Аппарат магнетронного распыления

Иллюстрации

Показать все

Изобретение относится к аппарату магнетронного распыления для обработки подложки (варианты), установке магнетронного распыления и способу распыления для формирования пленки из материала мишени. Изобретение обеспечивает повышение скорости формирования пленки посредством увеличения плотности эрозии на мишени при каждом перемещении и продление срока службы мишени путем достижения однородного расходования мишени посредством перемещения области эрозии со временем. Пластинчатые магниты (3) установлены вокруг колоннообразного вращающегося вала (2). При вращении колоннообразного вращающегося вала (2) на мишени (1) формируется область эрозии высокой плотности, чтобы увеличить скорость формирования пленки. Так как эта область эрозии перемещается вместе с вращением колоннообразного вращающегося вала (2), мишень (1) расходуется однородно. 6 н. и 30 з.п. ф-лы, 26 ил.

Реферат

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ

[0001] Настоящее изобретение относится к аппарату магнетронного распыления, который служит обрабатывающим устройством для выполнения заданной обработки поверхности на обрабатываемом элементе, например на подложке жидкокристаллического дисплея, полупроводниковой подложке и т.п.

УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ

[0002] При производстве элементов жидкокристаллических дисплеев, полупроводниковых устройств, таких как интегральные схемы (ИС) и т.п., необходим процесс формирования тонкой пленки, при котором на подложке формируется тонкая пленка, например, металла, или изолятора, или тому подобного. В этом процессе используется способ формирования пленки с помощью аппарата распыления, в котором исходный материал для формирования тонкой пленки используется в качестве мишени. В этом случае в газе аргоне или подобном газе создается плазма посредством приложения высокого постоянного напряжения или высокочастотной мощности для активации и распыления мишени и рассеяния материала мишени с его осаждением на обрабатываемую подложку.

[0003] Среди способов формирования пленок распылением наибольшее применение в последнее время находит способ формирования пленки с использованием аппарата магнетронного распыления. В таком аппарате магнетронного распыления высокая скорость формирования пленки может быть достигнута посредством размещения магнита с тыльной стороны мишени и при прохождении магнитных силовых линий параллельно поверхности мишени, тем самым удерживая плазму на поверхности мишени и генерируя высокоплотную плазму.

[0004] На Фиг.10 показана схема, описывающая конфигурации основных составляющих компонентов аппарата магнетронного распыления согласно такой существующей технологии, при этом ссылочной позицией 101 обозначена мишень, ссылочной позицией 102 обозначена подложка для формирования тонкой пленки, ссылочной позицией 103 обозначены множественные магниты, ссылочной позицией 104 обозначены магнитные силовые линии, а ссылочной позицией 105 обозначена область, где мишень 101 распыляется и расслаивается, т.е. область эрозии.

[0005] Как показано на Фиг.10, множественные магниты 103 расположены с тыльной стороны мишени 101, причем N-полюс и S-полюс каждого из множественных магнитов 103 ориентированы по заданному направлению, и между мишенью 101 и подложкой 102 прикладывается высокочастотная мощность (ВЧ-мощность) 106 или мощность высокого постоянного напряжения 107 для возбуждения плазмы на мишени 101.

[0006] С другой стороны, множественные магниты 103, установленные у задней поверхности мишени 101, создают магнитные силовые линии 104 от N-полюса к S-полюсу, которые являются смежными друг с другом. У поверхности мишени горизонтальное магнитное поле (компоненты магнитных силовых линий, параллельные поверхности мишени) частично становится максимальным в том месте, где является нулевым вертикальное магнитное поле (компоненты силовых линий магнитного поля, перпендикулярные поверхности мишени). В области, включающей в себя много горизонтальных компонент магнитного поля, электроны захватываются вблизи поверхности мишени, образуя высокоплотную плазму и, соответственно, формируется область 105 эрозии с ее центром в этом месте.

[0007] Область 105 эрозии подвергается действию высокоплотной плазмы, в отличие от других областей, так что мишень 101 интенсивно локально вырабатывается. Когда материал мишени в некоторой локально выработанной области при непрерывном формировании пленки израсходован, мишень целиком должна быть заменена. В результате эффективность использования мишени 101 снижается, и, кроме того, толщина тонкой пленки на подложке 102, которая расположена напротив мишени 101, также становится неоднородной, так что пленка в месте, находящемся напротив области 105 эрозии, становится толстой, и однородность ее толщины по всей подложке 102 ухудшается.

[0008] Поэтому, предлагались технологии, в которых в качестве магнитов для создания магнитных полей обычно использовались стержневые магниты, и эти стержневые магниты перемещались или вращались, тем самым перемещая область эрозии во времени, по существу устраняя в среднем по времени частичную выработку мишени и, кроме того, улучшая однородность толщины пленки на обрабатываемой подложке (см. патентные документы 1-3).

[0009] В этих технологиях N-полюс и S-полюс стержневых магнитов располагаются так, что одинаковые магнитные полюса размещены на противоположной поверхности в диаметральном направлении и выстраиваются параллельно продольному направлению магнитов. Альтернативно, одинаковые полюса располагаются по спирали на противоположной поверхности в диаметральном направлении и смещаются вдоль продольного направления. Кроме того, вокруг этих стержневых магнитов, которые являются подвижными или вращаемыми, располагается неподвижный стержневой магнит с тем, чтобы сформировать замкнутый контур области эрозии внутри мишени. При этом неподвижном стержневом магните N-полюс и S-полюс имеются в каждом наборе с одинаковыми магнитными полюсами на поверхности, обращенной в их диаметральном направлении параллельно их продольному направлению.

[0010] Источники информации:

патентный документ 1: публикация японской нерассмотренной заявки на патент № 5-148642;

патентный документ 2: публикация японской нерассмотренной заявки на патент № 2000-309867;

патентный документ 3: японский патент № 3566327.

РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Проблемы, решаемые изобретением

[0011] Однако следует отметить, что в случае вышеупомянутых существующих технологий, для того чтобы увеличить скорость формирования пленки на обрабатываемой подложке, должна быть увеличена мгновенная плотность эрозии. Таким образом, чтобы установить область эрозии, по возможности большую в процентном выражении относительно всей области мишени, напряженность поля стержневых магнитов должна быть увеличена, и стержневые магниты должны быть еще более уменьшены в размере и должны быть замкнуты друг на друга. Вместе с тем использование такой конструкции привело к проблеме, когда магниты или неподвижные стержни деформируются из-за отталкивающей силы или притягивающей силы между магнитами, или же движение или вращение не могут быть легко реализованы против такой силы.

[0012] Кроме того, использование такой конструкции привело также к возникновению следующей проблемы. А именно, когда магниты, смежные с закрепленным на периферии стержневым магнитом, вращаются, фаза неизбежно оказывается такова, что магнитный полюс вращающихся магнитов идентичен магнитному полюсу закрепленного на периферии стержневого магнита, и замкнутая эрозия при этом не формируется.

[0013] Таким образом, настоящее изобретение было создано в связи с вышеупомянутыми существующими проблемами, и одна его задача заключается в том, чтобы предложить аппарат магнетронного распыления, который позволяет повысить скорость формирования пленки посредством увеличения мгновенной плотности эрозии на мишени.

[0014] Кроме того, другая задача настоящего изобретения заключается в том, чтобы предложить аппарат магнетронного распыления, который позволяет продлить срок службы мишени посредством перемещения области эрозии во времени для предотвращения частичной выработки мишени и реализовать однородную выработку.

Средства решения проблем

[0015] Для решения вышеупомянутой задачи в соответствии с настоящим изобретением предложен аппарат магнетронного распыления, который содержит: обрабатываемую подложку; мишень, находящуюся напротив подложки; и магнит, помещенный с противоположной стороны мишени относительно подложки, в котором плазма удерживается на поверхности мишени посредством создания магнитного поля магнитом на поверхности мишени; при этом магнит включает в себя группу вращающихся магнитов, в которой множество пластинчатых магнитов размещены вокруг колоннообразного вращающегося вала, и неподвижный внешний периферийный рамочный магнит, который расположен параллельно поверхности мишени вокруг группы вращающихся магнитов и который намагничен в направлении, перпендикулярном поверхности мишени; и при этом картина силовых линий магнитного поля на поверхности мишени перемещается со временем посредством вращения группы вращающихся магнитов вместе с упомянутым колоннообразным вращающимся валом.

[0016] В данном случае группа вращающихся магнитов может быть сконфигурирована посредством установки множества пластинчатых магнитов по внешней окружной периферии колоннообразного вращающегося вала так, что пластинчатые магниты, смежные друг с другом в осевом направлении колоннообразного вращающегося вала, имеют отличающиеся друг от друга магнитные полюса, а пластинчатые магниты, смежные друг с другом, имеют участки с отличающимися магнитными полюсами на внешней периферийной поверхности, перпендикулярной осевому направлению колоннообразного вращающегося вала. Неподвижный внешний периферийный рамочный магнит имеет либо N-полюс, либо S-полюс, обращенный в сторону мишени.

[0017] Группа вращающихся магнитов может иметь пластинчатые магниты, расположенные в спиральной форме вокруг колоннообразного вращающегося вала так, чтобы сформировать множество спиралей, и эти спирали, смежные друг с другом в осевом направлении колоннообразного вращающегося вала, образуют N-полюс и S-полюс, которые являются взаимно различающимися магнитными полюсами, на внешней стороне в диаметральном направлении колоннообразного вращающегося вала. Неподвижный внешний периферийный рамочный магнит имеет конфигурацию, окружающую группу вращающихся магнитов, если смотреть со стороны мишени, и имеет либо N-полюс, либо S-полюс, обращенный в сторону мишени.

[0018] Группа вращающихся магнитов может быть сконфигурирована посредством установки пластинчатых магнитов по внешней окружной периферии колоннообразного вращающегося вала в кольцевой форме с обеспечением множества колец в осевом направлении колоннообразного вращающегося вала и сконфигурирована так, что эти кольца, смежные друг с другом в осевом направлении колоннообразного вращающегося вала, имеют взаимно различающиеся магнитные полюса, и положение пластинчатых магнитов каждого кольца в осевом направлении колоннообразного вращающегося вала изменяется по мере того, как изменяется угол в диаметральном направлении колоннообразного вращающегося вала. Неподвижный внешний периферийный рамочный магнит имеет конфигурацию, окружающую группу вращающихся магнитов, если смотреть со стороны мишени, и имеет либо N-полюс, либо S-полюс, обращенный в сторону мишени.

[0019] Предпочтительно, по меньшей мере часть колоннообразного вращающегося вала выполнена из парамагнитного материала.

[0020] Смежно с неподвижным внешним периферийным рамочным магнитом на противоположной стороне неподвижного внешнего периферийного рамочного магнита относительно мишени может быть размещен неподвижный внешний периферийный элемент из парамагнитного материала.

[0021] Аппарат может содержать средство для ослабления магнитного потока, проходящего к внешней стороне мишени от неподвижного внешнего периферийного рамочного магнита, по сравнению с магнитным потоком, проходящим к внутренней стороне мишени от неподвижного внешнего периферийного рамочного магнита.

[0022] Предпочтительно, вышеупомянутое средство включает в себя элемент из парамагнитного материала, предусмотренный так, чтобы последовательно закрывать внешнюю поверхность неподвижного внешнего периферийного рамочного магнита, если смотреть со стороны мишени, и часть передней поверхности этой стороны мишени.

[0023] Это средство может быть сконфигурировано так, чтобы неподвижный внешний периферийный рамочный магнит имел поверхность, выступающую к внутренней стороне мишени.

[0024] Аппарат магнетронного распыления может дополнительно содержать экранирующий элемент, который удален от мишени так, чтобы закрыть краевой участок мишени, и который помещен с противоположной стороны группы спиральных пластинчатых магнитов и электрически заземлен. Экранирующий элемент имеет разрез, который вытянут в том же самом направлении, что и осевое направление колоннообразного вращающегося вала, и который обнажает мишень относительно обрабатываемой подложки. Ширина и длина разреза заданы так, чтобы была открыта область, не меньшая, чем 75% от максимального значения, если смотреть со стороны обрабатываемой подложки. Это максимальное значение определяется средним по времени распределением напряженности магнитного поля параллельной поверхности мишени компоненты магнитного поля, сформированного на поверхности мишени, когда группа пластинчатых магнитов вращается с постоянной частотой.

[0025] Аппарат магнетронного распыления может дополнительно содержать экранирующий элемент, который удален от мишени так, чтобы закрыть краевой участок мишени, и который помещен с противоположной стороны группы спиральных пластинчатых магнитов и электрически заземлен. Экранирующий элемент имеет разрез, который вытянут в том же самом направлении, что и осевое направление колоннообразного вращающегося вала, и который обнажает мишень относительно обрабатываемой подложки. Ширина и длина разреза заданы так, чтобы была экранирована область, не большая, чем 80% от максимальной толщины пленки. Эта максимальная толщина пленки представляет собой пленку, формируемую за единицу времени на обрабатываемой подложке в том случае, когда подложка является неподвижной, а группа пластинчатых магнитов вращается с постоянной частотой при незакрытом краевом участке мишени.

[0026] Неподвижный внешний периферийный элемент из парамагнитного материала имеет участок, который последовательно образует поверхность стенки и который закрывает колоннообразный вращающийся вал и группу пластинчатых магнитов, за исключением стороны мишени и расширенного участка, расширенного на смежный участок к колоннообразному вращающемуся валу так, чтобы примкнуть участок магнитного материала колоннообразного вращающегося вала через магнитную жидкость. Между группой вращающихся магнитов и неподвижным внешним периферийным рамочным магнитом формируется магнитопровод, магнитное сопротивление которого является низким.

[0027] Группа вращающихся магнитов образована множеством групп кольцевых пластинчатых магнитов, в которых множество пластинчатых магнитов прикреплены к колоннообразному вращающемуся валу в форме кольца. Группы кольцевых пластинчатых магнитов, которые являются смежными друг с другом в осевом направлении колоннообразного вращающегося вала, образованы такими группами кольцевых пластинчатых магнитов, которые обеспечивают взаимно различающиеся магнитные полюса из N-полюса и S-полюса на внешней стороне в диаметральном направлении колоннообразного вращающегося вала. Положения в осевом направлении каждой группы кольцевых пластинчатых магнитов последовательно изменяются с тем же самым смещением по мере того, как изменяются углы в диаметральном направлении колоннообразного вращающегося вала.

[0028] Группы кольцевых пластинчатых магнитов сформированы так, чтобы перемещаться в осевом направлении в положение смежных кольцевых пластинчатых магнитов, когда угол в диаметральном направлении колоннообразного вращающегося вала поворачивается на 180 градусов, и возвращаться к исходному положению в осевом направлении, когда угол в диаметральном направлении колоннообразного вращающегося вала поворачивается еще на 180 градусов. Неподвижный внешний периферийный рамочный магнит имеет конфигурацию, которая окружает группу вращающихся магнитов, если смотреть со стороны мишени, и которая имеет магнитный полюс из N-полюса или S-полюса со стороны мишени.

[0029] Предпочтительно, по меньшей мере часть колоннообразного вращающегося вала выполнена из парамагнитного материала.

[0030] Предпочтительно, смежно с неподвижным внешним периферийным рамочным магнитом на противоположной стороне неподвижного внешнего периферийного рамочного магнита относительно мишени расположен неподвижный внешний периферийный элемент из парамагнитного материала.

[0031] Неподвижный внешний периферийный элемент парамагнитного материала имеет участок, который последовательно образует поверхность стенки и который имеет конфигурацию, закрывающую колоннообразный вращающийся вал и группы вращающихся пластинчатых магнитов, за исключением стороны мишени. Неподвижный внешний периферийный элемент из парамагнитного материала дополнительно простирается на участок, смежный с колоннообразным вращающимся валом, для примыкания к участку магнитного материала колоннообразного вращающегося вала через магнитную жидкость и для формирования магнитопровода, который имеет низкое магнитное сопротивление, между группой вращающихся магнитов и неподвижным внешним периферийным рамочным магнитом.

[0032] Группы кольцевых пластинчатых магнитов могут быть сформированы так, чтобы перемещаться в осевом направлении в положение смежных кольцевых пластинчатых магнитов, когда угол в диаметральном направлении колоннообразного вращающегося вала поворачивается на 180 градусов, и возвращаться к исходному положению в осевом направлении, когда угол в диаметральном направлении колоннообразного вращающегося вала поворачивается еще на 180 градусов. Неподвижный внешний периферийный рамочный магнит имеет первый пластинчатый магнит, который помещен вблизи одной стороны группы вращающихся магнитов, если смотреть со стороны мишени, и который обеспечивает магнитный полюс из либо N-полюса, либо S-полюса со стороны поверхности мишени, и пластинчатый магнит, который имеет конфигурацию, окружающую группу кольцевых вращающихся магнитов и первый пластинчатый магнит, если смотреть со стороны мишени, и который имеет магнитный полюс, противоположный первому пластинчатому магниту на этой стороне мишени.

[0033] Группа кольцевых пластинчатых магнитов может быть сформирована так, чтобы перемещаться в осевом направлении в положение смежного кольцевого пластинчатого магнита, когда угол в диаметральном направлении колоннообразного вращающегося вала поворачивается на 180 градусов, и возвращаться к исходному положению в осевом направлении, когда угол в диаметральном направлении колоннообразного вращающегося вала поворачивается еще на 180 градусов. Неподвижный внешний периферийный рамочный магнит имеет конфигурацию, окружающую группу вращающихся магнитов, если смотреть со стороны мишени, и формирующую магнитный полюс из N-полюса или S-полюса со стороны мишени.

[0034] Желательно, чтобы по меньшей мере часть колоннообразного вращающегося вала была выполнена из парамагнитного материала.

[0035] Смежно с неподвижным внешним периферийным рамочным магнитом на противоположной стороне неподвижного внешнего периферийного рамочного магнита относительно мишени размещен неподвижный внешний периферийный элемент из парамагнитного материала.

[0036] Неподвижный внешний периферийный элемент из парамагнитного материала может иметь участок, последовательно образующий поверхность стенки, и конфигурацию, закрывающую колоннообразный вращающийся вал и группу вращающихся пластинчатых магнитов, за исключением стороны мишени, и дополнительно простирается на участок, смежный с колоннообразным вращающимся валом, для примыкания к участку магнитного материала колоннообразного вращающегося вала через магнитную жидкость и для формирования магнитопровода, который имеет низкое магнитное сопротивление, между группой вращающихся магнитов и неподвижным внешним периферийным рамочным магнитом.

[0037] Колоннообразный вращающийся вал, группа вращающихся магнитов, присоединенная к колоннообразному вращающемуся валу, и неподвижный внешний периферийный рамочный магнит являются подвижными в направлении, перпендикулярном поверхности мишени.

[0038] Группа вращающихся магнитов и неподвижный внешний периферийный рамочный магнит могут быть расположены в пределах пространства, окруженного поверхностью стенки, последовательно установленной от элемента мишени, опорной пластины, к которой этот элемент мишени присоединен, и вокруг опорной пластины, и это пространство может быть уменьшено в давлении.

[0039] Аппарат магнетронного распыления может дополнительно содержать средство для относительного перемещения обрабатываемой подложки в направлении, пересекающем осевое направление колоннообразного вращающегося вала.

[0040] Установка (система) может содержать множество указанных выше аппаратов магнетронного распыления параллельно с осевым направлением колоннообразного вращающегося вала и средство для относительного перемещения обрабатываемой подложки в направлении, пересекающем осевое направление колоннообразного вращающегося вала.

[0041] В соответствии с настоящим изобретением предложен способ распыления для формирования материала мишени с осаждением пленки из этого материала на обрабатываемой подложке при вращении колоннообразного вращающегося вала посредством использования указанного выше аппарата магнетронного распыления.

[0042] В соответствии с настоящим изобретением также предложен способ изготовления электронного устройства, включающий в себя процесс использования указанного выше способа распыления для формирования пленки на обрабатываемой подложке посредством распыления.

Преимущества изобретения

[0043] В соответствии с настоящим изобретением может быть повышена скорость формирования пленки и может быть продлен срок службы мишени посредством предотвращения частичной выработки (частичного износа) мишени и достижения однородной выработки.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

[0044] Фиг.1 - вид в сечении аппарата магнетронного распыления в соответствии с настоящим изобретением.

Фиг.2 - общий вид в перспективе и вид по стрелке со стороны мишени колоннообразного вращающегося вала, множественных групп магнитов, рамочного магнита и элемента из парамагнитного материала.

Фиг.3 - схема, показывающая области эрозии.

Фиг.4 - схема, показывающая формирующий пленку аппарат возвратно-поступательного типа в соответствии с восьмым вариантом реализации настоящего изобретения.

Фиг.5 - график, показывающий зависимость относительной магнитной проницаемости материала колоннообразного вращающегося вала от горизонтальной компоненты напряженности магнитного поля.

Фиг.6 - диаграмма, показывающая нормированную горизонтальную компоненту напряженности магнитного поля в случаях (1) без формирования магнитопровода, (2) установки элемента из парамагнитного материала под неподвижным внешним периферийным рамочным магнитом (относительная магнитная проницаемость 100), и (3) формирования магнитопровода между парамагнитным материалом и колоннообразным вращающимся валом под неподвижным внешним периферийным рамочным магнитом.

Фиг.7 - схема, показывающая картину эрозии в случае, когда из вращающихся пластинчатых магнитов только магнит, магнитный полюс которого с внешней стороны в диаметральном направлении колоннообразного вращающегося вала представляет собой S-полюс, т.е. соответствует магнитному полюсу со стороны мишени неподвижного внешнего периферийного рамочного магнита, уменьшен в длину в осевом направлении.

Фиг.8 - схема, показывающая компоновку магнитов в соответствии с третьим вариантом реализации настоящего изобретения.

Фиг.9 - схема, показывающая компоновку магнитов в соответствии с четвертым вариантом реализации настоящего изобретения.

Фиг.10 - схема, показывающая существующий аппарат магнетронного распыления.

Фиг.11 - вид в сечении аппарата в соответствии с пятым вариантом реализации настоящего изобретения.

Фиг.12 - график, показывающий зависимость горизонтальной компоненты напряженности магнитного поля от интервала между магнитами.

Фиг.13 - график, показывающий зависимость горизонтальной компоненты напряженности магнитного поля от ширины неподвижного внешнего периферийного магнита.

Фиг.14 - график, показывающий зависимость горизонтальной компоненты напряженности магнитного поля от расстояния в вертикальном направлении от передней стороны мишени неподвижного внешнего периферийного магнита.

Фиг.15 - схема, показывающая расположение магнитов в соответствии с шестым вариантом реализации настоящего изобретения.

Фиг.16 - схема групп спиральных пластинчатых магнитов и неподвижного внешнего периферийного рамочного магнита.

Фиг.17 - схема, имитирующая фотографию плазмы на поверхности мишени.

Фиг.18 - схема, имитирующая фотографию состояния выработки мишени после продолжительного электрического разряда.

Фиг.19 - схема, показывающая расположение магнитов в соответствии с седьмым вариантом реализации настоящего изобретения.

Фиг.20 - график, показывающий распределения скорости формирования пленки в направлении, перпендикулярном оси колоннообразного вращающегося вала, в случае установки кремниевой подложки в положение, удаленное на 30 мм от передней поверхности мишени.

Фиг.21 - контурная карта распределения горизонтальной компоненты напряженности магнитного поля на поверхности мишени.

Фиг.22 - график, показывающий зависимость выхода МОП-конденсатора с антенной от отношения площади антенны.

Фиг.23 - диаграмма, показывающая выход МОП-конденсатора с антенной.

Фиг.24 - график, показывающий зависимость от давления электронной температуры, электронной плотности и плазменного потенциала плазмы, измеряемой зондом Лэнгмюра.

Фиг.25 - схема, показывающая компоновку магнитов в соответствии с девятым вариантом реализации настоящего изобретения.

Фиг.26 - схема, показывающая расположение магнитов в соответствии с другим девятым вариантом реализации настоящего изобретения.

Цифровые обозначения

[0045] 1 - мишень

2 - колоннообразный вращающийся вал

3 - группа спиральных пластинчатых магнитов

4 - неподвижный внешний периферийный рамочный магнит

5 - внешний периферийный элемент из парамагнитного материала

6 - опорная пластина

7 - корпус

8 - проход

9 - элемент из изоляционного материала

10 - обрабатываемая подложка

11 - внутреннее пространство камеры обработки

12 - фидерный(ая) провод или линия

13 - кожух

14 - внешняя стенка

15 - элемент из парамагнитного материала

16 - заземленная пластина

ЛУЧШИЕ ВАРИАНТЫ РЕАЛИЗАЦИИ ИЗОБРЕТЕНИЯ

[0046] Ниже со ссылкой на чертежи будут описаны варианты реализации настоящего изобретения.

Первый вариант реализации

[0047] Ниже со ссылкой на чертежи будет подробно описан первый вариант реализации настоящего изобретения.

[0048] На Фиг.1 показан вид в сечении для описания конфигурации первого варианта реализации аппарата распыления с вращающимся магнитом в соответствии с настоящим изобретением.

[0049] На Фиг.1 ссылочной позицией 1 обозначена мишень; 2 - колоннообразный вращающийся вал; 3 - множественные группы спиральных пластинчатых магнитов, расположенные спирально на поверхности вращающегося вала 2; 4 - неподвижный периферийный рамочный магнит, расположенный вокруг внешней окружной периферии; 5 - внешний периферийный элемент из парамагнитного материала, который расположен на неподвижном внешнем периферийном рамочном магните 4 на противоположной стороне относительно мишени; 6 - опорная пластина, прикрепленная к мишени 1; 15 - элемент из парамагнитного материала, который закрывает колоннообразный вращающийся вал и группы 3 спиральных пластинчатых магнитов на противоположной стороне мишени; 8 - проход, позволяющий проходить по нему охладителю; 9 - элемент из изоляционного материала; 10 - обрабатываемая подложка; 11 - внутреннее пространство камеры обработки; 12 - фидерная линия; 13 - кожух, электрически соединенный с камерой обработки; 14 - внешняя стенка, ограничивающая камеру обработки; 16 - заземленная пластина, соединенная с внешней стенкой 14; и 17 - элемент из изоляционного материала, обладающий свойством хорошей стойкости по отношению к плазме.

[0050] Фидерная линия или провод 12 электрически связаны с источником 18 питания постоянного тока, источником 19 ВЧ-мощности и согласующим блоком 20. От источника 18 питания постоянного тока и источника 19 ВЧ-мощности энергия возбуждения плазмы подается на опорную пластину 6 и мишень 1 через согласующий блок 20, далее через фидерный провод 12 и корпус, и по поверхности мишени возбуждается плазма. Плазма может быть возбуждена при питании только постоянным током или только ВЧ-мощностью, но желательно применение и того, и другого ввиду управляемости качеством пленки и управляемости скоростью формирования пленки. Кроме того, частота ВЧ-мощности обычно выбирается в частотном диапазоне между несколькими сотнями кГц и несколькими сотнями МГц, но желательна высокая частота ввиду высокой плотности и низкой электронной температуры плазмы. В случае настоящего варианта реализации частота ВЧ-мощности задана на уровне 100 МГц. Заземленная пластина 16 служит пластиной заземления для ВЧ-мощности. При использовании этой заземленной пластины плазма может быть эффективно возбуждена даже в том случае, когда обрабатываемая подложка помещена в электрически высокоимпедансное состояние. Элемент 15 из парамагнитного материала дает эффект магнитного экранирования магнитного поля, создаваемого каждым магнитом, и эффект снижения флуктуаций магнитного поля из-за возмущения вблизи мишени.

[0051] Для более подробного описания магнитной части упомянутые колоннообразный вращающийся вал 2, множественные группы 3 пластинчатых магнитов, рамочный магнит 4 и элемент 5 из парамагнитного материала показаны на Фиг.2 на общем виде в перспективе и на виде в плане, видимом со стороны мишени 1 и со стороны опорной пластины 6.

[0052] Что касается материала колоннообразного вращающегося вала 2, то может быть использована обычная нержавеющая сталь или ей подобная, но предпочтительно часть вала или весь он целиком выполняется из парамагнитного материала, магнитное сопротивление которого является низким, например из сплава Ni-Fe с высокой магнитной проницаемостью или ему подобного. В случае настоящего варианта реализации колоннообразный вращающийся вал 2 выполняется из сплава Ni-Fe с высокой магнитной проницаемостью. Колоннообразный вращающийся вал 2 может приводиться во вращение посредством редуктора или электродвигателя (не показан).

[0053] Показанный колоннообразный вращающийся вал 2 имеет в своем сечении правильный восьмиугольник, и в случае настоящего варианта реализации длина одной стороны правильного восьмиугольника составляет 30 мм. К каждой поверхности колоннообразного вращающегося вала 2 присоединено большое количество пластинчатых магнитов 3 ромбической формы. Таким образом, показанный колоннообразный вращающийся вал 2 имеет конфигурацию прикрепленного к его внешней окружной периферии магнита и легко допускает увеличение толщины. Эта конструкция хорошо противостоит изгибу под действием магнитной силы, приложенной к магнитам. Для создания сильного магнитного поля стабильным образом пластинчатые магниты 3 предпочтительно выполняются в виде магнита с высокой остаточной плотностью магнитного потока, высокой коэрцитивной силой и высоким энергетическим произведением, например спеченных магнитов Sm-Co с остаточной плотностью магнитного потока приблизительно 1,1 Tл, а также спеченных магнитов Nd-Fe-B с остаточной плотностью магнитного потока приблизительно 1,3 Tл и т.п. В настоящем варианте реализации использованы спеченные магниты Nd-Fe-B. Пластинчатые магниты 3 намагничены в вертикальном направлении передних поверхностей их пластин, формируют множественные спирали посредством закрепления вокруг колоннообразного вращающегося вала 2 спиральным образом, и эти спирали, смежные друг с другом в осевом направлении колоннообразного вращающегося вала, формируют взаимно различающиеся магнитные полюса, то есть N-полюс и S-полюс, направленные к внешней стороне в диаметральном направлении колоннообразного вращающегося вала.

[0054] Неподвижный внешний периферийный рамочный магнит 4 имеет конструкцию, окружающую вышеупомянутую группу вращающихся магнитов, если смотреть со стороны мишени 2, и намагничен так, чтобы сторона мишени 2 рамочного магнита 4 имела S-полюс. В настоящем варианте реализации его ширина задана равной 12 мм, а его толщина задана равной 10 мм. Для неподвижного внешнего периферийного рамочного магнита 4 используется спеченный магнит Nd-Fe-B по той же самой причине, что и для пластинчатых магнитов 3.

[0055] Ниже со ссылкой на Фиг.3 будет дано подробное описание формирования эрозии в соответствии с настоящим вариантом реализации.

[0056] Как указано выше, в случае, когда большое число пластинчатых магнитов 3 располагается спирально на колоннообразном вращающемся валу 2, если рассматривать пластинчатые магниты 3 со стороны мишени, компоновка выполняется так, чтобы S-полюса пластинчатых магнитов 3 приблизительно окружали периферию N-полюсов пластинчатых магнитов 3. На Фиг.3(a) показан общий вид компоновки. При такой компоновке магнитные силовые линии, исходящие от N-полюса пластинчатых магнитов 3, заканчиваются на S-полюсе их периферии. В результате большое число замкнутых областей 301 эрозии формируются на передней поверхности мишени, несколько отдаленной от поверхности пластинчатых магнитов. Кроме того, вращение колоннообразного вращающегося вала 2 вызывает, вместе со своим вращением, движение большого числа областей 301 эрозии. На Фиг.3(b) области 301 эрозии движутся в направлении, обозначенном стрелкой. Следует отметить, что краевыми участками группы 3 вращающихся магнитов области 301 эрозии создаются последовательно от одного из этих краевых участков и исчезают последовательно на другом краевом участке.

[0057] На Фиг.3(b) показаны области 301 эрозии поверхности мишени, отстоящей на 21 мм от поверхности неподвижного внешнего периферийного рамочного магнита 4 в соответствии с фактической конфигурацией настоящего варианта реализации. Можно отметить, что формируется большое число областей 301 эрозии. В то же самое время было обнаружено, что горизонтальное магнитное поле области 301 эрозии, т.е. напряженность магнитного поля параллельно передней поверхности мишени, также составляет 310 Гс, и, соответственно, достигнута напряженность, достаточная для удержания плазмы.

[0058] Ниже со ссылкой на Фиг.12 и Фиг.13 будет дано описание распределения горизонтальной компоненты напряженности магнитного поля областей 301 эрозии. На Фиг.12 показана горизонтальная компонента напряженности магнитного поля областей 301 эрозии на поверхности мишени при фиксированной длине в осевом направлении колоннообразного вращающегося вала 2 магнитов групп 3 пластинчатых магнитов и при изменяемом интервале между смежными спиралями (интервал между магнитами). Показано направление вращающегося вала и направление вращения, перпендикулярное направлению вращающегося вала. Если обратить внимание на направление вращающегося вала, то максимальная напряженность составляет приблизительно 310 Гс при интервале между магнитами приблизительно 20 мм. Было обнаружено, что когда интервал между магнитами мал, магнитные силовые линии, создаваемые между магнитами, не просачиваются, и в результате большая напряженность магнитного поля не достигается. И напротив, когда интервал между магнитами слишком велик, магнитные силовые линии пространственно рассеяны, и оптимальная величина достигается при некотором значении.

[0059] Из Фиг.13 было установлено, что только горизонтальная компонента напряженности магнитного поля в направлении вращения может быть отрегулирована почти без влияния на горизонтальную компоненту напряженности магнитного поля в направлении вращающегося вала посредством изменения ширины неподвижного внешнего периферийного рамочного магнита 4. Таким образом, нами было установлено, что однородное горизонтальное магнитное поле может быть получено в любом местоположении областей 301 эрозии посредством регулировки размера и/или интервала групп 3 пластинчатых магнитов и неподвижного внешнего периферийного рамочного магнита 4.

[0060] Далее, на Фиг.14 показано соотношение между вертикальным расстоянием до поверхности мишени от передней по