Способ магнетронного напыления

Способ магнетронного напыления

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Использование: область вакуумно-плазменной технологии и может быть использовановмашиностроительной , приборостроительной и электронной промышленности . Сущность изобретения: для осаждения углеродной пленки алмазоподобного типа распыляют углеродную мишень в скрещенных электрическом и магнитном полях и осаждают поток с плотностью частиц, превышающей плотность остаточной атмосферы инертного газа, и их энер;ией, i-.e превышающей 7-10 эВ.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 С 23 С 14/33

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4805328/21 (22) 23.03,90 (46) 30.10,92, Бюл, N" 40 (7!) Физико-технический институт АН БССР (72) Б.Л.Фигурин, В.И.Рулинский, С.О,Селифанов и А.Ф,Заико (56) "Электронная промышленность", 1989 г., М 12, с, 26-29.

Алмаз в электронной технике, М,; Энергоатомиздат, 1990, с. 177. (54) СПОСОБ МАГНЕТРОННОГО НАПЫЛЕНИЯ

Изобретение относится к abri aòè металлизации в вакууме и может быпгь использовано для получения алмазоподобных покрытий на керамике, стекле, металлах в машинас граительной, приборостроительной и электронной промышленности.

Получение алмазаподобных покрытий может быть достигнуто известным способам катодного распыления графита при низком давлении инертных газов (Ркрипто а=10 10 Г!а) и низкой темпег ратуре (менее 100 К) осаждения атомов графита, Из известных наиболее близким по технической сущности является способ получения алмазоподабных покрытий, принятый за прототип, согласно которому в качесгве реагента используется циклогексан или другие углеродсодержащие газы, Недостаткам способа получения алмазоподобных покрытий принятого за прототип является значительный разброс значений электросопротивления, вызванный использованием ускоряющего напряжения различных значений. При этом, „„!Ы „„1772217А1 (57) Использование: область вакуумно-плазменной технологии и может быть использовано в машиностроительной, приборостроительной и электронной промышленности. Сущность изобретения: для осаждения углеродной пленки алмазоподобного типа распыляют углеродную мишень в скрещенных электрическом и магнитном полях и осаждают поток с плотностью частиц, превышающей плотность остаточной атмосферы инертного газа, и их энер: иеи, не пре-.l øающей 7-10 эБ. ускорение конденсируемых частиц и соударение их с ранее образовавшимся слоем с энергией, превыша ошей энерги о межатомных связей способно привести к локальному изменени о строения покрытия с образованием структурносвободнаго графита и, естественна, либо разбросу, либо снижению значений плспности vi удельного сопротивления.

Целью I1забретения является повышение производительности процесса и качества покрытий за счет повышения алмазной фазы.

Поставленная цель достигается тем, что для повышения производительности l1paцесса и качества покрытий за счет повышения их плотности до значений сравнимых с плотностью природных минералов, конденсацию acуществля1ат в скрещенных магнитном и электрическом полях непрерывным потоком атомарной фазы углерода с плотноcThla превышающей плотность остаточной атмосферы камеры и с энергией конденсации не превыша!ащей 7- 1О эВ, причем температура подложки не превышает