Конюшенко А.М.
Изобретатель Конюшенко А.М. является автором следующих патентов:
![Сплав на основе алюминия Сплав на основе алюминия](/img/empty.gif)
Сплав на основе алюминия
Сплав на основе алюминия, содержащий медь, окись алюминия и кремний, отличающийся тем, что, с целью повышения электромиграционной стойкости сплава при повышенных температурах, он дополнительно содержит циркон при следующем соотношении компонентов, вес.%: медь1,0-8,0 окись алюминия0,1-8,0 кремний0,5-1,5 циркон0,1-2,0 алюминийостальное
923215![Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов](/img/empty.gif)
Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов
Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов, содержащий германий, иттрий, алюминий, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры пайки и увеличения мощности полупроводниковых приборов, припой содержит компоненты в следующем соотношении, вес.%: Германий53-55 Иттрий0,1-2,0 АлюминийОстальное
928736![Способ изготовления контактов полупроводниковых приборов Способ изготовления контактов полупроводниковых приборов](/img/empty.gif)
Способ изготовления контактов полупроводниковых приборов
Способ изготовления контактов полупроводниковых приборов, включающий нанесение алюминия в места формирования контактов, создание контактных площадок и присоединение золотого вывода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контактов путем исключения образования интерметаллических соединений, на слой алюминия дополнительно наносят пленку алюминия с добавлением сурьмы в количеств...
1025287![Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов](/img/empty.gif)
Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов
Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов по авт. св. 928736, отличающийся тем, что, с целью снижения склонности к трещинообразованию при пайке кристаллов больших размеров, он дополнительно содержит циркон при следующем соотношении компонентов, вес.%: Германий53-55 Иттрий0,1-2,0 Циркон4-6 АлюминийОстальное
1059778![Способ обработки тонких проводящих пленок моп- и мп-систем Способ обработки тонких проводящих пленок моп- и мп-систем](/img/empty.gif)
Способ обработки тонких проводящих пленок моп- и мп-систем
Способ обработки тонких проводящих пленок МОП- и МП-систем путем воздействия на них импульсным электромагнитным полем, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии пленок и снижения разброса ее величины по площади подложки, воздействие осуществляют при следующих параметрах электромагнитного поля:энергия в импульсе W = Kw (Дж),частота числом импульсов от 1 до 10,где Kw = 1,786·10...
1345956![Мишень для магнетронного распыления в вакууме Мишень для магнетронного распыления в вакууме](/img/empty.gif)
Мишень для магнетронного распыления в вакууме
Мишень для магнетронного распыления в вакууме, содержащая диск из распыляемого немагнитного материала с углублениями и концентричные полюсные наконечники, расположенные в углублениях, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности в работе за счет уменьшения деформации мишени при ее разогреве, углубления выполнены с нераспыляемой стороны диска, а полюсные наконечники выполнены из мат...
1580860