Башков Валерий Михайлович (RU)

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к приготовлению твердосплавной шихты. Способ пластифицирования шихты парафином включает приготовление смеси, содержащей компоненты твердого сплава, к которой добавляют парафин и растворитель. В качестве растворителя используют бензин, при этом парафин диспергируют в бензине в количестве не более 5%. Количество парафина по отношению к коли...

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к прессованию заготовок из шихты с низким содержанием пластификатора. Способ изготовления заготовок из шихты включает введение в твердосплавную смесь 0,5-1,0% пластификатора и последующее прессование. Перед извлечением из пресс-формы на заготовку воздействуют импульсом или пакетом импульсов силы величиной не менее 0,1-0,15% от величины уд...

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению образцов для определения оптимального состава твердого сплава. В пресс-форме на слое твердосплавной смеси размещают слой наночастиц карбида вольфрама или слой наночастиц карбида вольфрама размещают между слоями твердосплавной смеси и осуществляют совместное прессование слоев. После спекания проводят оценку физико-механически...

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению изделий из твердых сплавов. Длинномерные изделия из твердых сплавов, в том числе нанодисперсных, прессуют в пресс-форме на гидравлическом прессе с одновременным наложением звуковых колебаний в направлении, перпендикулярном направлению прессования. Частоту ультразвуковых колебаний повышают до совпадения с собственной частотой...

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетеростру...

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре, и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненых из GaAs, и гетеростру...

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетеростру...

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненых из GaAs, и гетерострук...

Изобретение может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. В наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двухконтактных областей, выполненных из легированного GaAs с концентрацией Si 1×1018…1×1019 1/см3, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, выпо...

Изобретение может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. В наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs с концентрацией Si 1×1018…1×1019 1/см3, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, вып...

Изобретение относится к электронным приборам, в частности к полупроводниковым приборам, и может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом выпрямительном диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs с концентрацией Si 1×1018…1×1019 1/см3,...

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению. Сущность: на поверхности ветвей термоэлектрического модуля, сопрягаемые с контактными пластинами, наносят барьерное покрытие, препятствующее диффузии материалов припоя и контактных пластин в материал полупроводника. Покрытие наносят методом вакуумного напыления из сепарированной электродуговой плазмы после плазмохимического травления в...

Изобретение относится к области порошковой металлургии и может быть использовано для измельчения порошковых материалов. Размольное тело в виде шара для измельчения металлических порошков и порошков тугоплавких соединений выполнено из тяжелого материала и заключено в оболочку из материала более мягкого, чем размалываемый порошок, и способного шаржироваться частицами размалываемого материала. Техни...

Изобретение относится к металлургии и машиностроению, а именно к обработке режущего инструмента. Проводят очистку и обезжиривание поверхности инструмента и обработку инструмента раствором высокомолекулярных фторсодержащих соединений с поддерживанием температуры раствора при вращении инструмента со скоростью 12000 об/мин и/или при ультразвуковой обработке с частотой, не доводящей раствор до кавита...

Изобретение относится к технике дистанционной передачи и преобразования сверхвысокочастотной электромагнитной энергии в электрическую энергию постоянного тока и может применяться в выпрямителях малой мощности. Преобразователь энергии электромагнитной волны СВЧ-диапазона в постоянное напряжение содержит антенну и выпрямитель, имеющий N ступеней умножения напряжения и содержащий 2·N либо 4N вентиль...

Изобретение относится к технологии получения покрытий. Способ включает размещение подложки в вакуумной камере, ионное травление подложки и осаждение на подложку материала методом PVD в среде рабочего газа. Для осаждения используют не менее двух электродуговых источников плазмы с сепарацией потока, причем по крайней мере один из них снабжен катодом из тугоплавкого металла. При этом формируют импул...

На образцы материалов, помещенные в изотермические контейнеры, осуществляют термовакуумное воздействие при определенной температуре и улавливают выделившиеся из образцов летучие конденсирующиеся вещества конденсирующими пластинами. Потерю массы определяют по разности масс образца до и после воздействия, аналогично определяют и содержание летучих конденсирующихся веществ. Наряду с термовакуумным в...

Изобретение относится к анализу оптических характеристик наноразмерных пленок, образующихся при конденсации продуктов газовыделения нагретых неметаллических материалов в вакууме. Способ заключается в термовакуумном воздействии при определенной температуре на образцы материалов, помещенные в специальные изотермические контейнеры, и в улавливании выделившихся из образцов легко конденсирующихся веще...

Изобретение относится к способу оценки защитных свойств тонких покрытий от поверхностной деградации (разрушения, эрозии, распыления) защищаемых материалов при воздействии на них высокоэнергетических излучений, преимущественно в вакууме. Отличительная особенность способа оценки стойкости тонких защитных покрытий материалов при высокоэнергетическом воздействии заключается в том, что в качестве воз...

Изобретение относится, прежде всего, к прецизионному станкостроению и приборостроению и может применяться для создания пористых газостатических опор в высокоскоростных и/или высокоточных шпиндельных узлах, линейных направляющих, подпятниках и в других устройствах станков и измерительного оборудования. Способ формирования пористых ограничителей наддува (пористые вставки (5, 6) в газостатических п...

Изобретение относится к области полимеров, а именно к области создания многофункциональных нанокомпозиционных материалов, и может быть использовано для получения конструкционных материалов с повышенными механическими и теплофизическими характеристиками, стойкими к агрессивным средам, например, в производстве пластиковых оболочек кабелей электротехнической промышленности, пленочных упаковочных ма...

Изобретение относится к области термоэлектрического преобразования энергии. Технический результат: повышение эффективности и надежности термоэлектрического модуля посредством увеличения теплопроводности и электроизоляционных свойств теплоконтактных электроизолирующих средств соединения коммутационных токопроводов с теплопроводами. Сущность: термоэлектрический модуль содержит полупроводниковые...

Изобретение может быть использовано в автомобильных двигателях внутреннего сгорания. Термоэлектрический генератор размещен в выпускной системе отработавших газов двигателя внутреннего сгорания. Термоэлектрический генератор состоит из горячего теплообменника (1) и термоэлектрических модулей (4), установленных на горячем теплообменнике (1). Горячий теплообменник (1) имеет правильную многогранную про...

Изобретение относится к области оптико-физических измерений и касается способа неразрушающего контроля качества теплового контакта термоэлектрического модуля. Контроль осуществляется путем определения наличия/отсутствия воздушных полостей в его структуре методом спектроскопической эллипсометрии. Способ включает в себя измерение спектров эллипсометрических параметров Ψ и Δ по площади термоэлектриче...