Способ эпитаксиального наращивания монокристаллических слоев на неорентирующей подложке

Способ эпитаксиального наращивания монокристаллических слоев на неорентирующей подложке

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О п И ИЕ

К ЗОЬРЕТЕЙ ИЯ

Сокол Советских

Соцйалисти 2еснитт

PB@ jj y gjj jj r j (61) ДОНОлнительнОе к авт. сВил-sv (5т) М. Кл (22) Заявдено64.11.74 (Я) 2О72312/25

HpkrgOr.r rjkrH HHr2rj Вактаак;И фа (23) Г)риоаитет

Н О1 I 21nO

Гавудврвтвваньй авнвтвт йавта Ивавстров СОИ ав дува вщвввтвврйт.ч вта ;ып-: 1 (432 . п гбЛНКОПВНО QQoo8„7ßðrcjjjjBTôjjb pro 2 1

j "к45),ОИТН Опх 6АИКОВИННЯ GHHCHHI я"-."-"- 7" (72) AHTGPbj

НВОбретения а к ха к- Ехптккпктр: а Ho ) o- IKGHo Hå к1а ОКОрн р

Л, Н, Бузыттии и Т,-A. Смородина

Ордона .Гр.-;ДОВОГО караСНПт О ОННМЕНИ ИНСТИтуТ.

Крик, -."ЕЛЛОГраОЖИ ИМ А, В. Шубнин ОВа, рпккннкк на на-каиаоаиатаиьаккй ннЬтнттт инкракриаа аа (7 т) Заивнтзлки

ИнобттЕТЕНИЕ OTHOCHTCrj K QrOrjjасти Я1ЕНтаи

РОНБКИ И МИКРОЕЛЕКТРОНИКИа

ЦЗВЕСТНа j CHGGGr-;jrj Атаитакттсиалт HGI-G HHp .»

ЩИВаНИЯ НоттиааООВФъоитттиов. 31кнатаЛЛОВ. Дттжии& х .»

-., TPHKOB Hd МоккОКРГСТалпнк1ЕСКИЕ ПОДЛОИКН J 1 (а

ЯЕДОСтаткОМ НСН» CTЛЫХ СПОСОбохт Якхнака ется спо2кность создания днзгектрнческой

ИЗОЛЯЦИИ КОМП ОБЕ НТОВ ттитЕГРтЯХЬНЫХ СхкЗМр которые создают в епнтаксиатпктых хоях, ктЗВЕСТЕН СПО Об еттитаХМЕ.;ДИОГО Нарй щивания моноквиствллических слоев "ja ттз» ориентирующей jjopjjoткке, при котором создают. условия для кристаллизации р&сплав-. леннОГО слОя материала от тодпОГО моно кристаллическог о зар одыша, HBjjocTaTKaMjj известного способа ыы1а;joTcH необходимость 2KBcTEoj о контроля BL нового поля и скорости крнсталлизацииэ а также использование прецизионного обор - М дования. Размеры и толщина наращиваемых слоев ограничены, слои неоднородны по толтпиНЕ ИХ НЕ ОбХ ОДИМО П ОДВЕрпатьх. ДОПт .Н Пха тельной механической и химпческой сбрабОТКЕа 25

2(елью изобретениЯ ивлиется получение

ОДНОРОДНЫХ HG ТатЛЩИБЕ МРНОКРИстаактЛИЧЕСа

Kjj2r СЛОЕВа

ЙОСтаВЛЕннаи Пх.ЛЬ ДОСТИГаЕТСЯ ПУТЕМ зпитаксиального наращивания не неорнен тируюлхий cjj QQ полученный оса юением EBR

МОНОКРИСткЧЛЛИЧЕСКУтО ПОДЛОИКУа HQ КОТОРОЙ

HpB/÷HHpjjTBHj=HG сформирован, рельефный микроузор, например, фотолитографией, ориеиTHpGBHHH É опреде2тенным образом, L%jpB меР вдоль напРавлениЯ с 1 10ф а

Согласно предложенному CHOCO монокристаллическ2 IG пчастипу KpBMHHQ ориентадпи 111 толшиной ЗОО мкм полиру» хот до 13. Класса чистОТЫ поверхностир зю тем химически снимают нарушенный слой и

ОинхСПЯЮТ ПЛаетИНУ В атМОСфЕРЕ КИСЛОРОДа при 98О С в течение ЗО мин Затем нано сят Ба слой окисла Фоторезпст и производйт экспонирование узора, ориентированного вдоль направлении (А 10 р ппллаассттиинныы,- Поо ле проявления и задубливания фотореэиста производят селективное травление кремния в ТРавптеле состава НГ:HNGв.сН СООН*

=3.;1G:1 на глубину 3 мкм, Эатевт проивтСоставитель В. Аникии

Редактор T. Орловская Техред А, Богдан

Корректор Й- Мель чэ о

Заказ 1740/1 64 Тираж 976 Подписное

ЦНИИПИ,Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/8

Филиал ППП "Патент ", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 водят вакуумное напыление слоя окиси алкьминия толщиной 1000А, Затем проводят эпитаксиальное наращивание KpBMHHQ вос становлением тетрахлорида кремнии в водороде - 5%, 5

Предложенный способ позволяет создавать системы ориентированных кристаллитов материала размером около 10 мкм на нерриентируюшей подложке.- Плотность дефектов упаковки составляет 10 -10 см, <о я, * плотность дислокаций менее 10 см . ПодФ -z вижность носителей пуи 300оК составляет: электронов 1400 см /сек, дырок ЗООсм/сек, $

Указанные слои на иеориеитируюших подложках обладают рядом достоинств в технолс )5 гии интегральных схем,. а именно:

1,, Повышается плотность размещения апементов.

2.- Применение s качестве подложки ма. териала с хорошей теплопроводностью позволяет улучшить теплоотвод и повысить надежность ИС„

3. Сочетание раздельного травлении с соответствующим размещением анементов узора позволяет увеличить число возможных схемных комбинаций и улучшить изоляцию элементов ИС.

Формула изобретения

Способ эпитаксиального наращивания монокристаллических слоев на неориентируюшей подложке, отличающийся тем, что, с целью получения однородных

ll0 TollillHH8 монокристаллических слоев эпитаксиальное нарицивание. производят на неориентирующйй слой, полученный осаждением на монокристаллическую подложку, на которой предварительно сформирован рель ефный микроузор, например фотолитографией, ориентированный определенным образом, например вдоль направления 4110), Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

L.,Ôèýèêâ тонких пленок. Т. 8, Под . ред,: Г,.,Хасса и Р,-,Тука,-;М., "Мир „1872.