Способ изготовления осесимметричных магнитопроводов

Способ изготовления осесимметричных магнитопроводов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к электронно-и ионно-лучевой технике и может быть использовано при изготовлении электронно-оптических систем, например, электронных микроскопов. Цель изобретения - повышение качества изготовления магнитопроводов за счет увеличения их осевой однородности - достигается тем, что в известном способе отжиг осуществляют в осесимметричном магнитном поле, значение индукции которого поддерживают на уровне, равном не менее 40% от индукции насыщения магнитопровода, а при изготовлении магнитопровода из пермаллоя или железа допуск на чистовую обработку магнитопроводов не должен превышать 0,2 мм, при этом толщина снимаемого материала, не приводящая к ухудшению магнитных свойств, составляет величину не более 0,08 мм. 1 з.п. ф-лы.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕС ИХ

РЕСПУБЛИК (!9) (! !) (s!)s Н 01 J 23/08

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4436006/21 (22) 03.06.88 (46) 15.07.91. Бюл. М 26 (71) Сумское и роизводственное объединение "Электрон" и Московский институт электронного, машиностроения (72) И.Н.Бородулин, Г.Д.Кисель, В.А;Кобыляков, В,В.Рыбалко и А.Н,Тихонов (53) 621.385 (088.8) (56) Лейэеганг 3. Электронная микроскопия, М., Иностранная литература; 1960, с.27-30, Маршрутная карта ЦФ 7.772.099 изготовления магнитопроводов, СПО "Электрон", r. Сумы, 1984. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОСЕСИММЕТРИЧ Н ЫХ МАГНИТОПРО ВОДО В (57) Изобретение относится к электроннои ионна-лучевой технике и может быть исИзобретение относится к области электронно- и ионна-лучевой технике и может быть использовано при изготовлении электронно-оптических систем, например, электронных микроскопов.

Целью изобретения является повышение качества изготовления магнитопроводов за счет увеличения. их осевой однородности.

Отжиг в магнитном поле при соосном расположении поля и мэгнитопровода обеспечивает переориентацию магнитных доменов и их направленную упорядоченность в материале. который приобретает осевую симметрию магнитных свойств. Результатом является "сглаживание" различий азипольэовано при изготовлении злектроннооптических систем, например, электронных микроскопов, Цель изобретения — повышение качества изготовления мэгнитопроводов за счет увеличения их осевой однородности — достигается тем, что в известном способе отжиг осуществляют в осесимметричном магнитном поле, значение индукции которого поддерживают на уровне, равном не менее 407(, от индукции насыщения магнитопроводэ, а при изготовлении мэгнитопровора иэ пермэллоя или железа допуск на чистовую обработку магнитопроводов не должен превышать 0,2 мм, при этом толщина снимаемого материала, не приводящая к ухудшению магнитных свойств, составляет величину не более 0,08 мм, 1 э.п.ф-лы, мутального распределения индукций собственного поля, а следовательно, и повышение осевой симметрии суммарного распределения индукции магнитного поля, формируемого в магнитопроводе в процессе его эксплуатации, Такая обработка будет давать заметные результаты для наиболее часто используемых в электронно-лучевой прецизионной технике сплавов — пермендюра и пермаллоя в случае. если индукция поля состовляет не менее 40 от индукции насыщения.

Магнитомягкие материалы, например чистое железо или никелевые сплавы, в частности пермаллой, характеризуются высокой остаточной деформацией, которая

1663642

Формула изобретения

1. Способ изготовления осесимметричных магнитопроводов, включающий предsGðèòeëüHóþ механическую обработку заготовки с припуском, отжиг, чистовую механическую обработку, повторный отжиг и финишную обработку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изготовления магнитопроводов за счет увеличения их осевой однородности, отжиг осуществляют в осесимметричном магнитном поле, значение индукции которого поддерживают по крайней мере в материале полюсных наконечников магнитопровода на уровне, равном не менее 40 от индукции насыщения магнитопровода, 2,Способпоп.1,отли ающийся тем, что при изготовлении магнитопровода из пермаллоя или железа, припуск после предварительной механической обработки оставляют не более 0,2 мм на размер, а при чистовой обработке снимают слой металла не более 0,08 мм за один проход режущего инструмента, Составитель Д. Рау

Техред M.Mîðãåíòàë

Корректор M,Äåì÷èê

Редактор В. Фельдман

Заказ 2268 Тираж 316 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r, Ужгород, ул. Гагарина, 101 приводит к заметному короблению после первичного отжига и требует чистовой обра. ботки, например, расточки.

Существенным является размер припуска, составляемый на чистовую обработку.

В то же время, связанная с припуском на размер величина толщины снимаемого за один проход материала не должна вызывать ухудшения магнитных свойств.

Как следует их экспериментальных данных по обработке деталей, прошедших наиболее критичную подготовительную обработку — неосевую ковку заготовки и ее обдирку, допуск на чистовую обработку магнитопроводов из пермаллоя или железа не должен превышать 0,2 мм, Из экспериментальных данных также следует, что толщина снимаемого материала, не приводящая к ухудшению магнитных свойств или позволяющая восстановить их при температуре отжига, не превосходящей точки Кюри, составляет величину не более 0,08 мм.

Примером конкретного выполнения данного технического решения является способ изготовления магнитопровода конденсорных линз растрового электронного микроскопа из пермаллоя марки 79НМ. Завготовку подвергают токарной обработке, оставляя припуск на размеры порядка 200 мкм. Далее в водородной печи осуществляют отжиг заготовки в следующей последовательности: нагревают до 750-780 С, выдерживают 2 — 3 ч, охлаждают в печи до

400 С, а далее охлаждают на воздухе. После этого осуществляют токарную расточку магнитопровода с подачей резца 50 мкм. Далее шлифуют и полируют каналы полюсных наконечников, После этого помещают магнитопровод в водородную печь с точкой росы не выше — 40 С, повышают температуру до

110-1150 С, создают соосно с магнитопроводом магнитное поле с индукцией в теле магнитопровода не менее 0.3 Тл, выдержио вают температуру в течение 3-6 ч, далее охлаждают до 600 С со скоростью не более

200 С/ч и ниже со скоростью не менее

400 С/ч.

Примером выполнения предлагаемого способа является также способ изготовления иэ сплава 49КФ малогабаритного объ5

50 ектива просвечивающего электронного микроскопа. Из заготовки обдирают магнитопровод, далее осуществляют токарную расточку, после которой оставляют припуск на шлифовку полюсных наконечников магнитопровода, После этого помещают магнитопровод в вакуумную печь с остаточным давлением не более 10 торр и выдерживают там 3 ч при 1100-1120 С. Далее охлаждают со скоростью 100 — 150 С/ч. Затем . шлифуют полюсные наконечники и повторяют отжиг, проводя его в осесимметричном магнитном поле, амплитуду которого в теле магнитопровода поддерживают не менее

0,96 Тл.

Данный способ наиболее целесообразно использовать при изготовлении магнитопроводов и полюсных наконечников объективных линз электронных микроскопов как просвечивающего, так и растрового типа, Причем в последнем классе приборов положительный эффект будет проявляться наиболее заметно при фоомиовании изображений с разрешением 40 — 50 и лучше.