PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Колесникова Ольга Юрьевна (RU)

Изобретатель Колесникова Ольга Юрьевна (RU) является автором следующих патентов:

Способ раздельного определения вероятностей поглощения и рассеяния фотонов на единицу пути в твердых оптических материалах

Способ раздельного определения вероятностей поглощения и рассеяния фотонов на единицу пути в твердых оптических материалах

Изобретение относится к области измерения оптических характеристик материалов, определяющих световые потери в них, связанные как с поглощением, так и рассеянием. Способ состоит в том, что измерения коэффициента пропускания света производят для двух образцов с различной толщиной, изготовленных из одного и того же исследуемого материала. Измеренные значения коэффициентов пропускания, данные о толщ...

2533538

Способ выращивания монокристаллов германия

Способ выращивания монокристаллов германия

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов германия из расплава методом Чохральского для изготовления оптических и акустооптических элементов инфракрасного диапазона длин волн, применяемых в качестве материала для детекторов ионизирующих излучений и для изготовления подложек фотоэлектрических преобразователей. В процессе вытягивания линейное перемещение кристалла ведут со ско...

2565701

Способ получения профильных изделий на основе монокристаллов германия

Способ получения профильных изделий на основе монокристаллов германия

Изобретение относится к технологии получения оптических изделий из германия путем выращивания монокристаллов германия из расплава в форме профильных изделий в виде выпукло-вогнутых заготовок, которые после обработки могут быть использованы для изготовления линз инфракрасного диапазона. Выращивание монокристаллов германия осуществляют на затравочный кристалл с использованием помещенного в тигель...

2600380

Способ выращивания монокристаллов веществ, имеющих плотность, превышающую плотность их расплава

Способ выращивания монокристаллов веществ, имеющих плотность, превышающую плотность их расплава

Изобретение относится к технологии получения монокристаллов из расплава способом Чохральского. Выращивание кристалла радиусом r сначала осуществляют способом Чохральского путем вытягивания из неподвижного тигля радиусом R1, таким, что где ρтв - плотность кристалла, ρж - плотность расплава. Готовый кристалл отрывают от расплава и охлаждают до комнатной температуры в ростовой камере. Затем открыв...

2600381

Способ измерения температуры локальных участков поверхности расплава в тигле при выращивании методом чохральского монокристаллов веществ с температурой плавления выше 6500с

Способ измерения температуры локальных участков поверхности расплава в тигле при выращивании методом чохральского монокристаллов веществ с температурой плавления выше 6500с

Изобретение относится к области температурных измерений и касается способа измерения температуры локальных участков поверхности расплава в тигле при выращивании методом Чохральского монокристаллов веществ с температурами плавления выше 650°C. Способ включает в себя фотографирование цифровым цветным аппаратом через смотровое окно камеры ростовой установки видимой поверхности расплава с кристаллом,...

2652640