ТУРУНДАЕВСКИЙ ВЛАДИМИР СЕРГЕЕВИЧ

  ОЛИСАНИЕ . 57664З ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свпд-ву (22) Заявлено 05.04.76 (21) 2342822, 07 с присоединением заяьки ¹ (23) Г1риоритст Опубликовано 15.10.77. Бюллетень ¹ 38 Дата опубликования описания 06.10.77 (51) Ч. Кл Н 02К 15, 00 Н 01R 431 06 Государственный комитет Совета Министров СССР а...

  Союз Советских Социалистических Республик ОПИС Е ИЗОБРЕТЕНИЯ 01) б10217 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 30.03.76 (21 } 2339932(24-07 с присоединением заявки _#_s— (23) Приоритет (43) Опубликовано OS.06.78. Бюллетень Pk 21 (45) Дата опубликования описания 06.05.78 (53) М. Кл. Н 01 R 43/06 Государственный комитет Совета Министров...

  (>

  В, С. Турундаевский, B. М. Мордехай, Г. И. Степансв, P. Ф. Бекишев и А. Г. Верпуховский (72) Авторы изобретения (7l ) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ГРАФИТОВЫХ КОЛЛЕКТОРОВ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАШИН Изобретение относится к технологии изготовления графитовых коллекторов электрических машин и может быть использовано в электротехнической промышленности. Известен способ изготовлени...

  < 708464 Сеюв Советских Сециалистических Реслублик (6!) Дополнительное к авт. сеид-ау (22) Завалено 120678 (21) 26 31341/2 4-07 С ПРИСОЕДИНЕИИЕМ ЗаЯВКИ Мо (23) Прноритет Олубликоваио050180 Бюллетень ¹l Дата опубликования описания 0501-80 (5!)М. Кл. Н 02 К 1/28 Гос лщзстоеннын номнтет СССР но @мам нзобретеннй н открытнй (53) УДК 621 ° 313.04 (088 ° 8) (72) Авторы изобретени...

  О П И С A Н И Е (>817868 ИЗОБРЕТЕН ИЯ К ABTOo ÑКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советски к Социапистучесиик Ресттубпик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 16.01.78 (21) 2674099/24-07 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (5!) М. Кл.з Н 02 К 1/22 Гееуддретееннмк кемлтет СССР аю делам лэееретеник и еткрытлй Опубликовано 30.03.81. Бюллетень № 12 Дата опублико...

  Изобретение относится к коммутационной технике, а именно к силовым транзисторным ключам. Целью изобретения является повышение КПД транзисторного ключа за счет уменьшения потребляемой мощности управления. Ток базы силового транзистора 1 изменяется входным транзистором 6, управляемым токостабилизирующими транзисторами 8, 9 в зависимости от тока нагрузки и коэффициента усиления силов...