Способ создания электрического контакта к полупроводнику или диэлектрику

Способ создания электрического контакта к полупроводнику или диэлектрику

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при - контроле технологических процессов в полупроводниковом приборостроении. Целью изобретения является повышение воспроизводимости площади контакта. Сущность изобретения заключается в том, что к слою диоксида кремния толщиной 2 мкм прижимают зонд из плавленого индия, выполненный в виде конуса высотой 2,5 мм, и измеряют емкость. Усилие прижима обеспечивает давление зонда, равное 2-4 Н/мм2. Воспроизводимость площади контакта составляет до 99,9%.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11 у

t (51)5 Н 01 L 21/66

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4648501/21 (22) 07.02.89 (46) 07.02.92. Бюл. М 5 (71) Воронежский государственный университет им, Ленинского комсомола (72) Е.Н.Бормонтов, B.Â.Êðÿ÷êî, В.Ф,Сыноров и Ю.С.Чистов (53) 621.382(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

М 995000, кл. G 01 R 1/06, 1983.

Авторское свидетельство СССР

М 476517, кл. G 01 R 1/06, 1975. (54) СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КОНТАКТА К ПОЛУПРОВОДНИКУ ИЛИ

ДИЭЛ Е КТРИ КУ

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при контроле технологических процессов в ло- лупроводниковом приборостроении.

Целью изобретения является повышение воспроизводимости площади контакта.

Сущность изобретения заключается в том, что зонд из сплошного индия прижимают с усилием, обеспечивающим давление, равное 2-4 Н/мм, к поверхности полупро2 водника или диэлектрика и выдерживают не менее трех минут при нормальной температуре.

Пример. Изготавливают зонд, представляющий собой медный стержень, к нижнему основанию которого (диаметром 2 мм) наплавлен индий в форме конуса высотой

2,5 мм. Исследуемым объектом является двухслойная структура диэлектрик — полу(57) Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при

-контроле технологических процессов в полупроводниковом приборостроении. Целью изобретения является повышение воспроизводимости площади контакта. Сущность изобретения заключается в том, что к слою диоксида кремния толщиной 2 мкм прижимают зонд из плавленого индия, выполненный в виде конуса высотой 2,5 мм, и измеряют емкость. Усилие прижима обеспечивает давление зонда, равное 2 — 4 Н/мм2.

Воспроизводимость площади контакта составляет до 99,9% проводник, выполненная на основе кремниевой пластины и-типа проводимости (КЭФ—

7,5) со слоем Sl02 толщиной 2 мкм. На диэлектрике нанесены царапины глубиной до

0 5 мкм с помощью алмазной пасты АСМ—

0,5.

После прижатия зонда к диэлектрику в течениетрех минутс давлением Р =3 2 на

Н мм измерителе полной проводимости Л2-7 измерена геометрическая емкость полученной

МДП-структуры, которая равна 21,3 пФ. С использованием термически напыленных алюминиевых электродов той же площади, что и индиевый зонд, для величины геометрической емкости получают значение 20,7 пФ.

Использование изобретения позволяет без,дополнительной операции напыления

1711271 определять параметры материала с почти такой же точностью, как и при использовании термически напыленных электродов вне зависимости от рельефа поверхности материала, включающий прижатие с усилием металлического зонда к поверхности полупроводника или диэлектрика и выдержку при нормальной температуре, о т л и ч а ю щ и й5 с я тем, что, с целью повышения воспроизводимости площади контакта, в качестве материала зонда используют сплошной индий, усилие прижатия зонда выбирают обеспечивающим давление, равное 2-4 Н/мм, à врег

10 мя выдержки выбирают не меньшим 3 мин.

Формула изобретения

Способ создания электрического контакта к полупроводнику или диэлектрику, 15

25

35

45

Составитель Е.Панов

Редактор И.Шулла Техред М.Моргентал Корректор O,Êðàâöîâà

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101

Заказ 346 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5