Устройство для измерения радиуса кривизны полированных полупроводниковых пластин

Устройство для измерения радиуса кривизны полированных полупроводниковых пластин

Реферат

 

Изобретение предназначено для измерения радиуса кривизны полированных полупроводниковых пластин. Цель изобретения расширение диапазона измерений. С помощью микроскопа измеряют расстояние между световыми точками, являющимися проекциями на экран разделенных лучей, отраженных поочередно от исследуемой и эталонной пластин, располагаемых в держателе, установленном между системой призм, предназначенной для раздваивания лучей и экраном, и выполненным с теплообменником. 1 з. п. ф-лы, 1 ил.

Изобретение относится к устройствам для измерения радиусов кривизны пластин с зеркальными поверхностями, преимущественно полупроводниковых пластин.

Известно устройство для измерения радиуса кривизны полированных полупроводниковых пластин, содержащее корпус и установленные в нем узконаправленный источник света, систему призм, предназначенную для раздваивания лучей, держатель пластин и экран (1).

Недостаток устройства ограниченный диапазон измерений, связанный с невозможностью измерения выпуклых поверхностей с большим радиусом кривизны.

Цель изобретения расширение диапазона измерений.

Для достижения цели устройство снабжено установленным с возможностью перемещения вдоль экрана микроскопом, а держатель пластин размещен по ходу лучей между системой призм и экраном. Кроме того, держатель пластины установлен горизонтально и выполнен с теплообменником.

На чертеже изображено устройство для измерения радиуса кривизны полированных полупроводниковых пластин, содержащее корпус 1 с установленными в нем узконаправленным, например лазерным, источником 2 света, поляризатором 3, регулирующим его интенсивность, систему призм 4, 5, предназначенную для раздваивания лучей с приспособлением для линейного перемещения и разворота одной относительно другой, держатель 6 с теплообменником 7 в термостатированной камере 8 с прозрачным окном 9, полупрозрачный экран 10 для измерения расстояния А и В между двумя световыми точками проекциями лучей, отраженных поочередно от исследуемой и эталонной пластин 13 и 14 соответственно.

Устройство работает следующим образом.

Луч источника 2 через поляризатор 3 направляется на призмы 4 и 5, проходя через которые он раздваивается и оба луча направляются поочередно с помощью передвижения держателя 6 на поверхность эталонной и исследуемой пластин 14 и 13, соответственно, отражаясь от которых, лучи попадают на экран 10 и проектируются на нем в виде световых точек, расстояние А и В между которыми измеряется с помощью микроскопа 11. Радиус кривизны поверхности пластин определяется разностью расстояний Б-А между световыми точками при отражении от исследуемой и эталонной пластин 13 и 14. Чем больше эта разность, тем меньше радиус кривизны пластины 13. По знаку разности определяется характер кривизны поверхности пластин 13: выпуклая или вогнутая. При положительной разности поверхность пластины 13 выпуклая, при отрицательной вогнутая.

Устройство позволяет измерять пластины с большими радиусом кривизны и проводить измерения при заданной температуре.

Формула изобретения

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ РАДИУСА КРИВИЗНЫ ПОЛИРОВАННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, содержащее корпус и установленные в нем узконаправленный источник света, систему призм, предназначенную для раздваивания лучей, держатель пластин и экран, отличающееся тем, что, с целью расширения диапазона измерений, оно снабжено установленным с возможностью перемещения вдоль поверхности экрана микроскопом с микрометрическим механизмом, а держатель пластин размещен по ходу лучей между системой призм и экраном.

2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что держатель пластин установлен горизонтально и выполнен с теплообменником.

РИСУНКИ

Рисунок 1