Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий

Способ сравнительной оценки надежности полупроводниковых изделий

Реферат

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых изделий ПЛИ (диодов, транзисторов и интегральных схем), и может быть использовано для сравнительной оценки надежности партий ПЛИ как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях - изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Известен способ сравнительной оценки надежности партий транзисторов [1], в соответствии с которым проводят выборочные испытания партий транзисторов воздействием электростатических разрядов. На каждый транзистор выборки подают электростатические разряды потенциалом вдвое большим, чем допустимый по техническим условиям, каждый раз повышая его на 20-30 В до появления параметрического или катастрофического отказа.

Недостаток данного способа - испытание является разрушающим. Представленное изобретение направлено на устранение этого недостатка и повышение функциональных возможностей способа.

Достоинством предложенного способа является то, что сравнительная оценка партий ПЛИ основывается на измерении среднего значения квадрата напряжения низкочастотного шумов U ¯ ш   2 до и после воздействия электростатическим разрядом ЭСР. Значение U ¯ ш   2 измеряется на частотах 160 Гц и 1000 Гц. Напряжение ЭСР равно допустимому значению по техническим условиям (подается на половину выборки), а половина допустимого значения на другую половину выборки.

Способ осуществляется следующим образом: от каждой партии одного типа (количество партий неограниченно) методом случайной выборки отбирают одинаковое количество изделий не менее 20 штук. У каждого из отобранных изделий проверяют значение U ¯ ш   2 на частотах 160 Гц и 1000 Гц. Затем на половину отобранных изделий воздействуют ЭСР величиной, равной половине допустимой по техническим условиям, а на вторую половину - ЭСР величиной, равной допустимому значению. После воздействия ЭСР вновь проверяют значение U ¯ ш   2 на частотах 160 и 1000 Гц. Для каждого изделия определяется параметр-показатель формы спектра γ до воздействия ЭСР и после по следующей формуле [2]:

γ = L g ( U ¯ 2 ш 160 U ¯ 2 ш 1000 ) L g ( 1000 160 ) ,

где U ¯ ш   160 2 и U ¯ ш   1000 2 - значения низкочастотного шума на частотах 160 и 1000 Гц соответственно. Из техники известно [2], чем меньше значение показателя γ, тем выше надежность изделий.

Способ был опробован на выборках по 20 шт. из двух партий ИС типа КТ209 (кремниевые маломощные, n-p-n-типа). После измерения U ¯ ш   2 на частотах 160 Гц и 1 кГц подавалось по пять импульсов ЭСР на выводы: коллектор «+», эмиттер «-», по модели «тела человека» [3]. Типовые значения и изменение значения квадрата напряжения шума U ¯ ш   2 до и после воздействия ЭСР представлено в таблице 1. Расчет значения коэффициента γ представлены в таблице 2.

Если по таблице 1 нельзя сказать о тенденциях по надежности партий, то по таблице 2 четко определяется, что партия 2 является более надежной.

Источники информации

1. Горлов М.И., Ануфриев Л.И., Достанко А.И., Смирнов Д.Ю. Диагностика твердотельных полупроводниковых структур по параметрам низкочастотного шума. - Минск, Интегралполиграф, 2006. 112 с.

2. Патент РФ N2226698, G01R 31/26, опуб. 10.04.2004, бюл. №10.

3. Горлов М.И., Емельянов А.В., Плебанович В.И. Электрические заряды в электронике. - Мн.: Бел.наука, 2006. - 295 с.

Таблица 1
Изменение значения квадрата напряжения шума U ¯ м   2 до и после воздействия ЭСР
Номер партии	Значение U ¯ м   2 , мВ2, на частоте	Значение ЭСР, В
160 Гц	1000 Гц
до воздействия ЭСР	после воздействия ЭСР	до воздействия ЭСР	после воздействия ЭСР
1	85	87	49	53	500
97	98	55	57	1000
2	93	93	68	72	500
104	106	69	72	1000

Таблица 2
Расчет значения коэффициента γ
Номер партии	Значение γ	Значение ЭСР, В
до воздействия ЭСР	после воздействия ЭСР
1	0,3	0,27	500
0,31	0,3	1000
2	0,17	0,14	500
0,23	0,21	1000

Способ сравнительной оценки надежности партий полупроводниковыхизделий, в соответствии с которым на произвольных одинаковых выборках из партий проводят измерения значений квадрата напряжения шумов U ¯ ш 2 до и после воздействия электростатическим разрядом, отличающийся тем, что отбирают выборки не менее 20 изделий от партии, измерение U ¯ ш 2 проводят на частотах 160 и 1000 Гц до и после воздействия электростатическим разрядом напряжением, равным половине допустимого по техническим условиям на половине выборки, а на второй половине электростатическим разрядом, равным допустимому значению, при этом для каждого изделия вычисляется значение коэффициента γ до воздействия и после воздействия электростатическим разрядом по следующей формуле γ = L g ( U ¯ 2 ш     160 U ¯ 2 ш     1000 ) L g ( 1000 160 ) , где U ¯ ш   160 2 и U ¯ ш   1000 2 - значение низкочастотного шума на частотах 160 и 1000 Гц соответственно, и проводят сравнение партий полупроводниковых изделий по значениям коэффициента γ.