Способ отбраковки потенциально ненадежных транзисторов

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности транзисторов, и может быть использовано для разделения транзисторов по надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Сущность: проводят измерения коэффициента усиления транзисторов в схеме с общим эмиттером при нормальной и повышенной температурах. Для каждого транзистора вычисляют значение абсолютной разности Δ=h21Э100°С-h21Э20°C и значения относительного изменения коэффициента усиления K=h21Э100°C/h21Э100°C, где h21Э100°С, h21Э20°C - значения коэффициента усиления при повышенной и нормальной температуре соответственно. Отбраковывают транзисторы, если они удовлетворяют двум критериям одновременно: Δ≥Δсредн; K≥Kсредн, где Δсредн и Kсредн - среднее значение абсолютных разностей и относительного изменения в выборке для данного типа транзисторов. Технический результат: упрощение и повышение функциональных возможностей. 1 табл.

Реферат

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения надежности транзисторов и может быть использовано для разделения транзисторов по надежности в процессе производства, а также на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Известен способ [1] разделения полупроводниковых изделий, включающий измерение интенсивности шума до и после внешнего воздействия, и последующий отбор потенциально ненадежных изделий проводят по оценке коэффициентов увеличения интенсивности шумов каждого изделия после не менее 10 термоциклов в диапазоне допустимых крайних температур по сравнению с первоначальными значениями.

Недостатком способа является дополнительные измерения интенсивности шумов на специальном оборудовании.

Наиболее близким способом является способ [2] измерения критического напряжения питания (КНП) интегральных схем при нормальной и повышенной температуре кристалла, допустимой по техническим условиям, а отбор интегральных схем проводят по относительной величине изменения КНП, рассчитываемой по формуле:

К = Е к р . н о р м Е к р . п о в − 1

где Екр.норм, Екр.пов - значения критического напряжения питания при нормальной и повышенной температуре соответственно.

Недостатком способа является дополнительные измерения критического напряжения питания.

Предлагаемое изобретение направлено на устранение этого недостатка и повышение функциональных возможностей способа.

Предлагаемый способ отбраковки потенциально ненадежных транзисторов основывается на измерении коэффициента усиления транзистора в схеме с общим эмиттером при нормальной и повышенной (предельно допустимой) температурах. Определяют абсолютную разность значений коэффициента усиления при повышенной и нормальной температурах и относительное изменение коэффициента усиления от температуры. Отбраковывают транзисторы, если они удовлетворяют двум критериям:

Δ = h 21 Э 100 ° С − h 21 Э 20 ° С ≥ Δ с р е д н

К = h 21 Э 100 ° С h 21 Э 20 ° С ≥ К с р е д н

где h21Э100°C, h21Э20°C - значения коэффициента усиления при повышенной и нормальной температуре соответственно; Δсредн - среднее значение абсолютных разностей в выборке для данного типа транзисторов; Kсредн - среднее значение коэффициента усиления в выборке для данного типа транзисторов.

Способ был опробован на 11 транзисторах типа КТ 646 (кремневые транзисторы n-p-n-типа, средней мощности). В качестве информативного параметра выбран коэффициент усиления транзистора в схеме с общим эмиттером. Значения h21Э при нормальной температуре (20°C) и повышенной (100°C), абсолютные и относительные изменения коэффициента усиления для каждого транзистора и средние значения абсолютного и относительного изменения указаны в таблице.

Таблица
№ транзистора h21Э при Δ = h 21 Э 100 ° С − h 21 Э 20 ° С К = h 21 Э 100 ° С h 21 Э 20 ° С
20°C 100°C
1 76 150 74 1,97
2 100 187 87 1,87
3 134 289 155 2,16
4 156 251 95 1,61
5 104 177 73 1,7
6 192 318 126 1,66
7 147 240 93 1,63
8 134 267 133 1,99
9 123 204 81 1,66
10 118 187 69 1,58
11 130 265 135 2,04
Δсредн=102 Kсредн=1,89

По первому критерию потенциально ненадежными транзисторами будут транзисторы №3, 6, 8, 11; по второму критерию - №1, 3, 8, 11. Таким образом, транзисторы №3, 8, 11 будут потенциально ненадежными, так как удовлетворяют обоим критериям.

Источники информации

1. Патент РФ №2289144, G01R 31/26, 2006.

2. Патент РФ №2365930, G01R 31/26, 2009.

Способ отбраковки потенциально ненадежных транзисторов, в соответствии с которым проводят измерение коэффициента усиления транзисторов в схеме с общим эмиттером при нормальной и повышенной температурах, отличающийся тем, что для каждого транзистора сначала вычисляют значения абсолютной разности коэффициента усиления при повышенной и нормальной температурах по формуле Δ=h21Э100°C - h21Э20°C, и значения относительного изменения коэффициента усиления от температуры по формуле K=h21Э100°C:h21Э20°C, где h21Э100°С, h21Э20°С - значения коэффициента усиления при повышенной и нормальной температурах, и отбраковывают транзисторы, если они удовлетворяют одновременно двум критериям: Δ≥Δсредн, K≥Kсредн, где Δсредн - среднее значение абсолютных разностей и Kсредн - среднее значение относительного изменения в выборке для данного типа транзисторов.