаметром 125-190 мм и толщиной 5-7 мм полученный после дробления порошок размалывают в шаровой мельнице, просеивают через сито N 0063 и замешивают на пластификаторе (5%-ный раствор резинового клея в бензине). Гранулированную шихту засыпают в пресс-формы. Давление прессования 1-1,5 т/см2. Прессовки сушат в вакуумных сушильных шкафах в течение 15 ч при 35310 К. Заготовки спекают в высокотемпературной вакуумной печи при давлении 110-3 Па и температуре 1723 К. Резистивные пленки получают методом ионно-плазменного распыления мишени на установке типа УВН-75П-1 при следующих условиях: ток катода 80-87А; ток дугового разряда 18-20 А; ток мишени 220-260 А; ток электромагнита 140-150 А; высокое напряжение 2,5-3 кВ; время напыления 20-40 мин; давление рабочего газа аргона в камере, мм рт.ст. (1-2)10-4; время стабилизации пленки в вакууме при 350оС 30 мин. Проделано еще два технологических цикла получения предлагаемого сплава, отличающихся лишь количественным соотношением компонентов. Составы сплавов и характеристики полученных из них пленок приведены в таблице. Как видно из таблицы, полученные резистивные пленки имеют более широкий диапазон удельного сопротивления (10-600 Ом/ ), позволяющий получать резисторы с широким диапазоном номиналов и более низкий ТКС (20-50) 10-6 К-1.
Формула изобретения
СПЛАВ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ, включающий соединение кобальта с кремнием и бор, отличающийся тем, что, с целью снижения температурного коэффициента сопротивления и расширения диапазона удельного сопротивления, в качестве соединения кобальта с кремнием используют CO2Si при следующем соотношении компонентов, мас. CO2Si 99,0 99,5 В 0,5 1,0РИСУНКИ
Рисунок 1MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе
Номер и год публикации бюллетеня: 36-2000
Извещение опубликовано: 27.12.2000