Контактирование полупроводниковых микросхем в чип-картах

Контактирование полупроводниковых микросхем в чип-картах

Иллюстрации

Показать все

Реферат

Изобретение относится к чип-карте (карте с микросхемой), которая имеет корпус чип-карты, полупроводниковую микросхему и закрепленную в корпусе чип-карты подложку, с которой полупроводниковая микросхема связана электрически и механически, при этом корпус чип-карты имеет первую полость и вторую полость, причем вторая полость выполнена в основании первой полости, так что первая полость простирается в боковые стороны над второй полостью, и площадь основания первой полости охватывает вторую полость, при этом подложка размещена в первой полости и на своей верхней стороне имеет верхние плоские контакты для считывания чип-карты, а на своей нижней стороне имеет нижние плоские контакты, которые посредством проходящих через подложку проводников контактных отверстий электрически связаны друг с другом, при этом полупроводниковая микросхема посредством электрических соединений связана с нижними плоскими контактами подложки, причем проводники контактных отверстий контактируют как с нижними плоскими контактами, так и верхними плоскими контактами и размещены в области первой полости, которая простирается в стороны вне второй полости, и проводники контактных отверстий в основании первой плоскости закрыты.

Чип-карты состоят по существу из корпуса (тела) чип-карты, как правило, пластиковой карты, которая имеет полость для помещения полупроводниковой микросхемы. Эта полость состоит обычно из внешней плоской полости, в плоскости основания которой выполнена еще одна внутренняя полость. Внутренняя полость имеет меньшее по площади поперечное сечение, чем внешняя полость, так что внешняя полость простирается над внутренней полостью в стороны от последней. Плоскость основания (дна) внешней полости окружает внутреннюю полость.

Внутренняя полость служит для того, чтобы разместить полупроводниковую микросхему в корпусе чип-карты. Во внешней полости размещается подложка, с которой полупроводниковая микросхема связана электрически и механически. Электрические соединения полупроводниковой микросхемы с плоскими контактами на верхней стороне подложки обеспечивают возможность считывания карты и в зависимости от чип-карты записи информации в полупроводниковую микросхему с помощью соответствующего контактирования верхних плоских контактов посредством автомата для чип-карт.

Подложка закреплена на плоскости основания внешней полости и почти полностью заполняет внешнюю полость. Подложка одновременно закрывает внутреннюю полость, в которой находится полупроводниковая микросхема. Тем самым подложка защищает полупроводниковую микросхему от внешних влияний.

Известны чип-карты, подложки которых имеют на своей верхней стороне плоские контакты и на обратных сторонах которых закреплены паяные соединения, например соединенные пайкой проволочные выводы, которые электрически соединяют полупроводниковую микросхему с плоскими контактами. Чтобы иметь возможность соединить проволочные выводы с обратными сторонами плоских контактов на верхней стороне подложки, подложка имеет отверстие под каждым контактом.

Кроме того, известны чип-карты, подложка которых также имеет на своей нижней стороне плоские контакты. Эти плоские контакты электрически связаны с полупроводниковой микросхемой, как и с плоскими контактами на верхней стороне чип-карты. Для электрического соединения верхних и нижних плоских контактов друг с другом в подложке выполнены проводники контактных отверстий, так называемые переходные (межслойные) отверстия. Такое переходное отверстие предпочтительно представляет собой цилиндрическое отверстие в подложке, имеющее диаметр в пределах от 0,1 до 1 мм, и проходит от нижней стороны до верхней стороны подложки, причем верхний конец переходного отверстия или, соответственно, проводника контактного отверстия часто накрывается верхними плоскими контактами. Цилиндрическая внутренняя стенка проводников контактных отверстий обработана таким образом, что она является электропроводной. За счет соответствующего металлического или другого электропроводного покрытия внутренней стенки контактное отверстие представляет собой электрический проводник. Он проходит между соответственно верхним и нижним плоским контактом подложки.

Полупроводниковая микросхема связана электрическими соединениями с нижними плоскими контактами подложки и поэтому может электрически управляться через переходные отверстия с верхней стороны подложки.

Встроенная в чип-карту полупроводниковая микросхема должна быть изолирована от влияний окружающей среды, чтобы влага или содержащиеся в окружающем воздухе вредные вещества не проникали в полупроводниковую микросхему. Чтобы предотвратить контакт образованного внутренней полостью полого пространства с внешней средой, переходные отверстия, представляющие собой сквозные отверстия в подложке, могут размещаться вне плоскости основания второй полости на плоскости основания первой полости. Тем самым создается препятствие обмену внешнего воздуха с воздухом внутри второй полости.

Однако существует возможность того, что и во время процесса изготовления микроклимат, оказывающий долговременное вредное воздействие на полупроводниковую микросхему, в том числе влага и/или вредные вещества, блокируется во второй полости. Вредного воздействия этого микроклимата на полупроводниковую микросхему невозможно избежать надежным образом и с помощью защитной массы, которая закрывает обращенную к подложке верхнюю сторону интегральной схемы. Вредные вещества в составе такого микроклимата могут диффундировать в защитную массу или граничные плоскости между защитной массой и полупроводниковой микросхемой.

Задачей настоящего изобретения является создание чип-карты, в которой эффективное экранирование полупроводниковой микросхемы от вредных веществ и влаги реализуется экономичным способом и в отношении замкнутого во второй полости объема воздуха.

Указанная задача в соответствии с изобретением решается тем, что подложка на своей нижней стороне с помощью адгезионного слоя, который от основания первой полости простирается внутрь второй полости и накрывает область полупроводниковой схемы, закреплена на плоскости основания первой полости.

В соответствии с изобретением экранирование большей части объема воздуха, замкнутого во второй полости, достигается тем, что адгезионный слой, который в традиционных чип-картах предусмотрен для закрепления подложки, также предусматривается и во второй полости. Обычно адгезионный слой размещен только в области плоскости основания первой полости вне второй полости и имеет в области второй полости вырез, так как там на высоте плоскости основания первой полости размещены электрические контакты для полупроводниковой микросхемы. В соответствии с изобретением предусмотрено, что адгезионный слой от основания первой полости простирается внутрь второй полости и накрывает область полупроводниковой микросхемы. Этот адгезионный слой, который для закрепления подложки обычно предусмотрен только на плоскости основания вне второй полости, в соответствии с изобретением накрывает также внутри второй полости полупроводниковую микросхему на ее нижней стороне и простирается рядом с боковыми поверхностями полупроводниковой микросхемы до плоскости основания первой полости, за счет чего объем воздуха второй полости делится надвое. Адгезионный слой экранирует большую часть объема воздуха от полупроводниковой микросхемы, так что лишь некоторая доля влажного воздуха и/или вредных веществ контактируют с полупроводниковой интегральной схемой. Тем самым достигается эффективное экранирование микроклимата, что реализуется без дополнительных затрат. В особенности предусмотрено, что адгезионный слой охватывает полупроводниковую микросхему во второй полости снизу. Так как адгезионный слой окружает выступающую над нижней стороной подложки полупроводниковую микросхему, он представляет собой дополнительную защитную оболочку.

Предпочтительная форма выполнения предусматривает, что полупроводниковая микросхема в области своих электрических соединений с нижними плоскими контактами подложки накрыта электрически изолирующей или анизотропно проводящей защитной массой и что адгезионный слой накрывает область полупроводниковой схемы, не накрытую защитной массой. На основе соответствующего изобретению уплотнения на поверхности основания внешней полости объема внутренней полости по отношению к пустому пространству в проводниках переходных отверстий и по отношению к внешней среде чип-карты объем внутренней полости климатически экранирован. Если, однако, сильные механические нагрузки корпуса чип-карты приведут к проникновению влаги во внутреннюю полость, то защитная масса защитит электрические соединения между полупроводниковой микросхемой и нижними плоскими контактами от коррозии. Кроме того, для этого может использоваться также анизотропно проводящая защитная масса (паста с анизотропной проводимостью) или клеевое соединение с анизотропной проводимостью (адгезив с анизотропной проводимостью).

Если проводники контактных отверстий размещены в области первой полости, которая простирается в стороны за пределы второй полости, то проводники контактных отверстий выходят в плоскость основания первой полости, там проводники контактных отверстий автоматически замыкаются. Ввиду такого расположения проводников контактных отверстий больше уже не требуется для защиты полупроводниковой микросхемы наносить покрытия для проводников контактных отверстий, так как они больше не ведут во внутреннее пространство второй полости. Созданная таким образом чип-карта может изготавливаться экономичным образом и защищает полупроводниковую микросхему от внешних климатических воздействий, так что не может возникнуть микроклимат, оказывающий вредное воздействие на полупроводниковую микросхему.

Предпочтительным образом предусмотрено, что проводники контактных отверстий замкнуты посредством адгезионного слоя. В этом случае проводники контактных отверстий заканчиваются на адгезионном слое, который нанесен на основание первой, внешней, полости корпуса чип-карты и который удерживает подложку. Адгезионный слой, который покрывает плоскость основания внешней полости, накрывает край нижней стороны подложки и тем самым одновременно нижние отверстия проводников контактных отверстий, размещенных на краю подложки.

В качестве альтернативы предусмотрено, что проводники контактных отверстий заканчиваются в вырезах адгезионного слоя и что адгезионный слой окружает и уплотняет образованные вырезами пустые пространства. При этом в адгезионном слое корпуса чип-карты предусмотрены вырезы, которые размещены в том же боковом положении, что и проводники контактных отверстий подложки. Нижние отверстия проводников контактных отверстий при этом не контактируют непосредственно с адгезионным слоем; вместо этого они размещены на расстоянии, равном толщине адгезионного слоя по отношению к плоскости основания внешней полости корпуса чип-карты. Это может быть предпочтительным, когда поверхность нижних плоских контактов из-за изготовления проводников контактных отверстий несколько повышена, например, когда отверстие проводника контактного отверстия окружено кольцевым выступом. Так как конец проводника контактного отверстия заканчивается в пустом пространстве, указанный выступ непосредственно не приводится в контакт с основанием внешней полости и не препятствует тем самым контакту между подложкой и адгезионным слоем.

Предпочтительно предусмотрено, что нижние плоские контакты подложки проходят через внутренний край плоскости основания первой полости наружу, над полупроводниковой микросхемой внутрь второй полости. При этом выводы полупроводниковой микросхемы могут представлять собой вертикальные, то есть ориентированные перпендикулярно к плоскости корпуса чип-карты контактные штыри, до которых проходят в боковом направлении контактные площадки на нижней стороне подложки. Если расположенные в области этих контактных штырей внутренние концы нижних плоских контактов выполнены с большими размерами, то полупроводниковая микросхема будет сохранять надежный контакт и при незначительных боковых смещениях.

Соответственно, в предпочтительной форме выполнения полупроводниковая микросхема припаяна методом перевернутого кристалла к нижним плоским контактам подложки. При способе крепления методом перевернутого кристалла полупроводниковая микросхема повернута на 180 градусов, то есть встроена в корпус чип-карты в соединении с подложкой снизу, будучи повернутой вверх дном. При этом не контактирующая верхняя сторона полупроводниковой микросхемы обращена к основанию второй, внутренней, полости и защищается ею с нижней стороны карты, не снабженной электрическими контактами.

Что касается материала адгезионного слоя, то предпочтительные варианты выполнения предусматривают, что адгезионный слой выполнен из материала, который приклеивается только при повышенной температуре, или из отверждаемого жидкого клеящего материала, предпочтительно из отверждаемого цианакрилата. Адгезионный слой из клеящего только при повышенной температуре материала имеет то преимущество, что в холодном, еще не клеящем состоянии в адгезионном слое могут быть легко выштампованы вырезы, в которые затем будут входить проводники контактных отверстий. В случае применения жидкого клеящего материала обеспечивается легкость заполнения внутренности проводников контактных отверстий и тем самым достигается увеличенная площадь уплотнения.

Выполненная в соответствии с изобретением чип-карта предпочтительно представляет собой карту для мобильной связи.

Изобретение описано ниже со ссылками на чертежи, на которых представлено следующее:

Фиг.1 - поперечное сечение соответствующей изобретению чип-карты и

Фиг.2 - вид в плане разреза верхней стороны соответствующей изобретению чип-карты.

На фиг.1 представлен в сечении корпус 1 чип-карты, который может состоять из гибкого или также жесткого синтетического материала, причем толщина чип-карты соответствует высоте показанного на фиг.1 корпуса 1 чип-карты. Корпус 1 чип-карты имеет внешнюю полость 10, которая в боковом направлении, то есть параллельно плоскости чип-карты, имеет большее поперечное сечение, чем другая полость 20, которая выполнена в основании 15 внешней полости. Внешняя полость 10 простирается в стороны влево и вправо, а также перпендикулярно плоскости чертежа вверх и вниз над внутренней полостью 20, так что плоскость 15 основания окружает сечение внутренней полости. Во внешней полости 10 размещена подложка 2. Во внутренней полости 20 размещена полупроводниковая микросхема 3, которая электрическими соединениями 9 связана с подложкой 2. Подложка 2 прилегает через адгезионный слой 7 к плоскости 15 основания внешней полости 10 и таким способом закрепляется в корпусе 1 чип-карты. Подложка 2 служит, с одной стороны, тому, чтобы полупроводниковую микросхему 3 закреплять без непосредственного контакта с гибким в максимально возможной степени корпусом 1 чип-карты, а с другой стороны, тому, чтобы обеспечивать электрический контакт с полупроводниковой микросхемой 3 для считывания чип-карты. С этой целью на верхней стороне 11 подложки размещено множество плоских контактов 4. Подложка 2 имеет на своей нижней стороне 12 другие плоские контакты 5, которые имеют другое поперечное сечение плоскости по сравнению с верхними плоскими контактами 4. Они проходят, в особенности, в большей степени к середине подложки, чем верхние плоские контакты 4. Подложка 2 может иметь в центре верхней стороны 11 и нижней стороны 12 подобные контактам площадки, так называемые островки, которые сами не служат контактированию с подложкой. Полупроводниковая микросхема 3 связана электрическими соединениями 9 с плоскими контактами 5 на нижней стороне 12 подложки 2. Электрические соединения между нижними плоскими контактами 5 и плоскими контактами 4 на верхней стороне 11 полупроводниковой микросхемы, где устанавливаются контакты автомата для считывания чип-карт, выполняются посредством так называемых переходных (межслойных) отверстий 6. Переходное отверстие, как показано на фиг.1, представляет собой отверстие в плоскости подложки 2, которое соединяет верхнюю сторону 11 с нижней стороной 12. На фиг.1 верхние плоские контакты 4 и нижние плоские контакты 5 пробиты соответствующим переходным отверстием 6. Переходное отверстие может пробивать эти контакты в пределах их контактных площадок или на краю. Показанные на фиг.1, обозначенные ссылочными позициями 4, соответственно 5, и разделенные переходным отверстием 6 области иллюстрируют соответственно части одного и того же контакта, так что на фиг.1 показаны всего только два верхних 4 и два нижних 5 плоских контакта.

Переходное отверстие представляет собой полый канал в массе подложки 2, через который внутрь чип-карты может проникнуть внешний воздух. Стенки 16 переходных отверстий 6 обработаны таким образом, что они являются электропроводными. Они имеют покрытие из электропроводного материала, который, как и стенка, имеет форму полого цилиндра. Вследствие этого проводящего слоя покрытия переходное отверстие представляет собой проводник 6 контактного отверстия. Внутренность проводника 6 контактного отверстия является полой, вследствие чего, если только проводник 6 контактного отверстия по меньшей мере на одной стороне подложки 2 не закрыт, происходит климатический обмен между окружающей воздушной средой и внутренним объемом корпуса 2 карты.

Проводники 6 контактных отверстий не обязательно должны располагаться в поперечном сечении плоского контакта; они могут также размещаться на краю плоских контактов 4 и 5, например на краю подложки 2.

Расположенная во внутренней полости 20 полупроводниковая микросхема 3 посредством электрических соединений 9, нижних плоских контактов 5 и проводников 6 контактных отверстий соединена с верхними плоскими контактами 4 подложки 2. Так как верхние плоские контакты 4 проходят до местоположения над внутренней полостью 20, проводники 6 контактных отверстий могут располагаться в пределах ширины внутренней полости 20. В этом случае нижние плоские контакты 5 должны были бы перекрывать только короткое боковое расстояние между проводниками 6 контактных отверстий и электрическими соединениями 9 полупроводниковой микросхемы 3. При таком размещении проводников 6 контактных отверстий внешний воздух мог бы проникнуть во внутреннюю полость 20 и создать таким образом микроклимат, вредный для полупроводниковой микросхемы 3. В особенности влага и содержащиеся в воздухе вредные вещества могут диффундировать через материал корпуса полупроводниковой микросхемы 3 и оказывать на нее вредное воздействие, если только проводники контактных отверстий не заполнены или не закрыты.

Обычные чип-карты с подложками, которые с обеих сторон снабжены плоскими контактами, имеют так называемые глухие переходные отверстия, которые на верхней стороне 11 подложки 2 закрыты и замкнуты посредством плоских контактов 4, нанесенных после выполнения проводников 6 контактных отверстий. Эти проводники контактных отверстий проходят поэтому только до нижней стороны металлических плоских контактов 4, то есть только до верхней стороны подложки 2. Поэтому верхние контактные площадки 4 должны наноситься после изготовления проводников контактных отверстий, что удорожает изготовление подложки и тем самым чип-карты.

В соответствии с изобретением проводники 6 контактных отверстий размещаются в области внешней полости 10, которая простирается в стороны за пределы внутренней полости 20, так что проводники 6 контактных отверстий заканчиваются в основании 15 внешней полости с боковым смещением относительно внутренней полости 20 и там закрываются, не требуя для этого собственных вспомогательных средств. Соответствующая изобретению чип-карта защищает тем самым полупроводниковую микросхему 3 от вредного влияния микроклимата и к тому же может изготавливаться экономичным образом.

Проводники 6 контактных отверстий могут быть закрыты на своих нижних концах различными способами. В этой связи на фиг.1 показаны две предпочтительные формы выполнения. Показанное на фиг.1 справа переходное отверстие 6 закрыто адгезионным слоем 7, посредством которого подложка 2 закреплена на основании 15 внешней полости 10 в корпусе 1 чип-карты. Показанное на фиг.1 слева переходное отверстие 6, согласно альтернативной форме выполнения, окружено вырезом 8 в адгезионном слое 7. Адгезионный слой 7 окружает образованное вырезом 8 пустое пространство в плоскости 15 основания внешней полости 10 со всех сторон и уплотняет полое пространство в этой плоскости со всех сторон. Попадающий через переходное отверстие 6 внешний воздух не может поэтому проникнуть в область внутренней полости 20. Полупроводниковая микросхема 3 соединена электрическими соединениями 9 с нижними плоскими контактами 5 подложки 2. Смонтированные на полупроводниковой микросхеме 3 выводы 9 (контактные столбики) могут припаиваться к контактам 5, или если, как показано на чертеже, на контакты 5 нанесена защитная масса 13, электрически соединяться через нее с этими контактами таким образом, что полупроводниковая микросхема 3 прижимается к подложке 2 до тех пор, пока защитная масса 13 не отвердеет и будет надежно и прочно удерживать контакты 9 микросхемы на плоских контактах 5. Защитная (адгезионная) масса 13 может быть уже нанесена на плоские контакты 5 перед прижатием полупроводниковой схемы 3, и в этом случае прижатие погруженных контактов 9 происходит через защитную массу 13.

Закрепленная методом перевернутого кристалла, то есть вверх дном, на подложке 2 полупроводниковая микросхема 3 и подложка 2 образуют совместно модуль чип-карты. Подложка 2 является предпочтительно гибкой проводящей платой, которая состоит из материала основы, на обе стороны 11, 12 которой нанесены плоские контакты 4, 5. Через многослойную подложку, образованную материалом основы и двусторонними плоскими контактами, насквозь проходят проводники 6 контактных отверстий, так что подложка 2 сама не может предотвратить проникновение влаги во внутреннюю полость 20 и тем самым возникновение сбоев микросхемы.

Для закрепления модуля 2, 3 карты в корпусе 1 чип-карты служит слой 7, который может состоять из синтетического материала (плавящегося при высокой температуре - hotmelt), который при высоких температурах обладает клеящим свойством. Также могут применяться жидкий горячий клей или, в качестве альтернативы, быстро отверждаемый синтетический материал, как, например, цианакрилат.

Адгезионный слой 7 показан на фиг.1 в соответствии с изобретением как непрерывно проходящий, то есть он проходит и во внутреннюю полость 20 и там окружает полупроводниковую микросхему 3 снизу. Тем самым микросхема 3 дополнительно защищается и этим экранируется от большей части объема воздуха, находящегося во второй полости. Поэтому вредное действие микроклимата на полупроводниковую микросхему может проявляться лишь в значительно меньшей мере, чем это имеет место в обычной чип-карте. К тому же обеспечиваемое экранирование реализуется экономичным способом.

На фиг.2 показан разрез соответствующей изобретению чип-карты в схематичном представлении. Во внешней полости 10 в корпусе 1 чип-карты выполнена дополнительная, проходящая вглубь корпуса 1 чип-карты внутренняя полость 20. В верхней полости 10, которая простирается в стороны над внутренней полостью 20, размещена подложка 2. Между нижней стороной подложки 2 и основанием внешней полости 10 размещен адгезионный слой 7, обозначенный штриховкой, который находится только в областях внешней полости 10, которые находятся по сторонам вне обозначенной пунктиром внутренней полости 20.

В пределах этого адгезионного слоя заканчиваются три показанные на фиг.2 на правой стороне подложки 2 проводника 6 контактных отверстий и замыкаются этим слоем. В альтернативной форме выполнения проводники 6 контактных отверстий могут заканчиваться в вырезах в адгезионном слое 7, причем и в этом случае достигается полное уплотнение, так как в плоскости основания первой полости 10 адгезионный слой 7 окружает вырез 8 со всех сторон и уплотняет его. Кроме того, адгезионный слой 7 окружает также, как плоскость основания первой внешней полости 10, внутреннюю полость 20 со всех сторон и тем самым препятствует климатическому обмену с внешней средой.

Перечень обозначений ссылочных позиций

1 - корпус чип-карты

2 - подложка

3 - полупроводниковая микросхема

4 - верхний плоский контакт

5 - нижний плоский контакт

6 - проводник контактного отверстия (переходное отверстие)

7 - адгезионный слой

8 - вырез

9 - контакт микросхемы (столбиковый вывод)

10 - первая полость

11 - верхняя сторона подложки

12 - нижняя сторона подложки

13 - защитная масса

15 - плоскость основания первой полости

20 - вторая полость

1. Чип-карта, которая имеет корпус (1) чип-карты, полупроводниковую микросхему (3), и закрепленную в корпусе (1) чип-карты подложку (2), с которой полупроводниковая микросхема (3) связана электрически и механически, при этом корпус (1) чип-карты имеет первую полость (10) и вторую полость (20), причем вторая полость (20) выполнена в основании первой полости (10) так, что первая полость (10) простирается в боковые стороны над второй полостью (20), и плоскость (15) основания первой полости (10) охватывает вторую полость (20), при этом подложка (2) размещена в первой полости (10) и на своей верхней стороне (11) имеет верхние плоские контакты (4) для считывания чип-карты, а на своей нижней стороне (12) имеет нижние плоские контакты (5), которые посредством проходящих через подложку (2) проводников (6) контактных отверстий электрически связаны друг с другом, при этом полупроводниковая микросхема (3) посредством электрических соединений (9) связана с нижними плоскими контактами (5) подложки (2), и причем проводники (6) контактных отверстий проходят как через нижние плоские контакты (5), так и через верхние плоские контакты (4), и размещены в области первой полости (10), которая простирается в стороны вне второй полости (20), и проводники (6) контактных отверстий в основании первой плоскости (10) закрыты, отличающаяся тем, что подложка (2) своей нижней стороной (12) с помощью адгезионного слоя (7), который от основания первой полости (10) простирается внутрь второй полости (20) и накрывает область полупроводниковой микросхемы (3), закреплена на плоскости (15) основания первой полости (10).

2. Чип-карта по п.1, отличающаяся тем, что адгезионный слой (7) окружает снизу полупроводниковую микросхему (3) во второй полости (20).

3. Чип-карта по п.1 или 2, отличающаяся тем, что полупроводниковая микросхема (3) в области своих электрических соединений (9) с нижними плоскими контактами (5) подложки (2) покрыта электрически изолирующей или анизотропно проводящей защитной массой (13), и что адгезионный слой (7) накрывает область полупроводниковой микросхемы (3), не покрытую защитной массой (3).

4. Чип-карта по п.1 или 2, отличающаяся тем, что проводники (6) контактных отверстий замкнуты посредством адгезионного слоя (7).

5. Чип-карта по п.1 или 2, отличающаяся тем, что проводники (6) контактных отверстий заканчиваются в вырезах (8) адгезионного слоя (7) и что адгезионный слой (7) окружает и уплотняет образованное вырезами (8) пустое пространство.

6. Чип-карта по п.1 или 2, отличающаяся тем, что нижние плоские контакты (5) подложки (2) проходят над внутренним краем плоскости (15) основания первой полости (15) и над полупроводниковой микросхемой (3) в пределах второй полости (20).

7. Чип-карта по п.1 или 2, отличающаяся тем, что полупроводниковая микросхема (3) припаяна к нижним плоским контактам (5) подложки (2) методом перевернутого монтажа.

8. Чип-карта по п.1 или 2, отличающаяся тем, что адгезионный слой (7) выполнен из материала, который становится клеящим только при повышенной температуре.

9. Чип-карта по п.1 или 2, отличающаяся тем, что адгезионный слой (7) выполнен из отверждаемого жидкого адгезива, предпочтительно из отверждаемого цианакрилата.

10. Чип-карта по п.1 или 2, отличающаяся тем, что чип-карта является картой мобильной связи.