Способ изготовления монохромато-pa рентгеновского излучения

Способ изготовления монохромато-pa рентгеновского излучения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалмстическнх

Республнк

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву— (22) Заявлена 14. 03. 79 (21) 2731192/18-25 (5 )М

6 21 К 1/06 с присоединением заявки Мо

Государственный комитет

СССР ло делам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 1Ь0281. Бюллетень Йо б

Дата опубликования описания 15. 02. 81 (5Ç) УД)(548. 73 (088.8) В. П. Болдырев, .Л. Д. Буйко, P. N. Имамов

Э. К. Ковьев, Э. Ф. Лобанович, A. В. Мире и 10. Н. Шилин (72) Авторы изобретения (71)Заявители

Институт кристаллографии им. A.. В. Шубнико и Специальное конструкторское бюро Институ, им. А. B. Ыубникова йН C (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОНОХРОМАТОРА

РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Изобретение относится к экспериментальной технике и методам рентгенодифракционного анализа монокристаллов. о Один из основных рентгенодифракционных методов, используемых при изучении структурного совершенства кристаллов, основан на измерении кривых дифракционного отражения. Последние представляют собой угловое распределение интенсивности дифрагированных кристаллом лучей, характеризуемое такими параметрами как полуширина кривой отражения (ширина кривой на половине высоты1 процентное <5 отражение (значение максимальной интенсивности, нормированное интенсивностью падающего на кристалл пучка ) и интегральная интенсивность. С помощью этих величин, а также по 20 форме и тонкой структуре кривой отражения получают количественную информацию о структурном совершенстве исследуемого образца.

Однако обычно форма измеряемых кривых отражения, например в двухкристальном спектрометре, значительно изменена в результате инструментальных искажений. Это приводит к сокращению получаемой информации, ЗО ограничению воэможностей метода.Поэтому в последнее десятилетие появи- лось большое количество методов,использующих тонкие дифракционные эффекты, которые позволяют измерять

"почти собственные" кривые дифракционного отражения без инструментальной ошибки. В основе этих методов лежат многокристальные схемы и многократная последовательная как симметричная, так и асимметричная дифракция.

Известен монохроМатор рентгеновского излучения, изготовленный иэ одного монокристаллического блока, в котором выполнена прорезь с параллельными стенками. В этом. устройстве рентгеновский пучок под брегговским углом падает иа внутреннюю поверхность одной из компонент,многократно отражаясь то одной, то другой кристаллической компонентой, выходит из прорези. При этом в результате многократной дифракции происходит практически полное исчезновение интенсивности на "хвостах" кривой отражения, т.е. угловая ширина пучка, сформированного таким монохроматором, определяется шириной об805419 ласти полного отражения и имеет величину угловой секунды j1).

Недостатком этого монохроматора, резко ограничивающим его применение, является то, что он позволяет проводить измерение лишь с одной определенной длиной волны рентгеновского излучения и лишь на одном и том же заранее выбранном порядке отражения (при сохранении выбранной кратности отражений ). При проведении исследований структурного совершенства необходимо измерять кривые для различных порядков отражения исследуемого кристалла, что требует изготовления набора подобных монохроматоров.

Кроме того, данный монохроматор можно использовать при измерениях кривых отражения с нулевой дисперсией для кристаллов только из того же материала, что и сам монохроматор, его применение ограничено лишь теми монокристаллами, которые существуют в виде больших слитков.

При этом изготовление таких монохроматоров весьма сложный и трудоемкий процесс, требующий прецизионной ориентации, резки и полировки прорези монокристаллического блока.

Наиболее близким к предлагаемому по техническому решению является способ изготовления монохроматора рентгеновского излучения, заключающийся s формировании из одной монокристаллической пластины щели с параллельными стенками путем ее разрезания и последующего крепления частей пластины на основании. изготовленный таким образом монохроматор .содержит две параллельные монокристаллические пластины, установленные на общем основании (2 1.

Недостатком такого монохроматора является то, что он позволяет проводить измерение в весьма ограниченном диапазоне длин волн и порядков отражения.

Цель изобретения — расширение функциональных возможностей изготавливаемых монохроматоров.

Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления монохроматора рентгеновского излучейия, заключающемся в формировании из одной монокристаллической пластины щели с параллельными стенками, исходную пластину закрепляют на параллельных опорных поверхностях по обеим сторонам пластины таким образом, что части поверхности и:;астины, обратные по отношению к частям ее поверхности, закрепленным на опорных поверхностях, свободны и производят поперечное разрезание пластины между опорны-.

Достаточно вырезать по одной плоскопараллельной пластине иэ исследуемого материала,. чтобы обеспечить ми поверхностями и перемещают, по крайней мере, одну из опорных параллельных поверхностей с закрепленной на ней частью пластины в направлениях, перпендикулярном и па-, раллельном плоскости поверхности пластины.

На фиг.1 изображена схема монохроматора, изготовленного данным способом; на фиг.2 — монохроматор, общий вид.

Монохроматор состоит иэ двух кристаллических пластин 1 и 2, установленных на специальных кронштейнах

3 и 4, жестко связанных с перемещающимися в двух вэаимноперпендикуляр15 ных направлениях в.горизонтальной плоскости основаниями.

Способ реализуется следующим образом.

Плоскопараллельная исходная

Щ пластина монокристалла с кристаллографическими плоскостями. параллельными поверхности, прикрепляются одновременно к обеим кронштейнам 3 и 4, выставленным таким образом, чтр их 5 поверхности образуют единую плоскость с каждой из поверхностей пластины.

Размеры кристалла предварительно рассчитываются, исходя из геометрии дифракции (числа отражений, угла

Зр дифракции, длины волны падающего излучения и т.д.) . Монохроматор устанавливается на станок для резки, и кристалл разрезается на две плоскопараллельные пластины, каждая из

З5 которых оказывается. связанной лишь с одним кронштейном. С помощью соответствующих механизмов 5 и 6 линейного перемещения- например типа

"ласточкин хвост", кристаллы при сохранении параллельности их поверх4р ностей сдвигаются в двух взаимноперпендикулярных направлениях в положения, строго определяемые геометрией эксперимента.

Преимущества предложенного спосо45 ба изготовления монохроматора заключается в том, что, во-первых, он позволяет легко изменять порядок отражения (углы дифракции ) и переходить на новую длину волны рентге5р новского излучения, сохраняя при этом кратность отражений, простым линейным перемещением кристаллов компонент в пределах всего нескольких миллиметров, во-вторых, его использование позволяет значительно расширить класс доступных для подобных измерени™ кристаллов, распространив способ монохроматизации излучения с помощью многократной дифракции на кристаллические слитки, имеющие малый диаметр и длину °

805419

Формула изобретения

ВНИИПИ

Заказ 10915/76

Тираж 487 Подписное

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 любую геометрию дифракции. Это значительно проще, чем изготовление монохроматоров единого моноблока, и позволяет сэкономить большое количество ценных и дорогостоящих кристаллов. Таким образом, использование монохроматора рентгеновского излучения, изготовленного предлагаемым способом, в качестве первого кристалла в рентгеновском спектрометре, значительно расширяет возможности исследования, не ограничивая его ни геометрией дифракции, ни выбором исследуемого кристалла.

1. Способ изготовления монохроматора рентгеновского излучения, заключающийся в формировании из одной монокристаллической пластины щели с параллельными стенками, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей получаемых монохроматоров, исходную пластину закрепляют на параллельных опорных поверхностях по обеим сторонам пластины таким образом, что части поверхности пластины, обратные по отношению. к частям ее поверхности, закрепленным на опорных поверхностях, свободны и производят поперечные разрезания пластины между опорными поверхностями и перемещают, по крайней мере, одну из опорных параллельных поверхностей с закрепленной на ней частью пластины в направлениях, перпендикулярном и параллельном плоскости поверхности пластины.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент ФРГ .Р 1216568, кл. 42 Н 20/02, 1967.

2. Патент США Р 3160749, кл. 250-515, 1964 (прототип).