Интегральная микросхема с тонкопленочной металлизацией

Интегральная микросхема с тонкопленочной металлизацией

Реферат

 

1. Интегральная микросхема с тонкопленочной металлизацией, содержащая кремниевую подложку с расположенными в ней активными и пассивными элементами, диэлектрический слой со сформированными в нем контактными окнами и созданным первым слоем тонкопленочной металлизации, расположенным на диэлектрическом слое и в контактных окнах, вторым слоем металлизации на основе алюминия или его сплавов, расположенным над первым, отличающаяся тем, что, с целью увеличения степени интеграции ИМС за счет уменьшения вертикальных размеров элементов, первый слой тонкопленочной металлизации выполнен толщиной от 15 до 100 нм из заэвтектической смеси кремния с алюминием при содержании кремния от 11,8 до 60 мас.%.

2. Микросхема по п.1, отличающаяся тем, что первый слой тонкопленочной металлизации из заэвтектической смеси кремния с алюминием, дополнительно содержит один из редкоземельных металлов цериевой или иттриевой подгрупп или скандий в количестве от 0,01 до 3,0 мас.%.