PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Конюшенко А.М.

Изобретатель Конюшенко А.М. является автором следующих патентов:

Сплав на основе алюминия

Сплав на основе алюминия

 Сплав на основе алюминия, содержащий медь, окись алюминия и кремний, отличающийся тем, что, с целью повышения электромиграционной стойкости сплава при повышенных температурах, он дополнительно содержит циркон при следующем соотношении компонентов, вес.%: медь1,0-8,0 окись алюминия0,1-8,0 кремний0,5-1,5 циркон0,1-2,0 алюминийостальное

923215

Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов

Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов

 Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов, содержащий германий, иттрий, алюминий, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры пайки и увеличения мощности полупроводниковых приборов, припой содержит компоненты в следующем соотношении, вес.%: Германий53-55 Иттрий0,1-2,0 АлюминийОстальное

928736

Способ изготовления контактов полупроводниковых приборов

Способ изготовления контактов полупроводниковых приборов

 Способ изготовления контактов полупроводниковых приборов, включающий нанесение алюминия в места формирования контактов, создание контактных площадок и присоединение золотого вывода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контактов путем исключения образования интерметаллических соединений, на слой алюминия дополнительно наносят пленку алюминия с добавлением сурьмы в количеств...

1025287

Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов

Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов

 Припой для пайки кристаллов полупроводниковых приборов по авт. св. 928736, отличающийся тем, что, с целью снижения склонности к трещинообразованию при пайке кристаллов больших размеров, он дополнительно содержит циркон при следующем соотношении компонентов, вес.%: Германий53-55 Иттрий0,1-2,0 Циркон4-6 АлюминийОстальное

1059778

Способ обработки тонких проводящих пленок моп- и мп-систем

Способ обработки тонких проводящих пленок моп- и мп-систем

 Способ обработки тонких проводящих пленок МОП- и МП-систем путем воздействия на них импульсным электромагнитным полем, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии пленок и снижения разброса ее величины по площади подложки, воздействие осуществляют при следующих параметрах электромагнитного поля:энергия в импульсе W = Kw (Дж),частота числом импульсов от 1 до 10,где Kw = 1,786·10...

1345956


Мишень для магнетронного распыления в вакууме

Мишень для магнетронного распыления в вакууме

 Мишень для магнетронного распыления в вакууме, содержащая диск из распыляемого немагнитного материала с углублениями и концентричные полюсные наконечники, расположенные в углублениях, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности в работе за счет уменьшения деформации мишени при ее разогреве, углубления выполнены с нераспыляемой стороны диска, а полюсные наконечники выполнены из мат...

1580860