Подложкодержатель для устройств ионнолучевого легирования

Подложкодержатель для устройств ионнолучевого легирования

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИС АНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советскнк

Соцналистнческнк

Республик

<ц710625

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 07,1077 (21) 2528771/23-2б (51)M. Кл.

В 01 J 17/34

Н 01 ь 21/265 с присоединением заявки М

Государственный комитет

СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 25,01.80, Бюллетень Но 3

/

Дата опубликования описания 2501.80 (53) УДК 621.315. . 592 (088.8) (72) Авторы иЗОбретЕния

В.В.Зотов, В.A.Òèòoâ и Л.К.Назарова (71) Заявитель (5 4) ПОДЛОЖКОДЕРЖАТЕЛЬ ДЛЯ УСТРОЙСТВ

NOIIHO — ЛУЧЕВОГО JLEI ИРОВАНИЯ

Настоящее изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в устройствах ионнолучевого легирования и напылительных установках.

Известен подложкодержатель, представляющий собой U-образный стержень или пакет таких стержней " пазами, в которые вставляют подложки (l).

Такой держатель можно использовать только для подложек определенного диаметра.

Известен также подложкодержатель, в котором для крепления подложек используют плоский держатель с пружиной, установленной по центру перпендикулярно его плоскости, и упругую Vобразную пластину, вставляемую в от— верстие держателя и подложки и соеди- 20 няющуюся с держателем через пружину °

Лапками, расположенными на концах

V-образной пластины, подложка плотно прижата к держателю (2) .

Недостатком такого держателя является необходимость создания отверстия в центральной части подложки,, что может приве.-.ти к возникновению дефектов структуры, а также усложняет технопоГКLF ский ItpoUpcc. 30

Наиболее близок по технической сущности и достигаемому результату к предложенному,подложкодержатель, выполненный в виде прямоугольной пластины, изготовленной иэ нержаве— ющей стали, с фиксаторами для крепления подложек, выполненными в виде выступов на расстоянии, равном диаметру подложки (3) .

Однако такой подложкодержатель можно использовать только для подложек одного диаметра, кроме того в процессе ионной имплантации при энергии пучка ионов 1 50 †; 200 кэв происходит распыление ионным пучком металла, иэ которого сделан подложкодержатель.

При легировании кремниевых пластин дозами более 1000 мм ° кул/сме количество вносимого на пластину распы- ляемого материала сравнимо с величиной дозы легирующего материала. 3агрязнения, вносимые в процессе ионной имплантации, могут значительно ухуд дить условия эпитаксиального роста и привести к увеличению токов утечки до 1 мкм, а дефектов упаков— ки — до 10 †: 104 сме, f0

На фиг.1 схематически показан подпожкодержатель, вид спереди; на фиг.2 вид сбоку; на фиг.3 изобра,ж.ен фиксатор.

Подложкодержатель представляет собой прямоугольную пластину 1 с наклонными прорезями 2 по боковым сторонам. В прорезях 2 установлены фиксаторы 3, которые удерживают подложку 4 на поверхности подложкодержателя. Фиксатор имеет две прорези, одна из к торых 5, равна толщине пластины, служит для крепления фик— сатора в прорези 2. Ширина второй

1 прорези 6 равна толщине подложк и и служит для ее крепления к поверхIIэсти пздложкодерх<ателя.

При выборе материала пздложкодержателя принятые во внимание следующие требования; минимальная распыляемость; продукты распыления не цолжны ухудшать кристаллографическую струк— туру и электрические парам"тры полу— чаемых полупроводниковых приборов, т.е. пои нагревании не должны обра— зовь(вать эвтектик с кремнием и должны иметь малый коэффициент дифq> зии в кремний.; — долговечность, возможно"ть регенерации и многократного испопь— зования; совместимость с требованиями быстрого (за 10-20 мин) достижения высокого вакуума (5 !О 10 Mì ггт.с T.!

40

J.((. ë ь иэГгбр T(llия Об en("i(ll и(. и c 11(f. . ь 1 О ез а 11 и я подл О ж F к р а 1 н О! Г> ли л е сра

Это достигается тем, что в подложКОдержателе На бОкОВых стОрОнах пластины выполнены наклонные пазы, в которые установлены фиксаторы, имеюЩИЕ ФОРМУ ЦИЛИНДРОВ С ДВУМЯ кольцевыми прорезями, ширина одной иэ которых равна толщине пластины, а ширина другой равна толщине подложки.

С целью уменьшения загрязнения подложек материалом подложкодержателя

I он преимущественно выполнен иэ стеклоуглерода, кремния или кварца.

В ем этим критериям укаэанные ма.ериалы с:Озтвествуют.

Были проведены процессы, в которых используют подложкодержатель,изготовленные иэ кварца.При легировании большими дозами (до 1600 мк кул/см) дЛя МЬГггъяКа ПОЛУЧЕНЫ =ИОННО-ИМПЛаН-. тированные слои со следующими характеристиками: плотность дефектов упаковки менее 5 ° 1 0 см ; плотность дислокации — менее

5 10 см 2; ток утечки рп-перехода — 0 2 MKM.

Таким образом, использование предлагаемого подложкодержателя обеспечивает снижение дефектов упаковки на 2-3 порядка, уменьшение токов утечки в 3-5 раз и возможность ис— пользования одного и того же подложкодержателя для подложек разного диаметра.

Формула изобретения

1. Подложкодержатель для устройств ионно-лучевого легирования, выпол— нанный в виде прямоугольной пластины с фиксаторами для крепления подложек, отличающийсятем,что, с целью обеспечения использования подложек разного диаметра, на боко,вых сторонах пластины выполнен 1 наклонные пазы, в которые установлены фиксаторы, имеющие форму цилиндров с двумя кольцевыми прорезями, ширина одной иэ которых равна толщине пластины, а ширина другой равна толщине подложки.

2. Подложкодержатель по п.1, О т л и ч а ю шийся тем, что, с целью уменьшения загрязнения подложек материалом подложкодержателя

Ф он выполнен из стеклоуглерода

Р кремния или кварца.

Источники информации, прин»тые во Hнимание при экспертизp.

1. Патент США У 3511723, кл. 1 48 — 17 5, 1 971 .

2. Патент Японии 9 49 -2 5070, кл. 99(5) С 5.

3. "ТЕЕ. Е Trans .Manuf . TechnoI (975, 4, 9 1, с. 21-31.

71 0625

Составитель В.Безбородова

Техред Jl.Àëôåðîâà Корректор Л.Веселонская

Редактор Ф.Серебрянский

Финна,ч ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Закан 8886/5 Тираж 809 Подписное

ЦЧИИПИ Гпсулар.тгон,cгo комитета СССР по делам изобретении и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5