Способ обработки рабочей поверхности магнитной головки

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

0 Il H t A H N 6 «<>886044

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социвпистичесиих

Рес ублии (61) Дополнительное к авт. свид-sy (22) Заявлено:11.03.80 (21) 2893480/18 10 (51) М. Кл.

3 с присоединением заявки J4 (23) Приоритет11 В 5/42

9вударежнньй кеаетат

CCCP

an делам наабретеннй

< .и втнрмтнй

Опубликовано 30.1l.8l. Бюллетень Р<Ъ 44

Дата опубликования описания 30.11.81 (53) УДК 534.852..2 (088.8) (72) Авторь! .К -И.И, Б цаос Г. А. Зубаускас, Л.И изобретения и С,И.Та товит (7I) Заявитель

Каунасский политехнический инс куса (54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ РАБОНЕЙ ПОВЕРХНОСТИ

ИА ГН И ТН ОЙ ГОЛОВКИ

Изобретение относится к приборостро ению, в частности к технике магнитной записи, и может быть использовано в технологии изготовления магнитных головок, Известны способы обработки рабочей поверхности магнитных головок, основанные на нанесении на нее тонких дополнительных слоев с более высокой износостойкостью, Например, методом ка10 тодного распыления на рабочую поверхность магнитной головки наносят магнитомягкий сплав алфесил(1) или электролитическим осаждением наносят износостойкий слой, содержащий „частицы маг нетика или феррита(2).

Однако вышеуказанные способы обработки рабочей поверхности недостаточно эффективны. В процессе эксплуатации нанесенные на магнитную головку покрытии

20 отслаиваются и крошатся, тем самым не обеспечивая их необходимых механичес— ких параметров.

Известны также способы обработки рабочей поверхности магнитньас головок< включающие обработку этой поверхности в вакууме путем бомбардировки пучком ионов элементов насыщения (3$

Однако известный способ обработки рабочей поверхности износостойкость увеличивает недостаточно. Это главным образом, связано с тем, что при больших дозах ионного внедрения (практически уже при ф 5 10 В сМ" )проявляется эффект распыления внедряемыми ионами.

В связи с этим явлением нельзя достичь сколь угодно больших концентраций внедренных примесей; так как устанавливается стационарный насьапенный режим, при котором количество внедренных примес ных атомов становится pBBHblM количеству распыленных с обрабатываемой поверхности атомов. С другой стороны, процесс распыления рабочей поверхности недопустим с технологической точки зрения, так как уменьшает ее толщину.

Увеличение износостойкости, раз

Энергия ионов кэВ

5 ° 101 101В.5.«0<7 .

«Ф

5 - 10(8

5. 10

5 10

10 8

S.10 ®

5 .10(6

5 -10"7

5 -10"8

3 3,4, 3,6 З,B

4,1- 4,4

4,75- 50

55- 58

3,7- 4,1

4,6 - 4,8

4,9 - 5,2

5, 4 - 5,75

5,9 — 6,3

3,9 - 4,25

4,8- 5,1

54 .- 5,8

6,0 — 6,2

6,4 - 6,6

50 ;50

200 . 00

400

3 886044

Цель изобретения - получение более тивных примесных ионов фосфора на червысокой степенй износостойкости Mar теже показано стрелками А, направление нитной головки. распыленного пермаллоя 2 «стрелками

Поставленная цель достигается тем, Б, направление пучка ионов, расньцтяю- . что способ обработки рабочей поверх- > щего пермалпоевую мишень - стрелка-, ности магнитной головки включает бом- ми В. бардировку этой поверхности в вакууме Пример. Обрабатываемую магяитпучком электрически активных примесных ную головку помещают в приемную камеаонов, причем внедрение элек фически ру установки ионного легирования. На пьактивных примесных ионов проводят до- и верхность головки внедряют ионы фосфозами. о 10 до 5.10 см с энергией .ра Р с энергией 50-400 кэВ и до46 . В -Й 31 в диапазоне от 50 до 400 кэВ при ол- зах этих ионов Ф = 5-10 см Из доновременном осаждении на рабочую по-. псанительного ионного источника 3 на-. верхность распыленного пермаллоя со правляют на пермаллоевую мишень поток скоростью, равной скорости распыления >g ионов неона < тН с энергией 3 кэВ и, внедряемых примесных ионов. плотностью ионного тока 2 мкА/см, Таким образом, осаждение тонкого °:которые ударяясь об нее, распыляют ее слоя пермаллоя со скоростью осаждения Во время легирования компенсация рас равной скорости распыления рабочей по- пыления рабочей поверхности магнитной верхности магнитной головки внедряемы- головки проводится путем осаждения на ми примесньтми ионами, компенсируют ее рабочуто поверхность пермаллоя. процесс распыления и позволяет достит Ф нуть сколь угодно большие тсонцентрации Рассояние от рабочей поверхности внедренных примесных атомов, тем ca- магнитной головки до пермаллоевой мимым получать износостойкие,:соединения >> шени устанавливают равным 4 см, a ao на рабочих поверхностях магнитных го» дополнительного ионного источника 2,5 ловок, см, причем дополнительный ионный ècHa чертеже представлено устройство, точник устанавливают под углом 65 по реализующее предлагаемый способ. отношенщо нормали к поверхности расУстройство содержит рабочую поверх- пьтпяемого пермаллоя. ность 1 магнижой головки, пермаллоевую Износостойкость магнитных головок мишень 2 и дополнительный ионный но- в зависимосги от режимов легирования точник 3. Направление электрически ак- представлена в таблице.

Составитель Н. Балбашова

Техред Е. Харитончик

Корректор У. По номаренко

Редактор Е. Дичинская

Заказ 10566/80 Тираж 648

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Подписное

Филиал ГИ!Г1 "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Использование предлагаемого способ . обеспечивает по сравнению с известными при сравнимых дозах внедрения значительно большую износостойкость рабочей поверхности магнитных головок, что позволяет значительно повысить их долговечн ость, Формула изобретения

Способ обработки рабочей поверхности магнитной головки, включающий бомбардировку поверхности в вакууме пучком электрически активных примесных ионов, отличающийся тем, что, с целью получения более высокой степени

886044 Ь изпосостойкости магнитной головки, внедренйе электрически активных примесных ионов в рабочую поверхность головки проводят д вами 5. 10Ядо 5.10(ВС„,-ХС у энергией от 50 до 400кэВ при одновременном осаждении на нее распыленного пермаллоя, равной скорости распыления внедряемых примесных ионов.

Источники информации, М принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США ¹ 3566045, кл. (q 11 В 5/22, 1971.

2; Патент США ¹ 3737483, кл. 5„11 В 5/40, С 23 С 3/02, 1973.

1ф 3. Авторское свидетельство СССР

¹ 668371, кл. С 22 F 3/00, 1978. (прототип) .