Источник плазмы для микроэлектроники

Источник плазмы для микроэлектроники

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

)1 1)5П751

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сок)з Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 10.12.73 (21) 1975242 25 с присоединением заявки М (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.10.82. Бюллетень «¹ 40 (45) Дата опубликования описания 30.10.82 (-)) Ч 1.. з

Н 05Н 7/00

Н 05Н 7/12

Н 01J 3/04

Государственный комитет (53) УДК 621.384.6 (088.8) ло делам изобретений н открытий (72) Авторы изобрстения

Г. А. Ковальский, М. М. Березкина и М. С. Кауфман (71) Заявитель Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (54) ИСТОЧНИК ПЛАЗМЫ ДЛЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

Изобретение относится к технической физике и предназначено для получения плазменных пучков, используемых при воздействии на поверхность материала в технологических процессах микроэлектроник!1.

Известен источник плазмы для микроэлектроники, содержащий газоразрядную камеру с термокатодом, помещенную в аксиальное магнитное поле.

Это затрудняет их использование вместе с установками вакуумного напыления.

Целью изобретения является достижение высокой газовой экономичности, коллимирования газового разряда у выходного отверстия и направленной транспортировки плазмы с помощью магнитного поля к»осту ее использования.

Это достигается тем, что магнитная с!1стема выполнена в гиде аксиально намагниченного кольцевого llo(Tok) IIII()l o мал)ита, а газоразрядный проме)куток расположен за пределами внутренней полости мапшта вдоль его ос:. на участке, где магнитное поле противоположно по направлению магнитному полю в центре постоянного магнита, причем эмиттерная часть термокатода помещена на участке перехода аксиального магнитного поля через нулевое значение.

На чертеже изображен источник плазмы для микроэлектроники.

Он содержит плазмотрон с вольфрамовым термокатодом 1 в виде бпфилярной спирали, вблизи которого помещен цилиндр

2, ограничивающий область разряда. Анод5 корпус 3 имеет форму цилиндра, в которьш впаяна трубка 4 для подачи аргона, Корпус через керамическию втулку 5 спаян с тугоплавкой диафрагмой 6 с отверстием для выхода потока плазмы. Поверх трубок

)o 7 охлаждения размещены кольца аксиально намагниченного постоянного мапшта 8.

Керамическая шайба 9 с термокатодом 1 и цилиндром 2 сделана съемной. При подаче аргона через трубку 4 и включении напря)л жения на элект!)Оды Вн ) Tpll камеры зажигается газовый разряд, коллимированный полем рассеяния магнита 10.

Плазменный поток вытекает 1)з источника !! Т))аl!споpTIIph еT(. 11 к Il()д, !Ожке llо !1 ав

llðaâëåIIèI0 силовых лllllllé магIIIITi)го вол)1 рассеяния.

Компактность плазмотрона и отсутствие соленоидов дает свободу ориентации исто-;ника относительно вакуумной камеры, Оп мокнет быть помещен внутри высоковакуумных прогреваемых установок.

Формула изобретения

Источник плазмы:j, Iÿ микроэлектр(вник)1, содержakkillII газоразрядную камеру с T(. ))511751

Текред В. Рыбакова

Редактор М. Ленина

1(орректор Е. Хмелева

Заказ 1673/2 Изд. № 242 Тираж 856 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

l 13035, Москва, К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 мокатодом, помещенную в аксиальное магнитное поле, отличающийся тем, что, с целью достижения высокой газовой экономичности, коллимирования газового разряда у выходного отверстия и направленной транспортировки плазмы с помощью магнитного поля к месту ее использования, магнитная система выполнена в виде аксиально намагниченного кольцевого постоянного магнита, а газоразрядный промежуток расположен за пределами внутренней полости магнита вдоль его оси на участке, где магнитное поле противоположно по направлению магнитному полю в центре постоянного магнита, причем эмпттерная часть термокатода помещена на участке перехода аксиального магнитного поля через нулевое значение.