Карманов Андрей Андреевич (RU)

Изобретение относится к датчикам вакуума для измерения давления разреженного газа в вакуумных установках различного назначения. Предложен способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой, заключающийся в том, что тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)50%(SnO2)50% путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на под...

Заявляемый способ может найти применение при создании и производстве наноструктурированных пленок из пленкообразующих золей для газочувствительных сенсоров. Способ заключается в том, что изготавливают эталонные образцы с заданной начальной концентрацией наночастиц. Записывают инфракрасные спектры эталонных образцов, идентифицируют характеристические пики поглощения. Записывают инфракрасные спект...

Изобретение относится к измерительной технике. В способе изготовления датчика вакуума с наноструктурой получают гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют...

Изобретение относится к измерительной технике. Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой повышенной чувствительности заключается в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Тонк...

Изобретение относится к изготовлению газовых сенсоров, предназначенных для детектирования различных газов. Предложен способ изготовления газового сенсора, в котором образуют гетероструктуру из различных материалов, в ней формируют газочувствительный слой, после чего ее закрепляют в корпусе сенсора, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Газочувствит...

Изобретение относится к измерительной технике и может использоваться при изготовлении датчиков вакуума для измерения давления разреженного газа в вакуумных установках различного назначения. Предложен способ изготовления наноструктурированного чувствительного элемента датчика вакуума, заключающийся в образовании гетероструктуры из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупрово...

Изобретение относится к измерительной технике. Способ изготовления датчика вакуума с трехмерной пористой наноструктурой заключается в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Тонкопленочн...

Изобретение относится к медицине и может быть использовано для определения глубины залегания липидных ядер, являющихся центром атеросклеротических бляшек. Изобретение представляет способ определения глубины залегания липидных ядер атеросклеротических бляшек методом ИК-Фурье спектроскопии, заключающийся в том, что подготавливаются срезы атеросклеротически измененного участка сосудистого русла, за...

Изобретение относится к области биотехнологии, экологической и промышленной токсикологии. Предложен способ определения цитотоксичности наноматериалов на основе оксида цинка. Наноматериал приготавливают в виде двухслойной наноструктуры, в которой верхний слой модифицирован атомами Fe. Полученная наноструктура нанесена на диэлектрическую подложку, к которой формируют токопроводящие контактные площ...

Изобретение относится к датчикам давления разреженного газа, а также к способам изготовления таких датчиков. Способ изготовления датчиков давления включает образование гетероструктуры, формирование в ней тонкопленочного полупроводникового резистора, имеющего вид сетчатой наноструктуры (SiO2)50%-c(SnO2)50%(In2O3)c (где c - массовая доля In2O3, 1%≤с≤15%), закрепление указанной гетероструктуры в к...

Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении газовых сенсоров. Предложен способ изготовления газовых сенсоров, содержащих корпус, установленную в нем на основании двухслойную наноструктуру ZnO-ZnO:Cu, точечные контакты, соединенные с выводами корпуса, помещенными в изолятор и штуцер, обеспечивающий контакт детектируемого газа с чувствительным элементом. Двухсло...

Изобретение относится к медицине, в частности эндокринологии, и может быть использовано для неинвазивной экспресс-диагностики диабета второго типа. Проводят забор слюны человека. С помощью метода ИК-Фурье спектроскопии записывают ИК-спектры полос поглощения подсушенного при 20°С материала. При отсутствии расщепления полосы поглощения с максимумом 1550 см-1, соответствующей колебаниям группы амид I...

Использование: для получения нанолитографических рисунков с фрактальной структурой со сверхразвитой поверхностью. Сущность изобретения заключается в том, что способ заключается в том, что с помощью метода локального анодного окисления путем приложения напряжения между перемещающимся зондом сканирующего зондового микроскопа и полупроводниковой подложкой формируется нанолитографический рисунок, допо...

Изобретение относится к области нанотехнологий, а именно к способам получения фотокатализаторов для разложения веществ, загрязняющих воздух и воду, и может быть использовано в химической, фармацевтической и биосинтетической промышленности. Способ заключается в том, что порошок ZnO подвергают интенсивной механической обработке в воздушной среде. При этом скорость измельчения в размольных барабанах...

Использование: для нанолитографических рисунков с кристаллической структурой со сверхразвитой поверхностью. Сущность изобретения заключается в том, что путем механического воздействия зонда на кремниевую подложку формируют пространственный профиль в виде области шириной 7 мкм и глубиной 800 нм, после чего дополнительно на поверхность подложки в рамках метода гидротермального синтеза наносят эквимо...