Устройство импульсной обработки полупроводниковых структур

Устройство импульсной обработки полупроводниковых структур

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем. Цель изобретения - уменьшение разброса параметров за счет снижения неоднородности температурного поля по пластине. В рабочую камеру введены два электрода от высоковольтного постоянного источника питания. Один из электродов представляет собой сетку из тугоплавкого материала, перемещающуюся между излучателями и полупроводниковой пластиной перпендикулярно ее поверхности. Второй электрод присоединен к держателям пластины. Размеры ячеек сетчатого электрода определяются из соотношения A=B/2,5, где A - размер ячейки, B - расстояние от электрода до пластины. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

Д11 4 Н 01 I. 21/02

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К А BTOPCKOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И (ЛНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4316520/24-25 (22) 20,07,87 (46) 07.07,89. Бюл. № 25 (71) Таганрогский радиотехнический институт им.В.Д.Калмыкова (72) А.М.Светличный, Д.А.Сеченов, Л.В.Воронцов, Е.А.Ермоленко и В.М.Бурштейн (53) 62 1.382 (088,8) (56) Патент CIIIA ¹ 4 151008, кл . Н 01 L 21/26, 1982.

Зарубежная электронная техника, 1983, № 1, с. 26, (54) УСТРОЙСТВО HMIIYJlbCHOA ОБРАБОТКИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР (57) Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использоваИзобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Цель изобретения — уменьшение разбГ а параметров путем снижения неоднородности температурного поля по пластине, На чертеже приведена структурная схема устройства.

Устройство содержит сетчатый электрод 1, пластину 2, высоковольтный источник 3 постоянного напряжения, эадатчик 4 температуры, переключатель 5, коммутатор 6, излучатель

7, источник 8 питания излучателя, датчик 9 гемпературы, усилитель 10, задатчик 11 длительности облучения, держатель 12, рабочую камеру 13.

„„80„„1492 9 А 3

2 но при изготовлении полупроводникоBblx приборов и интегральных схем.

11ель изобретения — уменьшение разброса параметров эа счет снижения неоднородности температурного поля по пластине, В рабочую камеру введены два электрода от высоковольтного постоянного источника питания. Один из электродов представляет собой сетку из тугоплавкого материала., перемещающуюся между излучателями и полупроводниковой пластиной перпендикулярно ее поверхности. Второй

I электрод присоединен к держателям пластины. Размеры ячеек сетчатого электрода определяются из соотношения a = Ь/2, 5, где а — размер ячейки, Ь вЂ” расстояние от электрода до пластины. 1 ил.

Размеры сетчатого электрода,,как правило, превышают диаметр обрабатьг ваемых пластин более, чем 1,3 раза.

Устройство работает следующим образом.

Устанавливается требуемое расстояние между сетчатым электродом 1 и пластиной 2, подается от источника 3 постоянное напряжение на сетчатый электрод 1, Импульс накала облучения поступает от задатчика 4 температуры через переключатель 5 в коммутатор 6, который подключает излучатель 7 к источнику 8 питания. Излучение нагревает пластину 2, тепловое излучение которой попадает на датчик 9. Датчик

9 через время 0,1 с, соответствукщее его тепловой инерционности, выраба1492398 тывает аналоговый сигнал, пропорциональный температуре пластины. Сигнал усиливается в 10 — 10 раэ в усили3 теле 10, преобразуется и поступает на вход задатчика 4 температуры, в

5 котором происходит сравнение текущего и заданного значения температуры. При совпадении укаэанных значений задатчик вырабатывает импульс прекращения 0 облучения пластины и коммутирующее устройство отключает излучатель от источника питания.

Например, для проведения операции, стабилизации заряда в подзатворном окисле на кремниевой пластине на электрод подается отрицательный потенциал 150 В.Электрод устанавливают на расстоянии 5 мм от пластины и проводят импульсный нагрев пластины в атмосфере аргона о ,излучением галогенных ламп при 1050 С в течение 6 с, Под действием электри- ! ческого поля подвижные ионы щелоч,ных металлов (калия, натрия) и прото1 нов мигрируют к поверхности окисной 5 пленки и там нейтрализуются слоем фосфоросиликатного стекла, наносимого на поверхность окисной пленки. . Применение электрического поля при импульсной обработке позволяет управлять физико-химическими процессами. как на поверхности, так и в объеме полупроводкика.

Воэможности известных устройств исчерпываются термоотжигом ионно-легированных слоев и контактов к ним, тогда как предлагаемое устройство, кроме указанного применения, может быть использовано для ускорения процессов диффузии, уменьшения плотности линейных и точечных дефектов, снижения дефектов иа поверхности полупроводника, получения качественных эпитаксиальных и диэлектрических слоев.

Формула из о бр ете ния

Устройство импульсной обработки полупроводниковых структур, включающее источник питания излучателя, эадатчик длительности облучения, задатчик температуры пластин, коммутирующее устройство, переключатель, датчик температуры, усилитель, рабочую камеру с излучателями и держате лем полупроводниковых пластин, о т—

1 личающееся тем,что, с целью уменьшения разброса параметров путем снижения неоднородности температурного поля по пластине, ра-. бочая камера снабжена двумя электродами, соединенными с высоковольтным истОчником питания постоянного напряжения, причем один из них выполнен в виде сетки из тугоплавкого металла с возможностью перемещения между излучателями и полупроводниковой пластиной перпендикулярно ее поверхности, а другой соединен с держателем пластины, при этом размеры ячеек сетчатого электрода определяются из соотношения а = Ь/2,5 где а — размер ячейки;

Ь вЂ” расстояние от электрода до пластины.

1492398

Составитель С.Манякин

Техред Л. Олийнык Корректор О. Кравцова

Редактор С.Патрушева

Заказ 3885/53 Тираж 695 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина;. 101