ОСВЕНСКИЙ ВЛАДИМИР БОРИСОВИЧ
Изобретатель ОСВЕНСКИЙ ВЛАДИМИР БОРИСОВИЧ является автором следующих патентов:
Способ маркирования участка поверхности полупроводникового кристалла,соответствующего объемному микродефекту
(»)728183 Ь П И Ж-"И:-МЖ ИЗЬБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистических Реслублик * «г К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) .Заявлено 06.10.77 (21) 2539147/18-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) Приоритет— (51) М.кл . Н 01 L21/26 G 01 N 23/225 Гесударстеенный крмнтет СССР до делам изобретений н открытий (53) УДК 621.382. .002 (088.8) Опу...
728183
Дифрактометрический способ определения ориентировки монокристалла
ОП ИСАКИИ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советсиик Социалистичвсиик Рвспублии Q 01 И 23/20 с присоединением заявки М 1Ъеудвретикиы3 каиитет СССР ла аллам изабрвтеиий и аткрытий (23) Приоритет Опубликовано,15.12 81. Бюллетень 1646 (53) УДК 621. 86 (088.8) Дата опубликования описания 18, 12.81 (72) Авторы изобретения В. Г. Фомин, А. Г. Новиков, В. Б. Освенский...
890179
Способ рентгенодифрактометрического определения ориентировки монокристалла
Союз Советски к Социалнстичесннк Республнн ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (iii 890180 (6! ) Дополнительное к авт. свнд-ву (22) Заявлено 25.04.80 (21) 2916631/18-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет— Опубликовано 15.12.81. Бюллетень № 46 (51 } M. Кл. 5 01 ь 23/20 ооудэрстекииый комитет во делан изобретений и открытий (53) УДК 621. .386.8 (088.8)...
890180