Игумнов Владимир Николаевич (RU)

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к технике измерения индуктивности высокотемпературных сверхпроводниковых (ВТСП) устройств. Технический результат - повышение точности. Для достижения данного результата в индуктивном кольце создают ток и по его величине рассчитывают индуктивность. При этом на соленоид с датчиком Холла надевают кольцо. Постоянный ток индуцируют с помощью магни...

Изобретение относится к области криоэлектроники и может быть использовано для получения объемов повышенной магнитной чистоты. Техническим результатом изобретения является повышение качества магнитного экрана, коэффициента его ослабления, за счет уменьшения остаточных магнитных полей. Этот результат обеспечивается за счет того, что дно экрана выполняется в виде полого конуса с углом при вершине мен...

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении экранирующих элементов из высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП). Техническим результатом изобретения является повышение качества экрана, величины максимального поля за счет кольцевого ориентирования структуры ВТСП материала и увеличения кольцевого критического тока. Техническим результатом является также сниже...

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для формирования прямоугольных импульсов с регулируемой скважностью. Техническим результатом изобретения является снижение стоимости и сложности устройства и его регулировки за счет использования симметричного двухвходового криотрона. Технический результат достигается за счет того, что на первую управляющую шину криотрона подается п...

Изобретение относится к технологии тонких пленок, в частности к способу формирования многокомпонентного стехиометричного пленочного покрытия, и может найти применение в электронной, атомной и других отраслях науки и техники. Задают совокупность конструктивно-технологических параметров: сил токов разряда магнетронов, площадей зон эрозии мишеней и плотностей мишеней, зависимость между которыми опред...

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении экранирующих устройств из высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП). Техническим результатом изобретения является повышение качества экрана, его коэффициента экранирования за счет исключения плоскости соединения фрагментов и повышение производительности за счет изготовления экрана в одном цикле. Сущность изобретен...

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для получения высокотемпературных сверхпроводниковых (ВТПС) пленочных элементов и схем. Техническим результатом изобретения является повышение качества ВТСП покрытий, из адгезии и критических параметров. Сущность изобретения: перед нанесением ВТПС покрытия поверхность буферного подслоя обрабатывают ионно-плазменным травлением до 10-...

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано в различных устройствах для экранирования объема от магнитного поля. Техническим результатом изобретения является повышение качества магнитного экрана, введение второй, более слабой степени экранирования. Сущность изобретения: составной комбинированный магнитный экран состоит из фрагментов-колец, изготовленных из ферромагнитного...

Изобретение относится к технологии криоэлектроники и может быть использовано при изготовлении высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) схем. Техническим результатом изобретения является повышение качества ВТСП схем, их критических параметров путем обработки положительно заряженной поверхности схемы отрицательными искровыми импульсами. Сущность изобретения: в способе формирования высокотемператур...

Изобретение относится к криоэлектронике и криоэлектротехнике. Технический результат изобретения - повышение качества магнитных экранов, а также экономия высокотемпературного сверхпроводникового материала, путем регулировки параметров экрана под магнитное поле конкретной индукции и конфигурации. Сущность изобретения: в составном магнитном сверхпроводниковом экране, состоящем из сверхпроводниковых ш...

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для создания логических схем. Техническим результатом изобретения является упрощение конструкции и способа изготовления криотрона. Указанный технический результат достигается тем, что функции экрана и управляющей шины совмещаются и выполняются нижней сверхпроводниковой дорожкой, нанесенной на поверхность подложки, частично изолиро...

Предложен двухступенчатый сверхпроводниковый токоограничитель-выключатель и способ его изготовления. Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для автоматической защиты электрических цепей от токовых перегрузок. Техническим результатом изобретения является повышение скорости и надежности отключения рабочей цепи, а также включение предупреждающего сигнала путем введения до...

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при изготовлении ВТСП-структур. Изобретение позволяет повысить точность и воспроизводимость переходов Джозефсона. Сущность изобретения: в способе изготовления перехода Джозефсона, включающем ионное легирование перехода примесью, подавляющей сверхпроводимость, формирование окон для легирования выполняют с помощью "протаскивания игл...

Изобретение относится к области криоэлектроники и может быть использовано в высокотемпературных сверхпроводниковых (ВТСП) схемах. Техническим результатом изобретения является повышение качества управляемого резистора, уменьшение его габаритов и сложности, возможность автоматического управления и применения при азотных температурах. Сущность изобретения: в управляемом сверхпроводниковом резисторе...

Изобретение относится к электротехнике, к криоэлектронике и может быть использовано для защиты электрических машин от токовых перегрузок. Технический результат состоит в повышении качества ограничителя тока приданием ему дополнительной функции - предварительного включения части соленоида. В экране бистабильного индуктивного ограничителя тока формируется кольцевой участок с меньшей плотностью крит...

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано для экранирования интегральных схем и других магниточувствительных устройств. Техническим результатом изобретения является повышение качества магнитного экрана, снижение шумов, остаточных магнитных полей. Сущность изобретения: корпус-экран магнитного поля для микросхемы содержит экранирующее пленочное покрытие, нанесенное на поверх...

Изобретение относится к технологии криоэлектроники и может быть использовано при изготовлении высокотемпературных сверхпроводящих (ВТСП) схем. Техническим результатом изобретения является повышение качества ВТСП схем, увеличение их температурного рабочего диапазона, повышение удельного сопротивления ВТСП материала в нормальном состоянии путем введения ферромагнитной примеси в ВТСП пленку при эле...