Устройство для ионно-плазменного травления материалов

Устройство для ионно-плазменного травления материалов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Использование: в электронной технике для плазменного травления и осаждения материалов микроэлектроники. Сущность изобретения: за верхним электродом соосно с вакуумной камерой, в которой он расположен , размещают магнитную катушку. В результате повышается эффективность генерации химически активных радикалов в верхнем разрядном промежутке, возрастает их поток е область обрабатываемого изделия и увеличивается скорость травления. 1 ил.

союз советских

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 С 23 С 14/32

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОП ИСАН И Е И ЗОБ РЕТЕ Н ИЯ

: ; Д„. 7 Я g3

), К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ8У (21) 4822543/21 (22) 04.05.90 (46) 15.06.93. Бюл. hb 22 (71) Специальное конструкторско-технологическое бюро с экспериментальным производством Института ядерных исследований

АН УССР (72) M.Ï.Êðóãëåíêî, B.Ô.Cåìåíþê, Г.A,Òðéпуте и П.Ф.Хоменко (56) Заявка Японии М 60-293790, кл. Н 01 (21/302, 1985.

Ж. Semlcond In, 1989, 12, ЬЬ 5, р. 255, Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для прецизионного плазмохимического травления и осаждения материалов микроэлектроники, очистки поверхности изделий перед вакуумной металлизацией;

Целью изобретение является повышение скорости ионно-плазменного травления материалов.

Устройство. для ионно-плазменного травления материалов (см. чертеж) содержит вакуумную камеру 1, у торцов которой соосно размещены плоские электроды 2, 3, подключенные к источникам высокочастотного(ВЧ) напряжения. Плоские электроды 2, 3 разделены заземленным сетчатым экраном 4. На электроде 3 размещено обрабетываемое изделие 5, Со стороны электрода 2, противостоящего обрабатываемому изделию 5, соосно с камерой 1 расположена злектромагнйтная катушка 6.

Устройство для ионно-плазменного травления работает следующим образом, „„ Ы„„1821496 А1 (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИОННО-ПЛАЗМЕН

НОГО ТРАВЛЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ (57) Использованйе: в электронной технике для плазменного травления и осаждения материалов микроэлектроники, Сущность изобретения: за верхним электродом соосно с вакуумной камерой, в которой он расположен, размещают магнитную катушку. В результате повышается эффективность генерации химически активных радикалов в верхнем разрядном промежутке, возраста- . ет их поток в область обрабатываемого изделия и увеличивается скорость травления.

1 ил.

Откачивают вакуумную камеру 1 до давления на 2-3 порядка ниже рабочего, Напускают в нее рабочую смесь газов или паров.

Включают источник питания электромагнитной катушки 6. Включают источник ВЧ напряжения, соединенный с электродом 2, противостоящим обрабатываемому изделию 5, Между сетчатым экраном 4.и электродом 2 возбуждается ВЧ разряд в скрещенных переменном электрическом и постоянном магнитном полях, который является источником химически активных радикалов, распространяюшихся через сетчатый экран 4.в область пространства к электроду 3 с обрабатываемым изделием 5.

Затем включают источник ВЧ напряжения, соединенный с электродом 3. В области пространства у обрабатываемого изделия 5 возбуждается ВЧ разряд — источник ионов, ускоряющихся электрическим полем слоя обьемного заряда,у электрода 3 и бомбардирующих изделие 5. Регулируя ВЧ мощность в разряде между электродом 2 и сетчатым

1821496

Составитель С. Мирошкин

Техред M.Ìopãåíòàë Корректор Е, Папп

Редактор

Заказ 2092 Тираж ... Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издатвльский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул, Гагарина, 101 экраном 4 и ток электромагнитной катушки

6, а также ВЧ мощность в разряде между

: электродом 3 и сетчатым экраном 4, устанавливают требуемую скорость ионноплазменного травления. Частота ВЧ 5 напряжения, подаваемого на электроды 2, 3 может быть одинаковой, равной, например, 13,36 МГц; Для дополнительноГо увеличе. йия скорости травления на электрод 3 может быть подано ВЧ напряжение с частотой 10 в диапазоне 0,1-0,5 МГц.

По сравнению с известными техническими решениями устройство для ионноплазменного травления позволяет примерно е 2 раза повысить скорость трав- 15 ления из-за более высокой плотности потока химически активных радикалов, поступающих на. обрабатываемое изделие.

Формула изобретения

Устройство для ионно-плазменного травления материалов, содержащее вакуумную камеру, у торцов которой по оси камеры размещены плоские электроды, подключенные к источникам высокочастотного напряжения .и разделеннйе заземленным сетчатым экраном, на одйом из которых размещено обрабатываемое изделие. о т л ич а ю щ ее с я тем,что, с целью повышения скорости травления, оно снабжено электромагнйтной катушкой, расположенной соосно с камерой со. стороны электрода, противолежащего обрабатываемому изделию.